粘着剂组合物及其制造方法、以及粘着膜技术

本发明专利技术的粘着剂组合物含有(A)包含侧链具有羟基的结构单元的聚合物、(B)具有2个以上异氰酸酯基的化合物、(C)羧酸铋以及(D)pKa为6以上的叔胺。聚合物(A)优选进一步包含侧链具有氨基甲酸酯键和聚合性不饱和键的结构单元。羧酸铋(C)优选为Bi(OOCR)3(式中，R各自独立地为碳原子数1～17的烃基)所示的化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘着剂组合物及其制造方法、以及粘着膜
本专利技术涉及提供可以形成对于被粘物具有适当的粘着性的粘着层，通过对贴合于被粘物的粘着层照射放射线或加热粘着层，使粘着层固化，使相对于被粘物的粘着性降低而从被粘物剥离时，抑制被粘物的表面上的糊料残留的粘着膜的粘着剂组合物及其制造方法。
技术介绍
以往，胶粘带、粘着片、粘着标签等粘着膜以日用品为代表，在制品的制造等中被广泛使用。作为粘着膜的代表性的构成，可举出由树脂膜层、包含具有氨基甲酸酯键的聚合物的粘着层形成的构成。在获得具有氨基甲酸酯键的聚合物的情况下，通常，使具有羟基的化合物与具有异氰酸酯基的化合物进行反应，此时，使用二月桂酸二丁基锡等有机锡化合物作为催化剂(例如，参照专利文献1)。然而，认为有机锡化合物对于人体和环境有影响，根据REACH法规，使用受到限制。作为其他催化剂，使用了四乙酰丙酮锆、四正丁氧基锆、四乙酰丙酮钛、四-2-乙基己醇钛、二丁氧基双乙酰丙酮钛、单乙酰丙酮双(乙酰乙酸乙酯)铝等配位化合物(例如，参照专利文献2)。可是，粘着膜还用于怕由杂质等带来的污染的用途，例如，半导体部件、电子部件等的制造工序中。作为其具体例，可举出在将形成有集成电路等的半导体晶片的背面进行磨削加工时，用于保护半导体晶片的表面的表面保护用粘着膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-241732号公报专利文献2：日本特开2014-63951号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的目的在于提供粘着剂组合物及其制造方法以及粘着膜，所述粘着剂组合物含有：包含侧链具有羟基的结构单元的聚合物、具有2个以上异氰酸酯基的化合物以及用于使它们发生反应的氨基甲酸酯键形成反应用催化剂，使用除有机锡化合物以外的催化剂，可以形成具有适当的凝聚性和粘着性的粘着层。此外，本专利技术的其他目的在于提供进一步含有聚合引发剂的粘着剂组合物及其制造方法以及粘着膜，所述粘着剂组合物可以形成具有适当的凝聚性和粘着性的粘着层，通过对处于与被粘物粘接状态的粘着层照射放射线或加热粘着层，可以降低粘接强度而从被粘物剥离粘着层，剥离后，可以抑制被粘物的表面上的糊料残留。用于解决课题的方法本专利技术人等代替以往作为氨基甲酸酯键形成反应用催化剂所使用的有机锡化合物，使用同时含有羧酸铋、包含侧链具有羟基的结构单元的聚合物、具有2个以上异氰酸酯基的化合物以及pKa为6以上的叔胺的粘着剂组合物，结果发现形成具有适当的凝聚性和粘着性的粘着层。此外，在羧酸铋的存在下，获得包含侧链具有氨基甲酸酯键和聚合性不饱和键的结构单元、以及侧链具有羟基的结构单元的聚合物之后，对于将包含该聚合物的组合物(反应混合物)中所残存的羧酸铋进行再利用的粘着剂组合物以及使用粘着膜而获得的粘着层的剥离性，进行了研究，结果发现上述聚合物、具有2个以上异氰酸酯基的化合物、羧酸铋、pKa为6以上的叔胺和聚合引发剂的并用是适合的。以下，简单地说明本说明书中的用语的定义。“聚合性不饱和键”是指具有自由基聚合性的烯属不饱和键。“侧链具有羟基的结构单元”为具有从主链分支的侧链的结构单元，是侧链所包含的羟基直接结合于构成主链的碳原子、或者介由其他原子或原子团结合于构成主链的碳原子的结构单元。“侧链具有氨基甲酸酯键的结构单元”为具有从主链分支的侧链的结构单元，是侧链所包含的氨基甲酸酯键直接结合于构成主链的碳原子、或者介由其他原子或原子团结合于构成主链的碳原子的结构单元。“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸和甲基丙烯酸，“(甲基)丙烯酸酯”是指丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯，“(甲基)丙烯酰基”是指丙烯酰基和甲基丙烯酰基。“放射线”是对紫外线等光、激光、或者电子射线等电离性放射线的总称。此外，“粘着膜”不必特别通过尺寸(宽度、厚度等)进行区别，其包括胶粘带、粘着片、粘着标签等。本专利技术的粘着剂组合物的特征在于，含有：(A)包含侧链具有羟基的结构单元的聚合物、(B)具有2个以上异氰酸酯基的化合物、(C)羧酸铋以及(D)pKa为6以上的叔胺。上述聚合物(A)优选进一步包含侧链具有氨基甲酸酯键和聚合性不饱和键的结构单元。上述羧酸铋(C)优选为Bi(OOCR20)3(式中，R20各自独立地为碳原子数1～17的烃基)。本专利技术的粘着剂组合物可以进一步含有聚合引发剂。本专利技术的粘着剂组合物的制造方法的特征在于，将包含侧链具有羟基的结构单元的聚合物、具有2个以上异氰酸酯基的化合物、羧酸铋以及pKa为6以上的叔胺进行混合。在本专利技术中，包含侧链具有羟基的结构单元的聚合物优选进一步包含侧链具有氨基甲酸酯键和聚合性不饱和键的结构单元，在该情况下，可以采用依次具备下述工序的方法：第1工序，在羧酸铋的存在下，使包含侧链具有羟基的结构单元(p1)的聚合物(P1)与具有异氰酸酯基的单体(M)进行反应，使上述结构单元(p1)的一部分残留且上述结构单元(p1)的其余部分被改性为上述结构单元(p2)，获得包含具有上述结构单元(p1)和上述结构单元(p2)的聚合物(P2)、和上述羧酸铋的组合物；以及，第2工序，将上述组合物、具有2个以上异氰酸酯基的化合物以及pKa为6以上的叔胺进行混合。本专利技术的粘着膜的特征在于，具备基材、以及配设于该基材的表面且包含上述本专利技术的粘着剂组合物的粘着层。专利技术的效果根据本专利技术的粘着剂组合物中的一个实施方式，可以形成具有适当的凝聚性和粘着性的粘着层。此外，根据本专利技术的粘着剂组合物中的其他实施方式，可以形成具有适当的凝聚性和粘着性的粘着层，并且通过对处于与被粘物粘接状态的粘着层照射放射线或加热粘着层，能够降低粘着性而从被粘物剥离粘着层，剥离后，可以抑制被粘物的表面上的糊料残留。该效果在将具有粘着层的粘着膜用于半导体晶片的电路背面磨削、切割这样的加工工艺的情况下是显著的。根据本专利技术的粘着剂组合物的制造方法，可以高效地制造具有上述性能的粘着剂组合物。此外，形成了具备包含下述成分的粘着层的粘着膜的情况下，在半导体晶片的磨削加工等半导体的制造工序中是适合的，所述成分是：包含侧链具有羟基的结构单元以及侧链具有氨基甲酸酯键和聚合性不饱和键的结构单元的聚合物(A)、具有2个以上异氰酸酯基的化合物(B)、羧酸铋(C)、pKa为6以上的叔胺(D)以及聚合引发剂。例如，将粘着膜粘贴于形成有集成电路的半导体晶片的表面来保护集成电路之后，将半导体晶片的背面进行磨削加工，抑制液体、磨削屑等对半导体晶片表面的侵入、污染等，磨削加工结束后，如上述那样通过放射线照射或加热，从而可以使粘着层固化而降低粘着性，可以抑制半导体晶片的破损，进而抑制粘贴有粘着膜的面上的糊料残留，容易剥离粘着膜。附图说明图1为表示本专利技术中的第1方式的粘着膜的一例的概略截面图。图2为表示本专利技术中的第2方式的粘着膜的一例的概略截面图。具体实施方式1.粘着剂组合物本专利技术的粘着剂组合物含有(A)包含侧链具有羟基的结构单元的聚合物、(B)具有2个以上异氰酸酯基的化合物(以下，也称为“多异氰酸酯(B)”)、(C)羧酸铋以及(D)pKa为6以上的叔胺(以下，也称为“叔胺(D)”)。上述聚合物(A)是包含侧链具有羟基的结构单元(以下，称为“结构单元(a1)”)的聚合物，均聚物和共聚物的任一种都可以。此外，该聚合物(A)可以是进一步包含其他结构单元(以下，称为“结构单元(a2)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粘着剂组合物，其特征在于，含有：(A)包含侧链具有羟基的结构单元的聚合物，(B)具有2个以上异氰酸酯基的化合物，(C)羧酸铋，以及(D)pKa为6以上的叔胺。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.10 JP 2015-1789091.一种粘着剂组合物，其特征在于，含有：(A)包含侧链具有羟基的结构单元的聚合物，(B)具有2个以上异氰酸酯基的化合物，(C)羧酸铋，以及(D)pKa为6以上的叔胺。2.根据权利要求1所述的粘着剂组合物，所述聚合物(A)进一步包含侧链具有氨基甲酸酯键和聚合性不饱和键的结构单元。3.根据权利要求1或2所述的粘着剂组合物，所述羧酸铋(C)由Bi(OOCR20)3来表示，式中，R20各自独立地为碳原子数1～17的烃基。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的粘着剂组合物，所述羧酸铋(C)的含量相对于所述聚合物(A)100质量份为0.001～5质量份。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的粘着剂组合物，所述叔胺(D)的含量相对于所述聚合物(A)100质量份为0.001～5质量份。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的粘着剂组合物，其进一步含有聚合引发剂。7.一种粘着剂组合物的制造方法，其特征在于，是制造权利要求1～5中的任一项所述的粘着剂组合物的方法，将包含侧链具有羟基的结构单元(p1)的聚合物、具有2个以上异氰酸酯基的化合物、羧酸铋以及pKa为6以上的叔胺进行混合。8.根据权利要求7所述的制造方法，所述聚合物进一步包含侧链具有氨基甲酸酯键和聚合性不饱和键的结构单元(p2)。9.根据权利要求8所述的制造方法，其依次具备下述工序：第1工序，在羧酸铋的存在下，使包含侧链具有羟基的结构单元(p1)的聚合物(P1)与具有异...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤爱海，栗原宏嘉，
申请(专利权)人：三井化学东赛璐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP