一种太阳能电池组件制造技术

技术编号:17782298 阅读:39 留言:0更新日期:2018-04-22 12:25
本发明专利技术涉及太阳能电池领域,提供一种太阳能电池组件,包括:n型硅片(1)背光面上制有铝电极(2),n型硅片(1)的受光面上依次有p‑n结层(3)、第一钝化层(4)、第二钝化层(5)、第三钝化层(6)和减反膜(7);所述受光面上制有银电极(8)。所述硅片(1)包括单晶硅片或多晶硅片。所述第一钝化层(4)为氧化硅钝化层。所述第二钝化层(5)为氧化铝钝化层。所述第三钝化层(6)位氮化硅钝化层。所述减反膜为氮化硅减反膜。本发明专利技术提高了太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池组件
本专利技术涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种太阳能电池组件。
技术介绍
随着社会的发展,能源问题已经成为全人类面临的严峻挑战。当前,我国能源结构和能源安全越来越成为制约可持续发展的瓶颈,因此,越来越多的国家开始通过开发太阳能资源寻求经济发展的新动力。太阳能电池组件的应用越来越广泛。从传统的大型太阳电站到小型民用系统,到处可以看到太阳能发电。但是,太阳能电池的发电效率问题,一直是该领域的难题。
技术实现思路
本专利技术针对上述问题,提出一种太阳能电池组件,提高了太阳能电池的光电转换效率。本专利技术提供了一种太阳能电池组件,包括:包括:n型硅片(1)背光面上制有铝电极(2),n型硅片(1)的受光面上依次有p-n结层(3)、第一钝化层(4)、第二钝化层(5)、第三钝化层(6)和减反膜(7);所述受光面上制有银电极(8)。进一步的,所述硅片(1)包括单晶硅片或多晶硅片。进一步的,所述第一钝化层(4)为氧化硅钝化层。进一步的,所述氧化硅钝化层的厚度为1-3nm。进一步的,所述第二钝化层(5)为氧化铝钝化层。进一步的,所述氧化铝钝化层的厚度为2至15纳米。进一步的,所述第三钝化层(6)位氮化硅钝化层。进一步的,所述氮化硅钝化层的厚度为60至90纳米。进一步的,所述减反膜为氮化硅减反膜。本专利技术提供的一种太阳能电池组件,制作过程简单,制作效率高,提高了太阳能电池的光电转换效率。附图说明图1是本专利技术太阳能电池组件的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚,下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术,而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。图1是本专利技术太阳能电池组件的结构示意图。如图1所示,本专利技术实施例提供的太阳能电池组件包括:本专利技术提供了一种太阳能电池组件,包括:包括:n型硅片(1)背光面上制有铝电极(2),n型硅片(1)的受光面上依次有p-n结层(3)、第一钝化层(4)、第二钝化层(5)、第三钝化层(6)和减反膜(7);所述受光面上制有银电极(8)。进一步的,所述硅片(1)包括单晶硅片或多晶硅片。进一步的,所述第一钝化层(4)为氧化硅钝化层。进一步的,所述氧化硅钝化层的厚度为1-3nm。进一步的,所述第二钝化层(5)为氧化铝钝化层。进一步的,所述氧化铝钝化层的厚度为2至15纳米。进一步的,所述第三钝化层(6)位氮化硅钝化层。进一步的,所述氮化硅钝化层的厚度为60至90纳米。进一步的,所述减反膜为氮化硅减反膜。本专利技术提供的一种太阳能电池组件,制作过程简单,制作效率高,提高了太阳能电池的光电转换效率。最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本专利技术的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本专利技术进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换,并不使相应技术方案的本质脱离本专利技术各实施例技术方案的范围。本文档来自技高网...
一种太阳能电池组件

【技术保护点】
一种太阳能电池组件,其特征在于,包括:n型硅片(1)背光面上制有铝电极(2),n型硅片(1)的受光面上依次有p‑n结层(3)、第一钝化层(4)、第二钝化层(5)、第三钝化层(6)和减反膜(7);所述受光面上制有银电极(8)。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池组件,其特征在于,包括:n型硅片(1)背光面上制有铝电极(2),n型硅片(1)的受光面上依次有p-n结层(3)、第一钝化层(4)、第二钝化层(5)、第三钝化层(6)和减反膜(7);所述受光面上制有银电极(8)。2.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述硅片(1)包括单晶硅片或多晶硅片。3.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述第一钝化层(4)为氧化硅钝化层。4.根据权利要求3所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述氧...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙兴宁
申请(专利权)人:奕铭大连科技发展有限公司
类型:发明
国别省市:辽宁,21

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