一种应用于背面接触太阳电池的双层TiOx结构制造技术

一种应用于背面接触太阳电池的双层TiOx结构，在背面接触太阳电池正面硅材料表面形成一层钝化TiOx层，在钝化TiOx层之上再形成一层n型掺杂且掺杂浓度较高的n‑TiOx层；形成背面接触太阳电池正面硅表面‑钝化TiOx层‑n‑TiOx层结构。该结构包含一层可对硅片形成良好钝化的钝化TiOx层以及一层n型掺杂的TiOx层。使用这种结构可同时起到钝化硅片正表面、形成表面电场、增强空穴传输以及减反射层等作用，而且该结构可在低温下制备。本实用新型专利技术所提出的结构将会简化背面接触太阳电池的结构及制备工艺。

A double TiOx structure applied to the back contact solar cell

The double TiOx structure applied to the back contact solar cell, solar cell contact on the back to form a layer of silicon surface passivation layer is TiOx, n TiOx layer to form a layer of N type doping and high doping concentration in the passivation layer TiOx; formation of back contact solar cell surface is surface passivation layer TiOx n TiOx layer structure. The structure consists of a passivated TiOx layer and a layer of N - doped TiOx layer, which can form a good passivation of the silicon wafer. This structure can also play a role in passivating the positive surface of silicon wafer, forming surface electric field, enhancing hole transport and antireflection layer, and the structure can be prepared at low temperature. The structure proposed by the utility model will simplify the structure of the back contact solar cell and the preparation process.

【技术实现步骤摘要】
一种应用于背面接触太阳电池的双层TiOx结构
本技术属于太阳电池领域，也属于半导体器件领域，涉及硅太阳电池的结构设计。
技术介绍
晶体硅太阳电池占据了当前全球太阳电池产量的大部分份额，其光电转换效率较高、性能稳定、结构简单、易于生产。在过去的十几年内，晶体硅太阳电池的成本不断降低，效率不断提高。目前高效率晶体硅太阳电池组件的效率已经超越20%，未来晶体硅太阳电池将向着更高效率发展。背面接触太阳电池（简称IBC电池）是高效晶体硅太阳电池中的一种。IBC电池通常采用n型硅为光吸收材料，将p型发射区和和n型的扩散接触区放置在电池背面。电池的正面由于无金属栅线，更多太阳光可以进入太阳电池内部。另外电池背面的p型区和n型区可以进行重掺杂，从而提高电池开路电压。目前基于同质结的晶体硅IBC电池最高转换效率达到25.2%。基于IBC电池的高效率，我国《能源技术创新“十三五”规划》明确将IBC电池国产化定为目标，预计在5年内将建成IBC电池25MW示范生产线。由于半导体的光吸收特性，IBC太阳电池中大部分光生载流子产生于电池正面表面附近。相比于常规结构的太阳电池，IBC电池中少数载流子需要传输较长的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于背面接触太阳电池的双层TiOx结构，其特征是在背面接触太阳电池正面硅材料表面形成一层钝化TiOx层，x≈2，在钝化TiOx层之上再形成一层n‑TiOx层；形成背面接触太阳电池正面硅表面‑钝化TiOx层‑n‑TiOx层结构。

【技术特征摘要】
1.一种应用于背面接触太阳电池的双层TiOx结构，其特征是在背面接触太阳电池正面硅材料表面形成一层钝化TiOx层，x≈...

【专利技术属性】
技术研发人员：高超，周浪，黄海宾，岳之浩，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：新型
国别省市：江西,36