背光模组及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种背光模组及液晶显示装置，包括依次层叠设置LED光源310、第一保护层320、量子点发光层330、介质层340及金属线栅层350。本发明专利技术提出的背光模组将蓝光光源以及绿光光光源集成到一个双色LED芯片中，减小LED光源的面积，集成度高成本低。

【技术实现步骤摘要】
背光模组及液晶显示装置
本专利技术涉及液晶显示领域，特别涉及一种背光模组及液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay,简称LCD)，属于平面显示器的一种，广泛应用于电视机、计算机、智能电话、手机、汽车导航装置、电子书等产品中。液晶显示装置具有耗电量低、体积小、辐射低的优点逐渐取代阴极射线管(CathodeRayTube,简称CRT)显示装置。目前为了提高液晶显示器的显示的色域，一般采用高色域的发光二极管(LightEmittingDiode，LED)，该LED一般由蓝光芯片和/或紫外光芯片构成，还可以采用量子点(QuantumDot,QD)作为背光模组的一部分来提高色域。而QD作为背光模组的一部分通常采用量子灯管(QDtube)、量子点膜(QDfilm)或者量子发光二极管(QD-LED)等。其中QDfilm由于具有技术相对成熟、厚度较低等优势成为小尺寸高色域显示面板的优选。在目前的现有技术中，通常独立的多个蓝光芯片、紫外芯片或其组合，配合量子点作为LED背光模组，该实现方式成本高面积大，不利于液晶显示装置向低成本以及超薄方向的发展，降低厂商的市场竞争力以及占有率。
技术实现思路
为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本专利技术提出一种背光模组及液晶显示装置。该背光模组包括依次层叠设置LED光源310、第一保护层320、量子点发光层330、介质层340及金属线栅层350。在本专利技术的一个实施例中，所述LED光源310为双色LED芯片。在本专利技术的一个实施例中，所述双色LED芯片包括衬底层11、蓝光结构、绿光结构、上电极21和下电极22；其中，所述蓝光结构位于所述衬底层11上，所述绿光结构嵌入所述蓝光结构内，所述上电极21分别位于所述蓝光结构和所述绿光结构上，所述下电极22位于所述蓝光结构上。在本专利技术的一个实施例中，所述蓝光结构包括第一GaN缓冲层101、第一GaN稳定层102、第一n型GaN层103、第一有源层104、第一p型AlGaN阻挡层105、第一p型GaN层106，其中，所述第一GaN缓冲层101、所述第一GaN稳定层102、所述第一n型GaN层103、所述第一有源层104、所述第一p型AlGaN阻挡层105、所述第一p型GaN层106依次层叠设置于所述衬底层11上。在本专利技术的一个实施例中，所述绿光结构包括第二GaN缓冲层201、第二GaN稳定层202、第二n型GaN层203、第二有源层204、第二p型AlGaN阻挡层205、第二p型GaN层206、SiO2隔离层12，其中，所述第二GaN缓冲层201的底部位于所述第一GaN稳定层102内，所述第二GaN稳定层202、所述第二n型GaN层203、所述第二有源层204、所述第二p型AlGaN阻挡层205、所述第二p型GaN层206依次层叠设置于所述第二GaN缓冲层201上；以出光方向为向上方向，所述SiO2隔离层12位于所述第二GaN缓冲层201、所述第二GaN稳定层202、所述第二n型GaN层203、所述第二有源层204、所述第二p型AlGaN阻挡层205、所述第二p型GaN层206四周且所述SiO2隔离层12底部位于所述第一GaN稳定层102内。在本专利技术的一个实施例中，所述量子点发光层330为红光量子点发光层。在本专利技术的一个实施例中，所述介质层340为透明介质层且为SiO2、MgO、Si3N4、TiO2、Ta2O5中的任意一种或者多种。在本专利技术的一个实施例中，所述金属线栅层350包括多个金属线351，其中，所述金属线351的周期为20～500nm，高度为100～500nm。在本专利技术的一个实施例中，所述金属线栅层350包括Al、Ag、Au金属中的任意一个或者多个。本专利技术的又一个实施例提出的一种液晶显示装置，包括第一电极板42、液晶分子层43、第二电极板44、彩色光阻层45、上基板层46以及偏光片47，还包括由上述任一实施例所述的背光模组41。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：1.本专利技术提出的背光模组将蓝光光源以及绿光光光源集成到一个双色LED芯片中，减小LED光源的面积，集成度高成本低；2.本专利技术提出的背光模组的LED光源直接设置在量子点的下方，无需导光板，进一步减小了背光模组的厚度，从而降低成本；3.本专利技术提出的背光模组光转换率高，能够在实现LED光源的高色域的特性的同时，提高发光亮度。附图说明下面将结合附图，对本专利技术的具体实施方式进行详细的说明。图1为本专利技术实施例提供的一种背光模组结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种背光模组结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种液晶显示装置结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种双色LED芯片的俯视截面结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种双色LED芯片的侧视截面结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种双色LED芯片的蓝光结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种双色LED芯片的绿光灯芯槽的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种双色LED芯片的蓝光结构和绿光结构的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的另一种双色LED芯片的俯视结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的另一种双色LED芯片的侧视截面结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术做进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例一请参见图1，图1为本专利技术实施例提供的一种背光模组结构示意图。本实施提出一种背光模组，该背光模组包括依次层叠设置LED光源310、第一保护层320、量子点发光层330、介质层340及金属线栅层350。进一步地，所述LED光源310为双色LED芯片。进一步地，所述双色LED芯片包括衬底层11、蓝光结构、绿光结构、上电极21和下电极22；其中，进一步地，所述绿光结构嵌入所述蓝光结构内，所述上电极21分别位于所述蓝光结构和所述绿光结构上，所述下电极22位于所述蓝光结构上。进一步地，所述蓝光结构包括第一GaN缓冲层101、第一GaN稳定层102、第一n型GaN层103、第一有源层104、第一p型AlGaN阻挡层105、第一p型GaN层106，其中，所述第一GaN缓冲层101、所述第一GaN稳定层102、所述第一n型GaN层103、所述第一有源层104、所述第一p型AlGaN阻挡层105、所述第一p型GaN层106依次层叠设置于所述衬底层11上。进一步地，所述绿光结构包括第二GaN缓冲层201、第二GaN稳定层202、第二n型GaN层203、第二有源层204、第二p型AlGaN阻挡层205、第二p型GaN层206、SiO2隔离层12，其中，所述第二GaN缓冲层201的底部位于所述第一GaN稳定层102内，所述第二GaN稳定层202、所述第二n型GaN层203、所述第二有源层204、所述第二p型AlGaN阻挡层205、所述第二p型GaN层206依次层叠设置于所述第二GaN缓冲层201上；以出光方向为向上方向，所述SiO2隔离层12位于所述第二GaN缓冲层201、所述第二GaN稳定层202、所述第二n型GaN层203、所述第二有源层204、所述第二p型AlGaN阻挡层205、所述第二p型GaN层206四周且所述SiO2隔离层12底部位于所述第一GaN稳定层102内。进一步地，所述量子点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背光模组，其特征在于，包括依次层叠设置LED光源(310)、第一保护层(320)、量子点发光层(330)、介质层(340)及金属线栅层(350)。

【技术特征摘要】
1.一种背光模组，其特征在于，包括依次层叠设置LED光源(310)、第一保护层(320)、量子点发光层(330)、介质层(340)及金属线栅层(350)。2.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述LED光源(310)为双色LED芯片。3.根据权利要求2所述的背光模组，其特征在于，所述双色LED芯片包括衬底层(11)、蓝光结构、绿光结构、上电极(21)和下电极(22)；其中，所述蓝光结构位于所述衬底层(11)上，所述绿光结构嵌入所述蓝光结构内，所述上电极(21)分别位于所述蓝光结构和所述绿光结构上，所述下电极(22)位于所述蓝光结构上。4.根据权利要求3所述的背光模组，其特征在于，所述蓝光结构包括第一GaN缓冲层(101)、第一GaN稳定层(102)、第一n型GaN层(103)、第一有源层(104)、第一p型AlGaN阻挡层(105)、第一p型GaN层(106)，其中，所述第一GaN缓冲层(101)、所述第一GaN稳定层(102)、所述第一n型GaN层(103)、所述第一有源层(104)、所述第一p型AlGaN阻挡层(105)、所述第一p型GaN层(106)依次层叠设置于所述衬底层(11)上。5.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述绿光结构包括第二GaN缓冲层(201)、第二GaN稳定层(202)、第二n型GaN层(203)、第二有源层(204)、第二p型AlGaN阻挡层(205)、第二p型GaN层(206)、SiO2隔离层(12)，其中，所述第二GaN缓冲层(201)的底...

【专利技术属性】
技术研发人员：张捷，
申请(专利权)人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61