一种反激式AC‑DC电源嵌位电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种反激式AC‑DC电源嵌位电路，其特征在于：包括输入整流电路、嵌位电路、变压器、开关MOSFET,所述变压器包括初级绕组、次级绕组、励磁电感、漏感绕组，所述初级绕组与励磁电感并联，初级绕组的与漏感绕组串联后与嵌位电路并联，漏感电阻远离初级绕组一端与开关MOSFET相连。本实用新型专利技术有效降低反激式AC‑DC电源的漏感尖峰电压，降低开关MOSFET的电压应力有效保护主开关，降低高频震荡引起的EMI问题。

A flyback AC DC power clamp circuit

The utility model relates to a flyback AC power supply DC clamping circuit, which comprises an input rectifying circuit, clamping circuit, transformer, switch MOSFET, the transformer comprises a primary winding, a secondary winding, excitation inductance, leakage inductance winding, the primary winding and excitation inductance in parallel, primary winding and the leakage inductance of windings are connected in series and parallel clamping circuit, leakage resistance is far from the end of the primary winding is connected with a switch MOSFET. The utility model can effectively reduce the peak voltage of the leakage inductance of the flyback AC DC power supply, reduce the voltage stress of the switch MOSFET the effective protection of the main switch, reduce the EMI problem caused by high frequency oscillation.

【技术实现步骤摘要】
一种反激式AC-DC电源嵌位电路本技术涉及反激式电源
，具体涉及一种反激式AC-DC电源嵌位电路。
技术介绍
反激式AC-DC电源的工作原理是在电源导通期间将能量储存在变压器中，在关断期间再将这些能量传递到输出。反激式变压器由一个磁芯上的两个或多个耦合绕组构成，激磁能量在被传递到次级之前，一直储存在磁芯的串联气隙间。实际上，绕组之间的耦合从不会达到完美匹配，并且不是所有的能量都通过该气隙进行传递。少量的能源储存在绕组内和绕组之间，这部分能量被称为变压器漏感。开关断开后，漏感能量不会传递到次级，而是在变压器初级绕组和开关之间产生高压尖峰。此外，还会在断开的开关和初级绕组的等效电容与变压器的漏感之间，产生高频振铃。如果漏感引起的高压尖峰超过开关器件MOSFET的击穿电压，就会导致其雪崩击穿，引起破坏性故障。此外，漏极节点的高幅振铃还会产生大量EMI噪声。
技术实现思路
为克服所述不足，本技术的目的在于提供一种反激式AC-DC电源嵌位电路，有效降低反激式AC-DC电源的漏感尖峰电压，降低开关MOSFET的电压应力有效保护主开关，降低高频震荡引起的EMI问题。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种反激式AC-DC电源嵌位电路，包括输入整流电路、嵌位电路、变压器、开关MOSFET,所述变压器包括初级绕组、次级绕组、励磁电感、漏感绕组，所述初级绕组与励磁电感并联，初级绕组的与漏感绕组串联后与嵌位电路并联，漏感电阻绕组远离初级绕组一端与开关MOSFET相连。具体地，所述嵌位电路包括电容C1、电阻R1、缓冲二极管D1，电容C1与电阻R1并联后与缓冲二极管D1串联。具体地，所述次级绕组的一端与次级二极管串联，次级二极管主要起输出整流作用。本技术具有以下有益效果：有效降低反激式AC-DC电源的漏感尖峰电压，降低开关MOSFET的电压应力有效保护主开关，降低高频震荡引起的EMI问题。附图说明图1为本技术的电路图。具体实施方式现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。如图1所示的一种反激式AC-DC电源嵌位电路，包括输入整流电路、嵌位电路、变压器、开关MOSFET,所述变压器包括初级绕组、次级绕组、励磁电感、漏感绕组，所述初级绕组与励磁电感并联，初级绕组的与漏感绕组串联后与嵌位电路并联，漏感电阻远离初级绕组一端与开关MOSFET相连。具体地，所述嵌位电路包括电容C1、电阻R1、缓冲二极管D1，电容C1与电阻R1并联后与缓冲二极管D1串联。具体地，所述次级绕组的一端与次级二极管串联，次级二极管主要起输出整流作用。现有技术中嵌位电路用于将MOSFET上的最大电压控制到特定值，一旦MOSFET电压达到阈值，所有额外的漏感能量都会转移到嵌位电路慢慢耗散。其主要缺点是会耗散功率并降低效率。而本技术作所采用嵌位电路设计可有效地平衡效率和EMI产生量。其工作原理是开关MOSFET关断后，次级二极管立即保持反向偏置，励磁电流对漏极电容充电，当初级绕组电压达到由变压器匝数所定义的反射输出电压(VOR)时，次级二极管关断，励磁能量传递到次级；漏感能量继续对变压器和漏极电容充电，直到初级绕组电压等于嵌位电容电压，将由于变压器漏电感Llk与开关MOSFET的输出电容COSS之间的谐振产生的过高电压压制到一个可接受的电平，保护主开关电路；当漏源电压Vds超过Vin+nVout(n为变压器初级绕组跟次侧绕组的匝比)时，嵌位电路通过导通缓冲二极管D1吸收漏电感中的电流；当MOSFET关断并且漏源电压(Vds)被充电至Vin+nVout时，初级电流通过缓冲二极管D1流至电容C1，同时，次级二极管导通。本技术不局限于所述实施方式，任何人应得知在本技术的启示下作出的结构变化，凡是与本技术具有相同或相近的技术方案，均落入本技术的保护范围之内。本技术未详细描述的技术、形状、构造部分均为公知技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反激式AC‑DC电源嵌位电路，其特征在于：包括输入整流电路、嵌位电路、变压器、开关MOSFET,所述变压器包括初级绕组、次级绕组、励磁电感、漏感绕组，所述初级绕组与励磁电感并联，初级绕组的与漏感绕组串联后与嵌位电路并联，漏感电阻远离初级绕组一端与开关MOSFET相连。

【技术特征摘要】
1.一种反激式AC-DC电源嵌位电路，其特征在于：包括输入整流电路、嵌位电路、变压器、开关MOSFET,所述变压器包括初级绕组、次级绕组、励磁电感、漏感绕组，所述初级绕组与励磁电感并联，初级绕组的与漏感绕组串联后与嵌位电路并联，漏感电阻远离初级绕组一端与开关MOSFET相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：李萌，张廷银，徐成焱，刘猛，戴晓龙，
申请(专利权)人：山东超越数控电子有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37