抗雷击晶片型保护元件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗雷击晶片型保护元件，包括上盖板、下盖板、夹于上盖板和下盖板之间的承载板、两根熔丝；所述承载板中间设有横向延伸的隔挡板，用于阻隔两根熔丝爆破时冲击力的相互影响，由隔挡板将保护元件内分割为两个空腔，依然可以达到熔丝悬空的效果，在微小体积内大幅提升保护元件的抗雷击浪涌能力及分断能力。

Anti lightning chip type protection element

The utility model discloses a wafer type anti lightning protection components, including the upper cover and the lower cover plate, the cover plate and the cover plate sandwiched between the bearing plate and two fuse; the bearing baffle plate is arranged in the middle of the lateral extension, for the mutual influence of two fuse blasting impact barrier, by the baffle the protection element is divided into two cavities, can still reach the fuse hanging effect, greatly enhance the protection against lightning surge capacity element and breaking capacity within a small volume.

【技术实现步骤摘要】
抗雷击晶片型保护元件
本技术涉及一种保护元件，特别是一种体积微小、抗雷击浪涌能力强的晶片型保护元件。
技术介绍
保护元件目前被广泛应用于电子产品电路板上提供过电流保护，随着电子产品不断多功能化以及小型化，对其中电路板上的各个电子元件也提出了小型化、薄型化以及安全性能高的要求。在微小的体积内还需要同时提高保护元件的抗浪涌能力，中国专利201110428907.4提供了一种悬空熔丝型表面贴装式熔断器，在中间空腔板的上下分别布置一条熔丝，两条熔丝并联可以提高保护元件的抗浪涌能力，熔丝悬空的设计能够保证保护元件的分断能力。但是以上现有技术均存在一个问题，保护元件内的空腔是整个相通的，上下两根熔丝之间没有隔挡，分断测试时，其中一根熔丝爆裂产生的冲击力会冲断另一根熔丝，导致分断能力提升并不明显，并且如果上面的一根熔丝先熔断，滴落的金属液体会脏污下面的一根熔丝。综上所述，需要一种新的技术方案以解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种抗雷击晶片型保护元件，能够在采用并联熔丝的方案时使两根并联的熔丝在熔断时不会互相影响，以提高保护元件的抗雷击浪涌能力及分断能力。为达到上述目的，本技术提供的一种抗雷击晶片型保护元件可采用如下技术方案：一种抗雷击晶片型保护元件，包括上盖板、下盖板、夹于上盖板和下盖板之间的承载板、承载于承载板上表面的上熔丝、承载于承载板下表面的下熔丝；所述承载板中间设有横向延伸的隔挡板，所述承载板中间位置自上表面向下凹设有上凹槽，承载板中间位置自下表面向上凹设有下凹槽，隔挡板将上凹槽及下凹槽隔为各自独立的空间，所述上熔丝的中间部分悬空在上凹槽中，下熔丝的中间部分悬空在下凹槽中。有益效果：相对于现有技术，本技术的抗雷击晶片型保护元件在两根熔丝之间的空腔中设置隔挡板，用于阻隔两根熔丝爆破时冲击力的相互影响，由隔挡板将保护元件内分割为两个空腔，依然可以达到熔丝悬空的效果，在微小体积内大幅提升保护元件的抗雷击浪涌能力及分断能力。所述上盖板的两端开设有上盲孔，且上盲孔的底部为承载板的上表面，所述上熔丝的两端分别暴露在上盲孔中；所述下盖板的两端开设有下盲孔，且下盲孔的顶面为承载板的下表面，所述下熔丝的两端分别暴露在下盲孔中。进一步的，所述上盲孔及下盲孔均为三角形盲孔，且三角形的尖端朝向保护元件的中心。其中，三角形的顶端(朝向保护元件中心的一端)产生尖端效应，在顶端处电镀层较厚，此处是电镀层与熔丝结合的关键部位，较厚的电镀层使电极和熔丝电连接更好。进一步的，所述上盲孔的内侧面为上电极面；所述下盲孔的内侧面为下电极面，所述上盖板的两侧上表面、上电极面、承载板的端面、下盖板的两侧下表面、下电极面均铺设有电镀层。电镀层能够与熔丝形成良好电连接。进一步的，所述上熔丝及下熔丝中的一个为快断型熔丝，另一个为慢断型熔丝，快断型熔丝的有效内阻比慢断型熔丝的有效内阻大。采用两种类型的熔丝的优点是，保护元件正常在电路中运行的时候，电流优选从慢断性熔丝通过，很少量的电流从快断型熔丝上通过，但是保护元件承受雷击浪涌的时候两根熔丝同时分担，当经受了足够次数的浪涌冲击后，快断型的一根熔丝老化程度高，先熔断，此时保护元件并没有断开，电流仍然从慢断的一根熔丝经过，保护元件还可以继续使用一段时间，增加了保护元件的使用寿命。进一步的，所述上凹槽及下凹槽中均填充有灭弧材料。进一步的，所述承载板的上表面两端设有收容上熔丝的上埋线槽，承载板的下表面两端设有收容下熔丝的下埋线槽。进一步的，所述上熔丝具有两条，所述下熔丝具有两条，所述两条上熔丝与两条下熔丝之间设有横向延伸的隔挡板；所述两条熔丝之间设有一个纵向延伸的上隔挡板，所述两条下熔丝之间设有一个纵向延伸的下隔挡板。该增加的技术方案给出了当上熔丝、下熔丝具有多条时，通过增加纵向延伸的上隔挡板、下隔挡板的方式，使每条熔丝均互相隔离，以减小多条熔丝的设置时，熔丝爆破时冲击力的相互影响。进一步的，所述上隔挡板自上盖板的下表面向下延伸出；所述下隔挡板自下盖板的上表面向上延伸出。而本技术还提供了另一种抗雷击晶片型保护元件可采用如下技术方案：一种抗雷击晶片型保护元件，包括上盖板、下盖板、夹于上盖板和下盖板之间的承载板组、上熔丝、下熔丝；所述承载板组设有位于中间的隔挡板、位于隔挡板上的第一上承载板、位于第一上承载板上的第二上承载板、位于隔挡板下的第一下承载板、位于第一下承载板下的第二下承载板，所述第二上承载板夹于上盖板及第一上承载板之间，第二下承载板夹于下盖板及第一下承载板之间；所述第一上承载板中间设有中空的第一开口，第二上承载板中间设有与第一开口连通的中空的第二开口，第一下承载板中间设有中空的第三开口，第二下承载板中间设有与第三开口连通的中空的第四开口；所述上熔丝夹在第一上承载板与第二上承载板中间，且上熔丝的中间部分悬空在第一开口和第二开口中间；所述下熔丝夹在第一下承载板与第二下承载板中间，且下熔丝的中间部分悬空在第三开口和第四开口中间。有益效果：相对于现有技术，本技术的抗雷击晶片型保护元件在两根熔丝之间的空腔中设置隔挡板，用于阻隔两根熔丝爆破时冲击力的相互影响，由隔挡板将保护元件内分割为两个空腔，依然可以达到熔丝悬空的效果，在微小体积内大幅提升保护元件的抗雷击浪涌能力及分断能力。进一步的，所述上盖板与第二上承载板的两端共同开设有上盲孔，且上盲孔的底部为第一上承载板的上表面，所述上熔丝的两端分别暴露在上盲孔中；所述下盖板与第二下承载板的两端共同开设有下盲孔，且下盲孔的顶面为承载板的下表面，所述下熔丝的两端分别暴露在下盲孔中。进一步的，所述上盲孔及下盲孔均为三角形盲孔，且三角形的尖端朝向保护元件的中心。进一步的，所述上盲孔的内侧面为上电极面；所述下盲孔的内侧面为下电极面，所述上盖板的两侧上表面、上电极面、第一上承载板的端面、下盖板的两侧下表面、下电极面、第一下承载板的端面、隔挡板的端面均铺设有电镀层。进一步的，所述上熔丝及下熔丝中的一个为快断型熔丝，另一个为慢断型熔丝，即快断型熔丝在快断型熔丝线径相对于慢断型熔丝比较细，快断型熔丝的有效内阻比慢断型熔丝的有效内阻大。附图说明图1为本技术中实心盖板的示意图。图2为本技术第一实施例承载板的示意图。图3为本技术第一实施例保护元件的立体示意图。图4为本技术第二实施例中上、下盖板阵列示意图。图5为本技术第二实施例中承载板阵列示意图。图6为本技术第三实施例空腔板的示意图。图7为本技术第三实施例保护元件的立体示意图。图8为本技术第四实施例保护元件的立体示意图。图9为本技术第四实施例中承载板的示意图。图10为本技术第四实施例中上、下盖板和承载板的示意图。具体实施方式为了说明本技术技术方案及技术目的，下面结合附图和实施例对本技术产品做详细地描述。实施例一：请结合图1至图3，实施例一公开的一种抗雷击晶片型保护元件，包括：(1)上盖板11：如图1所示为一实心平板。(2)承载板2：如图2所示，中部加工出上下贯通的开口5，通孔的形状可为圆形、椭圆形、方形或者已上形状的组合等适宜加工的形状；承载板的上下两面均设置有埋线槽4，埋线槽设置在通孔两侧、连通通孔与承载板外侧边的凹槽；承载板的通孔在厚度方向的中间设置有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗雷击晶片型保护元件，其特征在于：包括上盖板、下盖板、夹于上盖板和下盖板之间的承载板、承载于承载板上表面的上熔丝、承载于承载板下表面的下熔丝；所述承载板中间设有横向延伸的隔挡板，所述承载板中间位置自上表面向下凹设有上凹槽，承载板中间位置自下表面向上凹设有下凹槽，隔挡板将上凹槽及下凹槽隔为各自独立的空间，所述上熔丝的中间部分悬空在上凹槽中，下熔丝的中间部分悬空在下凹槽中。

【技术特征摘要】
1.一种抗雷击晶片型保护元件，其特征在于：包括上盖板、下盖板、夹于上盖板和下盖板之间的承载板、承载于承载板上表面的上熔丝、承载于承载板下表面的下熔丝；所述承载板中间设有横向延伸的隔挡板，所述承载板中间位置自上表面向下凹设有上凹槽，承载板中间位置自下表面向上凹设有下凹槽，隔挡板将上凹槽及下凹槽隔为各自独立的空间，所述上熔丝的中间部分悬空在上凹槽中，下熔丝的中间部分悬空在下凹槽中。2.根据权利要求1所述的抗雷击晶片型保护元件，其特征在于：所述上盖板的两端开设有上盲孔，且上盲孔的底部为承载板的上表面，所述上熔丝的两端分别暴露在上盲孔中；所述下盖板的两端开设有下盲孔，且下盲孔的顶面为承载板的下表面，所述下熔丝的两端分别暴露在下盲孔中。3.根据权利要求2所述的抗雷击晶片型保护元件，其特征在于：所述上盲孔及下盲孔均为三角形盲孔，且三角形的尖端朝向保护元件的中心。4.根据权利要求2或3所述的抗雷击晶片型保护元件，其特征在于：所述上盲孔的内侧面为上电极面；所述下盲孔的内侧面为下电极面，所述上盖板的两侧上表面、上电极面、承载板的端面、下盖板的两侧下表面、下电极面均铺设有电镀层。5.根据权利要求1所述的抗雷击晶片型保护元件，其特征在于：所述上熔丝及下熔丝中的一个为快断型熔丝，另一个为慢断型熔丝，快断型熔丝的有效内阻比慢断型熔丝的有效内阻大。6.根据权利要求1所述的抗雷击晶片型保护元件，其特征在于：所述上凹槽及下凹槽中均填充有灭弧材料。7.根据权利要求1所述的抗雷击晶片型保护元件，其特征在于：所述承载板的上表面两端设有收容上熔丝的上埋线槽，承载板的下表面两端设有收容下熔丝的下埋线槽。8.根据权利要求1所述的抗雷击晶片型保护元件，其特征在于：所述上熔丝具有两条，所述下熔丝具有两条，所述两条上熔丝与两条下熔丝之间设有横向延伸的隔挡板；所述两条上熔丝之间设有一个纵向延伸的上隔挡板，所述两条下熔丝之间设有一个纵向延伸的下隔挡板。9.根据权利要求8所述的抗雷击晶片型保护元件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：南式荣，艾莹露，王中甲，
申请(专利权)人：南京萨特科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32