The utility model relates to a one-way hysteresis Schmidt trigger, including the first PMOS pipe, NMOS pipe, the first second PMOS tube, second NMOS tube and PMOS tube third: the input voltage of the first PMOS tube and NMOS tube first determines the value of high threshold voltage level for the electric trigger by Schmidt; the first PMOS tube, NMOS tube and PMOS tube second first determines the Schmidt trigger low threshold voltage, namely Schmidt trigger hysteresis voltage; second NMOS and third PMOS tube tube inverter characteristics to reduce parasitic capacitance accelerate reverse hysteresis. The Schmidt flip-flop with one-way hysteresis is simple, the number of pipes used is small, and the area occupied is small.
【技术实现步骤摘要】
一种具有单向迟滞性的施密特触发器
本技术属于集成电路的触发器
,涉及一种触发器,尤其是一种具有单向迟滞性的施密特触发器。
技术介绍
在集成电路设计中,面积直接关系到成本的高低,设计的管子少就会使得面积减小,成本降低。如图1所示,是现有技术中的施密特触发器,有三个PMOS管和三个NMOS管总共6个管子组成;PMOS管11和PMOS管12、NMOS管14和NMOS管15决定的输入IN电压的中间值;NMOS管16的宽长比的增大使高电平的阈值电压增大;PMOS管13的宽长比的减小使低电平的阈值电压减小。该施密特触发器的缺点是管子参数与阈值电压关系复杂,双向迟滞特性难于设计与控制,并且所用管子数目较多;因此根据电路的实际需求可以设计更为简洁,易于设计和控制的具有单向迟滞性的施密特触发器。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的缺点,提供一种具有单向迟滞性的施密特触发器,其参数简单,所用管子数量少,能够减小寄生电容加快反向迟滞的特性。本技术的目的是通过以下技术方案来解决的:这种具有单向迟滞性的施密特触发器,其特征在于,包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和第三PMOS管:所述第一PMOS管和第一NMOS管决定的输入电压值为所述施密特触发器的高电平的阈值电压;由所述第一PMOS管、第一NMOS管和第二PMOS管决定所述施密特触发器的低电平的阈值电压,即所述施密特触发器的迟滞电压;所述第二NMOS管和第三PMOS管组成反相器用以减小寄生电容加快反向迟滞的特性。进一步的,上述第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极连接后接输入IN;第 ...
【技术保护点】
一种具有单向迟滞性的施密特触发器,其特征在于,包括第一PMOS管(21)、第一NMOS管(22)、第二PMOS管(23)、第二NMOS管(24)和第三PMOS管(25):所述第一PMOS管(21)和第一NMOS管(22)决定的输入电压值为所述施密特触发器的高电平的阈值电压;由所述第一PMOS管(21)、第一NMOS管(22)和第二PMOS管(23)决定所述施密特触发器的低电平的阈值电压,即所述施密特触发器的迟滞电压;所述第二NMOS管(24)和第三PMOS管(25)组成反相器用以减小寄生电容加快反向迟滞的特性。
【技术特征摘要】
1.一种具有单向迟滞性的施密特触发器,其特征在于,包括第一PMOS管(21)、第一NMOS管(22)、第二PMOS管(23)、第二NMOS管(24)和第三PMOS管(25):所述第一PMOS管(21)和第一NMOS管(22)决定的输入电压值为所述施密特触发器的高电平的阈值电压;由所述第一PMOS管(21)、第一NMOS管(22)和第二PMOS管(23)决定所述施密特触发器的低电平的阈值电压,即所述施密特触发器的迟滞电压;所述第二NMOS管(24)和第三PMOS管(25)组成反相器用以减小寄生电容加快反向迟滞的特性。2.根据权利要求1所述的具有单向迟滞性的施密特触发器,其特征在于,所述第一PMOS管(21)的栅极和第一NMOS管(22)的栅极连接后接输入IN;第一PMOS管(21)的源极接电源VDD;第一PMOS管(21...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜言武,赵如月,邓超,代国定,
申请(专利权)人:西安电子科技大学,
类型:新型
国别省市:陕西,61
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