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本实用新型涉及一种具有单向迟滞性的施密特触发器，包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和第三PMOS管：所述第一PMOS管和第一NMOS管决定的输入电压值为所述施密特触发器的高电平的阈值电压；由所述第一PMOS管...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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