The invention provides a visible blind UV detector element and array, the visible blind UV detector unit includes: a substrate oxide, the band gap of the oxide substrate is 3 ~ 5 EV; in the oxide substrate on the surface of the first electrode and the second electrode, the second electrode has a through hole. The visible blind ultraviolet detector unit of the present invention may be a metal, graphite, or other conductive material. The visible blind ultraviolet detector array of the present invention comprises a plurality of visible blind ultraviolet photodetector units, and the second electrodes of the plurality of visible blind ultraviolet photodetector units are electrically connected to form a network structure. Therefore, the blind UV detector array can detect, image and track targets in visible and infrared light environments.
【技术实现步骤摘要】
可见盲紫外光探测器单元及阵列
本专利技术涉及紫外光探测器领域,具体涉及可见盲紫外光探测器。
技术介绍
由于可见盲紫外光探测器不受可见光和红外光的干扰,使其能在可见光和红外光环境中对紫外光进行探测,因而在科研、军事和国防等领域具有非常重要和广泛的应用。本专利专利技术人已报道了上升时间达纳秒和皮秒的快响应钙钛矿氧化物单晶的可见盲紫外光探测器,例如文献1:J.Xing等,OpticsLetters,Vol.32,No.17,2526(2007);文献2:KunZhao等,Appl.Phys.Lett.,89,173507(2006);中国专利申请号201010107349.7和中国专利申请号200510082702.X公开了几种紫外光探测器。但到目前为止,可见盲的紫外光探测器还很有限,灵敏度还不能满足实用的要求,可见盲的紫外光线列和面阵探测器还未见报道。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的上述技术问题,本专利技术的实施例提供了一种可见盲紫外光探测器单元,包括:氧化物基片,所述氧化物基片的禁带宽度为3~5电子伏特;设在所述氧化物基片的表面上的第一电极和第二电极,所述第二电极具有通孔。优选的,所述第一电极和第二电极设置在所述氧化物基片的同一侧,且所述第一电极位于所述第二电极的通孔中。优选的,所述第一电极位于所述第二电极的通孔的中心。优选的,所述第一电极和第二电极也可分别设置在所述氧化物基片的相对两侧。优选的,所述第一电极和第二电极的中心轴在同一直线上,且垂直所述氧化物基片的表面。优选的,所述第二电极的通孔是圆孔、方形孔或多边形孔。优选的,所述第一电极是圆形或多边形。优 ...
【技术保护点】
一种可见盲紫外光探测器单元,其特征在于,包括:氧化物基片,所述氧化物基片的禁带宽度为3~5电子伏特;设在所述氧化物基片的表面上的第一电极和第二电极,所述第二电极具有通孔。
【技术特征摘要】
1.一种可见盲紫外光探测器单元,其特征在于,包括:氧化物基片,所述氧化物基片的禁带宽度为3~5电子伏特;设在所述氧化物基片的表面上的第一电极和第二电极,所述第二电极具有通孔。2.根据权利要求1所述的可见盲紫外光探测器单元,其特征在于,所述第一电极和第二电极设置在所述氧化物基片的同一侧,且所述第一电极位于所述第二电极的通孔中。3.根据权利要求2所述的可见盲紫外光探测器单元,其特征在于,所述第一电极位于所述第二电极的通孔的中心。4.根据权利要求1所述的可见盲紫外光探测器单元,其特征在于,所述第一电极和第二电极分别设置在所述氧化物基片的相对两侧。5.根据权利要求4所述的可见盲紫外光探测器单元,其特征在于,所述第一电极和第二电极的中心轴在同一直线上,且垂直所述氧化物基片的表面。6.根据权利要求1-5中任一项所述的可见盲紫外光探测器单元,其特征在于,所述第二电极的通孔是圆孔或方形孔。7.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕惠宾,葛琛,郭海中,金奎娟,杨国桢,
申请(专利权)人:中国科学院物理研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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