【技术实现步骤摘要】
触摸屏集成型显示装置及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求享有于2015年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2015-0191838的优先权,为了所有目的通过参考将该专利申请结合在此,如同在此完全阐述一样。
本专利技术涉及一种触摸屏集成型显示装置及其制造方法。
技术介绍
随着信息导向社会的发展,对显示图像的显示装置的各种需求逐渐增加。近来,已使用各种显示装置,比如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置或有机发光显示(OLED)装置。这些显示装置取消了诸如按键、键盘和鼠标之类的传统输入系统,提供了基于触摸的输入方法,基于触摸的输入方法使用户直观且方便地输入信息或指令。为了提供这种基于触摸的输入系统,需要识别用户的触摸或非触摸并精确地检测触摸坐标。为此,根据相关技术,采用诸如电阻膜模式、电容模式、电磁感应模式、红外模式和超声波模式之类的各种触摸模式之一来提供触摸感测。此外,对于触摸屏对显示装置的应用来说,已开发了将触摸传感器安装在显示装置内的技术。特别是,已开发了使用形成在下基板上的公共电极作为触摸电极的内嵌式(in-celltype)显示装置。然而,在内嵌式显示装置中,需要形成连接至触摸电极的分开的触摸感测线,这需要具有高制造成本和长制造时间的额外工艺。
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供了一种触摸屏集成型显示装置及制造该触摸屏集成型显示装置的方法,其中薄膜晶体管以Z字形设置在数据线的左侧和右侧上的子像素中。因而,能够减少显示面板上设置的数据线的数量。此外,本专利技术的另一个方面提供了一种触摸屏集成型显示装置及制造该触摸屏集成型显示 ...
【技术保护点】
一种触摸屏集成型显示装置,包括:在第一方向上设置于基板上的多条栅极线;在第二方向上设置于所述基板上的多条数据线;与所述数据线平行且交替地设置于所述基板上的触摸感测线;由所述栅极线、所述数据线和所述触摸感测线限定的多个子像素区域;设置在每个子像素区域中并且连接至所述栅极线的栅极电极;位于所述栅极电极上的有源层;位于所述有源层上的源极电极和漏极电极;位于所述栅极电极与所述有源层之间的栅极绝缘体;位于所述漏极电极和所述栅极绝缘体上的像素电极;和设置在所述栅极绝缘体上并且连接至所述触摸感测线的感测接触部,其中所述感测接触部包括第一感测接触图案和第二感测接触图案,并且所述第二感测接触图案由与所述像素电极相同的材料形成。
【技术特征摘要】
2015.12.31 KR 10-2015-01918381.一种触摸屏集成型显示装置,包括:在第一方向上设置于基板上的多条栅极线;在第二方向上设置于所述基板上的多条数据线;与所述数据线平行且交替地设置于所述基板上的触摸感测线;由所述栅极线、所述数据线和所述触摸感测线限定的多个子像素区域;设置在每个子像素区域中并且连接至所述栅极线的栅极电极;位于所述栅极电极上的有源层;位于所述有源层上的源极电极和漏极电极;位于所述栅极电极与所述有源层之间的栅极绝缘体;位于所述漏极电极和所述栅极绝缘体上的像素电极;和设置在所述栅极绝缘体上并且连接至所述触摸感测线的感测接触部,其中所述感测接触部包括第一感测接触图案和第二感测接触图案,并且所述第二感测接触图案由与所述像素电极相同的材料形成。2.根据权利要求1所述的触摸屏集成型显示装置,还包括:保护层,所述保护层设置在所述栅极绝缘体上并且包括位于所述感测接触部上的接触孔。3.根据权利要求2所述的触摸屏集成型显示装置,还包括:公共电极,所述公共电极设置在所述保护层上并且通过所述接触孔与所述感测接触部接触。4.根据权利要求3所述的触摸屏集成型显示装置,其中所述公共电极在子像素区域中形成为多个狭缝图案。5.根据权利要求1所述的触摸屏集成型显示装置,其中设置在每个子像素中的像素电极与所述漏极电极直接接触。6.根据权利要求1所述的触摸屏集成型显示装置,其中在所述第一方向上彼此相邻设置的子像素之间,所述栅极线设置为彼此相邻的一对第一栅极线和第二栅极线。7.根据权利要求1所述的触摸屏集成型显示装置,其中一条数据线与彼此相邻的第一栅极线和第二栅极线交叉,在所述第一栅极线与所述一条数据线之间的交叉部分中和所述第二栅极线与所述一条数据线之间的交叉部分中分别布置有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管以Z字形式布置在所述一条数据线的左侧和右侧。8.根据权利要求7所述的触摸屏集成型显示装置,其中在所述触摸感测线与所述第一栅极线之间的交叉部分处设置有第一弯曲部,并且所述第二栅极线包括与所述第一弯曲部面对的第二弯曲部,所述第一弯曲部和所述第二弯曲部的每一个与相应薄膜晶体管的漏极电极的一部分交叠。9.根据权利要求8所述的触摸屏集成型显示装置,其中所述感测接触部通过延伸所述触摸感测线的一部分而形成并且设置在所述第一弯曲部与所述第二弯曲部之间。10.一种制造触摸屏集成型显示装置的方法,所述方法包括:通过第一掩模工艺在基板上形成栅极电极;通过第二掩模工艺,在上面形成有所述栅极电极的基板上形成栅极绝缘体,在所述栅极绝缘体上形成半导体层和源极/...
【专利技术属性】
技术研发人员:田尹具,李婁多,金宗焕,
申请(专利权)人:乐金显示有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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