The invention discloses a P type double sided PERC solar cell, including the main gate, silver aluminum gate line, on the back of the silicon nitride film, alumina film, back type P and N type silicon emitter, positive silicon nitride film and a positive silver electrode; the backside silicon nitride film, alumina film, P type silicon back N type emitter, positive silicon nitride film and a positive silver electrode are stacked sequentially connected from the first; the back of silicon nitride film and back alumina film after laser slot is formed with a plurality of laser slotted area, Laser Grooving area including aluminum gate slot region along the aluminum gate line printed circuit slot, each aluminum gate slot region set in at least 1 sets of laser slotting unit, connected to the gate line through the slot region of aluminum aluminum gate and P type silicon; the aluminum gate line and the back silver main gate is vertically connected; the spacing between the aluminum gate line is not equal. The invention also discloses a P type PERC double sided solar energy component and system. The invention can absorb sunlight both sides, enlarge the application range of the solar cell and improve the photoelectric conversion efficiency.
【技术实现步骤摘要】
P型PERC双面太阳能电池、组件和系统
本专利技术涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种P型PERC双面太阳能电池;本专利技术还涉及一种P型PERC双面太阳能电池、组件和系统。
技术介绍
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能,利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,当太阳光照在半导体P-N结上,形成新的空穴-电子对,在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术,在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅膜,降低少子在前表面的复合速率,可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流,从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。随着对晶硅电池的光电转换效率的要求越来越高,人们开始研究PERC背钝化太阳电池技术。目前业界主流厂家的焦点集中在单面PERC太阳能电池的量产,而P型PERC双面太阳能电池,由于光电转换效率高,同时双面吸收太阳光,发电量更高,在实际应用中具有更大的使用价值。但是,目前P型PERC双面太阳能电池也仅仅是一些研究机构在实验室做的研究,如何将P型PERC双面太阳能电池的结构进行优化从而适应大批量生产,有待本领域技术人员进一步探讨和研究。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于,提供一种P型PERC双面太阳能电池,可双面吸收太阳光,扩大太阳能电池的应用范围和提高光电转换效率。本专利技术所要解决的技术问题在于,提供一种P型PERC双面太阳能电池、组件和系统,可双面吸收太阳光,扩大太阳能电池的应用范围和提高光电转换效率。为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种P型PERC双面太 ...
【技术保护点】
一种P型PERC双面太阳能电池,其特征在于,包括背银主栅、铝栅线、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极;所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极从下至上依次层叠连接;所述背面氮化硅膜和背面氧化铝膜经过激光开槽后形成若干个激光开槽区,激光开槽区包括沿铝栅线印刷线路开槽的铝栅开槽区,每个铝栅开槽区内设置至少1组激光开槽单元,所述铝栅线通过铝栅开槽区与P型硅相连;所述铝栅线与背银主栅垂直连接;所述铝栅线之间的间距不相等。
【技术特征摘要】
1.一种P型PERC双面太阳能电池,其特征在于,包括背银主栅、铝栅线、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极;所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极从下至上依次层叠连接;所述背面氮化硅膜和背面氧化铝膜经过激光开槽后形成若干个激光开槽区,激光开槽区包括沿铝栅线印刷线路开槽的铝栅开槽区,每个铝栅开槽区内设置至少1组激光开槽单元,所述铝栅线通过铝栅开槽区与P型硅相连;所述铝栅线与背银主栅垂直连接;所述铝栅线之间的间距不相等。2.如权利要求1所述P型PERC双面太阳能电池,其特征在于,还包括栅线脊骨,栅线脊骨设置在铝栅线上,所述栅线脊骨与背铝栅线连接;所述栅线脊骨的图案为一条连续的直线或多个线段组成的虚线;所述栅线脊骨的根数为1-20条;所述栅线脊骨由银浆制成,其宽度为30-60微米;或,所述栅线脊骨由铝浆制成,其宽度为50-500微米。3.如权利要求2所述P型PERC双面太阳能电池,其特征在于,所述激光开槽区还包括沿栅线脊骨印刷线路开槽的脊骨开槽区,每个脊骨开槽区内设置至少1组激光开槽单元,所述栅线脊骨通过脊骨开槽区与P型硅相连。4.如权利要求1所述P型PERC双面太阳能电池,其特征在于,还包括铝栅外框,所述铝栅外框为四方边框,铝栅外框分别与铝栅线和背银主栅的端点连接;所述铝栅外框的每条边框的宽度为30-1000μm。5.如权利要求4所述P型PERC双面太阳能电池,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:方结彬,何达能,陈刚,
申请(专利权)人:广东爱康太阳能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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