有机发光二极管显示器及其驱动方法技术

讨论了一种有机发光二极管显示器及其驱动方法。该有机发光二极管显示器包括：显示面板，其包括多个像素，各个像素包括有机发光二极管，各个像素的发射定时响应于EM信号而被控制；移位寄存器，其基于选通移位时钟来生成反相EM信号；以及反相器，其基于发射移位时钟来使所述反相EM信号的相位反转以生成所述EM信号。在低速驱动模式下所述移位寄存器的驱动频率和所述反相器的驱动频率比在正常驱动模式下低。在所述低速驱动模式下，所述发射移位时钟的振幅小于所述选通移位时钟的振幅。

Organic light emitting diode display and driving method thereof

An organic light emitting diode display and its driving method are discussed. The organic light emitting diode display includes: a display panel which includes a plurality of pixels, each pixel comprising an organic light emitting diode, in response to the EM signal timing is controlled in each pixel emission; shift register, its strobe clock is generated based on a reversed-phase EM signal; and an inverter, which is based on the launch phase reversal to the clock shift reversed phase EM signal to generate the EM signal. In the low speed drive mode, the driving frequency of the shift register and the driving frequency of the inverter are lower than that in the normal driving mode. In the low speed drive mode, the amplitude of the transmit shift clock is less than the amplitude of the strobe shift clock.

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示器及其驱动方法
本公开涉及一种能够低速驱动的有机发光二极管(OLED)显示器及其驱动方法。
技术介绍
有源矩阵OLED显示器包括本身能够发射光的有机发光二极管(OLED)，并且具有快速响应时间、高发射效率、高亮度和宽视角的优点。各个OLED包括阳极电极、阴极电极以及在阳极电极与阴极电极之间的有机化合物层。有机化合物层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。当对阳极电极和阴极电极施加驱动电压时，穿过空穴传输层HTL的空穴和穿过电子传输层ETL的电子向发射层EML移动并且形成激子。结果，发射层EML生成可见光。为了在OLED显示器的输入图像存在较小改变时降低OLED显示器的功耗，已知有一种以低速来驱动像素的技术。由于在低速驱动期间显示数据的刷新周期延长，所以OLED显示器的图像质量可能降低。图像质量的降低的主要原因是因为在低速驱动中发射控制信号的电压电平在数据保持周期期间改变。更具体地讲，OLED显示器通过发射控制信号来控制像素的发射，发射控制信号由发射驱动器生成。发射驱动器可直接形成在显示面板的非显示区域(即，边框区域)中。发射驱动器包括：移位寄存器，其生成反相发射控制信号；以及反相器，其使反相发射控制信号的相位反转并且生成发射控制信号。用于输出反相发射控制信号的移位寄存器的输出线连接至反相器的输入端子。在这种情况下，移位寄存器的输出线被设置为与反相器的时钟线交叉，以便防止归因于发射驱动器的边框区域的尺寸增大。至少一个绝缘层被设置在移位寄存器的输出线与反相器的时钟线之间。因此，移位寄存器的输出线和反相器的时钟线通过寄生电容器彼此连接。如图1所示，在低速驱动中在数据保持周期期间由于通过寄生电容器的发射移位时钟的影响，在施加于移位寄存器的输出线的反相发射控制信号EMB中生成波纹。所述波纹使包括在反相器中的一些开关的截止特性降低，因此使从反相器输出的发射控制信号EM的电压电平下降。发射控制信号EM的电压电平的降低改变了施加于像素的OLED的电流的量，从而导致亮度下降。
技术实现思路
本公开提供了一种能够在低速驱动期间通过使发射控制信号的电压的改变最小化来防止图像质量降低的有机发光二极管(OLED)显示器及其驱动方法。在一个方面，提供了一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：显示面板，其包括多个像素，各个像素包括有机发光二极管；移位寄存器，其被配置为基于施加于该移位寄存器的选通移位时钟来生成反相发射控制(EM)信号；以及反相器，其被配置为基于施加于该反相器的发射移位时钟使所述反相EM信号的相位反转并且生成EM信号，其中，各个像素的发射定时响应于所述EM信号而被控制，其中，所述移位寄存器的驱动频率和所述反相器的驱动频率在低速驱动模式下比在正常驱动模式下低，并且其中，在所述低速驱动模式下，所述发射移位时钟的振幅小于所述选通移位时钟的振幅。所述移位寄存器通过输出线将所述反相EM信号供应给所述反相器的输入节点。所述反相器包括波纹抑制电容器，该波纹抑制电容器连接在所述输入节点与选通低电压的输入端子之间并且抑制所述反相EM信号上负载的波纹。在所述低速驱动模式下，所述选通移位时钟在选通高电压和选通低电压之间摇摆，所述发射移位时钟在所述选通高电压和第一选通低电压之间摇摆，所述第一选通低电压的电平大于所述选通低电压的电平。在所述低速驱动模式下，所述选通移位时钟在选通高电压和选通低电压之间摇摆，所述发射移位时钟在第一选通高电压和所述选通低电压之间摇摆，并且所述第一选通高电压的电平小于所述选通高电压的电平。在另一方面，提供了一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：显示面板，其包括多个像素，各个像素包括有机发光二极管；移位寄存器，其被配置为基于施加于该移位寄存器的选通移位时钟来生成反相发射控制(EM)信号；以及反相器，其被配置为基于施加于该反相器的发射移位时钟使所述反相EM信号的相位反转并且生成EM信号，其中，各个像素的发射定时响应于所述EM信号而被控制，其中，所述移位寄存器通过输出线将所述反相EM信号供应给所述反相器的输入节点，并且其中，所述反相器包括波纹抑制电容器，该波纹抑制电容器连接在所述输入节点与选通低电压的输入端子之间并且抑制所述反相EM信号上负载的波纹。在另一方面，提供了一种驱动有机发光二极管显示器的方法，该有机发光二极管显示器包括具有多个像素的显示面板，各个像素包括有机发光二极管，所述方法包括以下步骤：控制移位寄存器的操作以基于施加于该移位寄存器的选通移位时钟来生成反相发射控制(EM)信号；以及控制反相器的操作以基于施加于该反相器的发射移位时钟使所述反相EM信号的相位反转并且生成EM信号，其中，各个像素的发射定时响应于所述EM信号而被控制，其中，所述移位寄存器的驱动频率和所述反相器的驱动频率在低速驱动模式下比在正常驱动模式下低，并且其中，在所述低速驱动模式下，所述发射移位时钟的振幅小于所述选通移位时钟的振幅。在另一方面，提供了一种驱动有机发光二极管显示器的方法，该有机发光二极管显示器包括具有多个像素的显示面板，各个像素包括有机发光二极管，所述方法包括以下步骤：控制移位寄存器的操作以基于施加于该移位寄存器的选通移位时钟来生成反相发射控制(EM)信号；以及控制反相器的操作以基于施加于该反相器的发射移位时钟使所述反相EM信号的相位反转并且生成EM信号，其中，各个像素的发射定时响应于所述EM信号而被控制，其中，所述移位寄存器通过输出线将所述反相EM信号供应给所述反相器的输入节点，并且其中，所述反相器包括波纹抑制电容器，该波纹抑制电容器连接在所述输入节点与选通低电压的输入端子之间并且抑制所述反相EM信号上负载的波纹。附图说明附图被包括以提供对本专利技术的进一步理解，并且被并入本说明书并且构成本说明书的一部分，附图示出本专利技术的实施方式并且与说明书一起用于说明本专利技术的原理。附图中：图1示出在现有技术的有机发光二极管(OLED)显示器中生成亮度下降；图2示出根据本专利技术的示例性实施方式的OLED显示器；图3示出根据本专利技术的示例性实施方式的像素阵列；图4示出图3所示的像素电路的示例；图5是示出输入至图3所示的像素的信号的波形图；图6示出扫描驱动器和发射驱动器的设置；图7示出发射驱动器中的移位寄存器的输出线与反相器的时钟线之间的交叠；图8至图10示出作为用于使发射控制信号的电压的改变最小化的方法，与施加于移位寄存器的选通移位时钟的振幅相比减小施加于反相器的发射移位时钟的振幅的示例；图11示出作为用于使发射控制信号的电压的改变最小化的另一方法，反相器还包括波纹抑制电容器的示例；图12示出在根据本专利技术的示例性实施方式的OLED显示器中使亮度下降最小化；图13是示出根据本专利技术的第一示例性实施方式的TFT阵列基板的结构的横截面图；图14是示出根据本专利技术的第二示例性实施方式的TFT阵列基板的结构的横截面图；图15是示出根据本专利技术的第三示例性实施方式的TFT阵列基板的结构的横截面图；图16是示出根据本专利技术的第四示例性实施方式的TFT阵列基板的结构的横截面图；图17是示出根据本专利技术的第五示例性实施方式的TFT阵列基板的结构的横截面图；图18A和图18B是示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：显示面板，该显示面板包括多个像素，各个像素包括有机发光二极管；移位寄存器，该移位寄存器被配置为基于施加于该移位寄存器的选通移位时钟来生成反相发射控制EM信号；以及反相器，该反相器被配置为基于施加于该反相器的发射移位时钟来使所述反相EM信号的相位反转，并且生成EM信号，其中，各个像素的发射定时响应于所述EM信号而被控制，其中，在低速驱动模式下所述移位寄存器的驱动频率和所述反相器的驱动频率比在正常驱动模式下低，并且其中，在所述低速驱动模式下，所述发射移位时钟的振幅小于所述选通移位时钟的振幅。

【技术特征摘要】
2015.10.05 KR 10-2015-01395881.一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：显示面板，该显示面板包括多个像素，各个像素包括有机发光二极管；移位寄存器，该移位寄存器被配置为基于施加于该移位寄存器的选通移位时钟来生成反相发射控制EM信号；以及反相器，该反相器被配置为基于施加于该反相器的发射移位时钟来使所述反相EM信号的相位反转，并且生成EM信号，其中，各个像素的发射定时响应于所述EM信号而被控制，其中，在低速驱动模式下所述移位寄存器的驱动频率和所述反相器的驱动频率比在正常驱动模式下低，并且其中，在所述低速驱动模式下，所述发射移位时钟的振幅小于所述选通移位时钟的振幅。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述移位寄存器通过输出线将所述反相EM信号供应给所述反相器的输入节点，并且其中，所述反相器包括波纹抑制电容器，该波纹抑制电容器连接在所述输入节点与选通低电压的输入端子之间并且抑制所述反相EM信号上负载的波纹。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，在所述低速驱动模式下，所述选通移位时钟在选通高电压和选通低电压之间摇摆，所述发射移位时钟在所述选通高电压和第一选通低电压之间摇摆，并且所述第一选通低电压的电平大于所述选通低电压的电平。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，在所述低速驱动模式下，所述选通移位时钟在选通高电压和选通低电压之间摇摆，所述发射移位时钟在第一选通高电压和所述选通低电压之间摇摆，并且所述第一选通高电压的电平小于所述选通高电压的电平。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述移位寄存器和所述反相器通过面板中选通驱动器GIP工艺与所述多个像素的阵列一起直接形成在所述显示面板的基板上。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述EM信号被生成为基于预定脉冲宽度调制PWM占空比而在导通电平与截止电平之间摇摆的AC信号，以使各个像素的OLED的电流路径打开和关闭。7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述移位寄存器的输出线和所述反相器的发射移位时钟线通过寄生电容器来彼此连接。8.一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：显示面板，该显示面板包括多个像素，各个像素包括有机发光二极管；移位寄存器，该移位寄存器被配置为基于施加于该移位寄存器的选通移位时钟来生成反相发射控制EM信号；以及反相器，该反相器被配...

【专利技术属性】
技术研发人员：李瑛长，尹辰汉，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR