单晶硅片清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种单晶硅片清洗装置，其中包括烘烧箱、冷却箱和超声波振动箱，所述的烘烧箱上设置有开口，所述的开口连接有第一滑道，所述的第一滑道连接至冷却箱的一端，所述的冷却箱的另一端设置有第二滑道，所述的第二滑道连接至所述的超声波振动箱的一端。采用该种结构的单晶硅片清洗装置，首先对硅片进行烘烧处理，该步骤能够通过高温烘烧作用将单晶硅片表面上贴覆的贴纸或者有机物燃烧掉；然后对烘烧处理后的硅片进行超声波清洗，在对硅片进行了烘烧处理后再采用超声波清洗，能够将硅片表面的小固体颗粒清除，整体结构简单，应用方便，具有更广泛的应用范围。

【技术实现步骤摘要】
单晶硅片清洗装置
本技术涉及单晶硅片
，尤其涉及单晶硅片生产
，具体是指一种单晶硅片清洗装置。
技术介绍
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。因此单晶硅被广泛的应用，而单晶硅制作成太阳能电池时，必须要经过一系列的加工处理，最主要的就是要将单晶硅棒原料进行切割成单晶硅片，然后再经过对单晶硅片的清洗工序，对于单晶硅片的清洗主要是硅片在切割过程中其表面容易产生颗粒、有机物、金属、吸附分子等会沿着影响太阳能电池组件的性能，因此必须要经过专业的清洗剂进行清洗，而目前的单晶硅片清洗方式操作复杂、清洗效率差导致后期成品率下降，影响成本，同时由于单晶硅比较脆，因此在清洗过程中容易断裂而报废，因此大大降低单晶硅的成品率。同时，由于金刚线切割后的单晶硅片表面会产生大量的硅粉颗粒、金属离子以及氧化物、有机物等污染物，导致脱胶预清洗总时间一般在45min-60min，且在较长时间内不能很好去除单晶硅片表面大部分污染物，增加了后续清洗压力，生产效率低。
技术实现思路
本技术的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种能够实现有效去除单晶硅表面的大部分污染物、提高预清洗效果、缩短清洗时间、具有更广泛应用范围的单晶硅片清洗装置。为了实现上述目的，本技术具有如下构成：该单晶硅片清洗装置，其主要特点是，所述的装置包括烘烧箱、冷却箱和超声波振动箱，所述的烘烧箱上设置有开口，所述的开口连接有第一滑道，所述的第一滑道连接至冷却箱的一端，所述的冷却箱的另一端设置有第二滑道，所述的第二滑道连接至所述的超声波振动箱的一端。较佳地，所述的冷却箱的一端还设置有冷却水入口，所述的冷却箱的另一端还设置有冷却水出口，所述的冷却水入口与进水管相连接，所述的冷却水出口与排水管相连接，所述的进水管和排水管均连接至一储水箱。较佳地，所述的冷却箱的上端设置有喷淋装置，所述的冷却箱的下端设置有一排水口，所述的喷淋装置一端与进水管相连接，所述的排水口与排水管相连接，所述的进水管和排水管均连接至一储水箱。较佳地，所述的烘烧箱下端设置有加热盘。较佳地，所述的烘烧箱的上部设置有红外加热器。较佳地，所述的滑道为开放式的横截面为半圆形的管道。较佳地，所述的超声波振动箱下端设置有超声波振子。较佳地，所述的烘烧箱的开口上还设置有与所述的开口的形状相对应的门，所述的门的一侧与所述的烘烧箱通过铰链相连接，所述的门的另一侧与所述的烘烧箱通过开拆卸卡扣相连接。采用了该技术中的单晶硅片清洗装置，具有如下有益效果：（1）首先对硅片进行烘烧处理，该步骤能够通过高温烘烧作用将单晶硅片表面上贴覆的贴纸或者有机物燃烧掉。由于单晶硅片的性质稳定，所以这种烘烧处理在不对硅片本身产生影响的情况下将硅片表面的贴纸或者有机物有效处理。然后对烘烧处理后的硅片进行超声波清洗，在对硅片进行了烘烧处理后再采用超声波清洗，能够将硅片表面的小固体颗粒清除；（2）冷却箱采用循环冷却水的方式对箱内的硅片进行冷却，然后再进行超声波清洗，各个箱体之间通过耐高温的滑道相连接，在清洗过程中硅片可以直接通过滑道进入下一个步骤，而不必反复人工夹取和移动，防止硅片碎裂，提高成本率，提高了单晶硅片的制绒质量；（3）整体结构简单，各个箱体配合工作可有效去除金刚线切割的单晶硅片表面与硅片之间的硅粉颗粒、金属离子、氧化物和有机物等污染物，提高单晶硅片表面预清洗质量，减轻了后续清洗压力，而且大大缩短脱胶预清洗的时间，提高了生产效率，具有更广泛的应用范围。附图说明图1为本技术的单晶硅片清洗装置的结构示意图。附图标记：1烘烧箱2第一滑道3冷却箱4第二滑道5超声波振动箱具体实施方式为了能够更清楚地描述本技术的
技术实现思路
，下面结合具体实施例来进行进一步的描述。本技术提供了一种单晶硅片清洗装置，所述的装置包括烘烧箱1、冷却箱3和超声波振动箱5，所述的烘烧箱1上设置有开口，所述的开口连接有第一滑道2，所述的第一滑道2连接至冷却箱3的一端，所述的冷却箱3的另一端设置有第二滑道4，所述的第二滑道4连接至所述的超声波振动箱5的一端。在清洗过程中，首先通过烘烧箱1对硅片进行烘烧处理，然后通过一个耐高温的拨杆将硅片拨到第一滑道2，通过第一滑道2进入冷却箱3，进行冷却处理，冷却完毕，继续用拨杆将硅片拨到第二滑道4，然后通过第二滑道4进入超声波振动箱5，进行超声波清洗。在一种较佳的实施方式中，所述的冷却箱3的一端还设置有冷却水入口，所述的冷却箱3的另一端还设置有冷却水出口，所述的冷却水入口与进水管相连接，所述的冷却水出口与排水管相连接，所述的进水管和排水管均连接至一储水箱。在一种较佳的实施方式中，所述的冷却箱3的上端设置有喷淋装置，所述的冷却箱3的下端设置有一排水口，所述的喷淋装置一端与进水管相连接，所述的排水口与排水管相连接，所述的进水管和排水管均连接至一储水箱。本技术采用循环冷却水对冷却箱3内的硅片进行冷却，在实际应用中，冷却方式不限于以上两种设置方式，均属于本技术的保护范围。在一种较佳的实施方式中，所述的烘烧箱1下端设置有加热盘。在一种较佳的实施方式中，所述的烘烧箱1的上部设置有红外加热器。在实际应用中，烘烧箱1的加热方式不限于以上两种，能够达到硅片清洗温度的加热设备均可以应用到本技术方案中，均属于本技术的保护范围。在一种较佳的实施方式中，所述的滑道为开放式的横截面为半圆形的管道。在一种较佳的实施方式中，所述的超声波振动箱5下端设置有超声波振子。在一种较佳的实施方式中，所述的烘烧箱1的开口上还设置有与所述的开口的形状相对应的门，所述的门的一侧与所述的烘烧箱1通过铰链相连接，所述的门的另一侧与所述的烘烧箱1通过开拆卸卡扣相连接。在烘烧箱1工作时，可以通过卡扣将门关紧，避免硅片滑出以及热量的散失；而需要将硅片转移到冷却箱3时，只需要打开卡扣，将门敞开，可以通过一个耐高温的拨杆将硅片拨至第一滑道2中，通过第一滑道2进入冷却箱3。采用了该技术中的单晶硅片清洗装置，具有如下有益效果：（1）首先对硅片进行烘烧处理，该步骤能够通过高温烘烧作用将单晶硅片表面上贴覆的贴纸或者有机物燃烧掉。由于单晶硅片的性质稳定，所以这种烘烧处理在不对硅片本身产生影响的情况下将硅片表面的贴纸或者有机物有效处理。然后对烘烧处理后的硅片进行超声波清洗，在对硅片进行了烘烧处理后再采用超声波清洗，能够将硅片表面的小固体颗粒清除；（2）冷却箱采用循环冷却水的方式对箱内的硅片进行冷却，然后再进行超声波清洗，各个箱体之间通过耐高温的滑道相连接，在清洗过程中硅片可以直接通过滑道进入下一个步骤，而不必反复人工夹取和移动，防止硅片碎裂，提高成本率，提高了单晶硅片的制绒质量；（3）整体结构简单，各个箱体配合工作可有效去除金刚线切割的单晶硅片表面与硅片之间的硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅片清洗装置，其特征在于，所述的装置包括烘烧箱、冷却箱和超声波振动箱，所述的烘烧箱上设置有开口，所述的开口连接有第一滑道，所述的第一滑道连接至冷却箱的一端，所述的冷却箱的另一端设置有第二滑道，所述的第二滑道连接至所述的超声波振动箱的一端。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片清洗装置，其特征在于，所述的装置包括烘烧箱、冷却箱和超声波振动箱，所述的烘烧箱上设置有开口，所述的开口连接有第一滑道，所述的第一滑道连接至冷却箱的一端，所述的冷却箱的另一端设置有第二滑道，所述的第二滑道连接至所述的超声波振动箱的一端。2.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置，其特征在于，所述的冷却箱的一端还设置有冷却水入口，所述的冷却箱的另一端还设置有冷却水出口，所述的冷却水入口与进水管相连接，所述的冷却水出口与排水管相连接，所述的进水管和排水管均连接至一储水箱。3.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置，其特征在于，所述的冷却箱的上端设置有喷淋装置，所述的冷却箱的下端设置有一排水口，所述的喷淋装置一端与进水管相连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱玲，朱汪龙，王兰，
申请(专利权)人：无锡乐东微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32