移动终端以及克服晶体老化的搜网方法技术

本发明专利技术公开了一种移动终端以及克服晶体老化的搜网方法。方法包括：调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；如果搜网失败，则调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；如果搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；如果搜网成功，则将第一区域的参数更新为重新获取的参数。通过以上方式，本发明专利技术能够有效解决晶体老化或晶体批次不良导致无法搜网的问题，进而扩大搜网应用场景。

【技术实现步骤摘要】
移动终端以及克服晶体老化的搜网方法
本专利技术涉及移动终端克服晶体老化
，特别是涉及一种移动终端以及克服晶体老化的搜网方法。
技术介绍
在移动终端生产，销售及用户的使用过程中，如刷机等，移动终端的各项射频指标会随着用户的使用环境及使用时间发生变化，尤其是晶体老化引起的频率精度这项指标。其他指标的变化客户端不容易感知，不影响正常的通信功能。如果频率精度出现异常，会导致移动终端失去通信功能，对用户体验，品牌影响力及售后都会带来负面的影响。目前的移动终端在出厂时进行一次校准，后续的任何操作都不能破坏这份参数。部分厂商也会要求将移动终端的配置参数(即golden参数)写入代码。即使这份参数丢失，可以调用代码中的设定，功能也基本能够保证OK，不用返厂，例如刷机操作失误等等。但是频率精度会随着晶体的老化发生频偏，校准与集成golden参数的方式都无法完全避免失效的概率，由于时间的增加，或者晶体本身的一致性问题，会概率性出现异常。此类问题目前的解决方法是移动终端返厂，拆机使用仪器进行校准，耗费大量的人力，物力。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种移动终端以及克服晶体老化的搜网方法，能够有效解决晶体老化或晶体批次不良导致无法搜网的问题，进而扩大搜网应用场景。本专利技术提供一种克服晶体老化的搜网方法，包括：调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；如果搜网失败，则调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；如果搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；如果搜网成功，则将第一区域的参数更新为重新获取的参数。其中，存储在第一区域的参数的初始值与存储在第二区域的参数相同。其中，参数包括电容阵列的电容和变容二极管的电容，改变电容阵列的电容用于粗调参数；改变变容二极管的电容用于细调参数。其中，重新获取参数并进行搜网的步骤包括：以预设的步进调整电容阵列的电容进行搜网使频率误差最小；对变容二极管的电容进行校准并进行搜网使频率误差趋于零。其中，对变容二极管的电容进行校准的步骤包括：如果变容二极管的电容的值与变容二极管的电容的变化范围中间的值之差超出预设范围，则调整变容二极管的电容的变化范围中间的值处于变容二极管的电容的变化范围的中间位置。其中，如果调用存储在第二区域的参数搜网成功，则将第一区域的参数更新为第二区域的参数。本专利技术还提供一种移动终端，包括：第一搜网模块，用于调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；第二搜网模块，与第一搜网模块连接，用于如果搜网失败，则调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；第三搜网模块，与第二搜网模块连接，用于如果搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；参数更新模块，与第三搜网模块连接，用于如果搜网成功，则将第一区域的参数更新为重新获取的参数。其中，存储在第一区域的参数的初始值与存储在第二区域的参数相同。其中，参数包括电容阵列的电容和变容二极管的电容，改变电容阵列的电容用于粗调参数；改变变容二极管的电容用于细调参数。其中，第三搜网模块用于：以预设的步进调整电容阵列的电容进行搜网使频率误差最小；对变容二极管的电容进行校准并进行搜网使频率误差趋于零。其中，第三搜网模块还用于：如果变容二极管的电容的值与变容二极管的电容的变化范围中间的值之差超出预设范围，则调整变容二极管的电容的变化范围中间的值处于变容二极管的电容的变化范围的中间位置。其中，参数更新模块还用于：如果第二搜网模块调用存储在第二区域的参数搜网成功，则将第一区域的参数更新为第二区域的参数。通过上述方案，本专利技术的有益效果是：本专利技术通过调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；如果搜网失败，则调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；如果搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；如果搜网成功，则将第一区域的参数更新为重新获取的参数，能够有效解决晶体老化或晶体批次不良导致无法搜网的问题，进而扩大搜网应用场景。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：图1是本专利技术第一实施例的克服晶体老化的搜网方法的流程示意图；图2是本专利技术第二实施例的克服晶体老化的搜网方法的流程示意图；图3是本专利技术实施例的移动终端的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1是本专利技术第一实施例的克服晶体老化的搜网方法的流程示意图。如图1所示，克服晶体老化的搜网方法包括：步骤S10：调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网。在本专利技术实施例中，参数为自动频率控制(automaticfrequencycontrol，AFC)参数，能够影响移动终端的频率精度，进而影响移动终端的搜网。控制移动终端的频率的精度是通过改变晶体的负载电容来实现，而改变负载电容可以有两种方式：改变电容阵列(CAPID)的电容，或改变变容二极管(AFCDAC)的电容。因此，参数包括电容阵列的电容和变容二极管的电容。其中改变电容阵列的电容用于粗调参数；改变变容二极管的电容用于细调参数。第一电容参数的精度优选为0.25ppm/CAPID，对应的范围优选为0-255。变容二极管的电容的精度优选为0.008ppm/DAC，对应的范围优选为0-8191。在本专利技术实施例中，易失性随机访问存储器中的第一区域中存放的是临时的电容阵列(CAPID)的电容和变变容二极管(AFCDAC)的电容，其值是可以根据搜网的情况进行变更的。步骤S11：如果搜网失败，则调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网。在本专利技术实施例中，易失性随机访问存储器中的第二区域中存储的是移动终端出厂时的电容阵列(CAPID)的电容和变容二极管(AFCDAC)的电容，其值是不根据搜网的情况进行变更的。如此可以克服用户刷机等操作导致的校准数据丢失的场景。移动终端在出厂时需要对电容阵列(CAPID)的电容和变容二极管(AFCDAC)的电容进行校准。具体地，先固定变容二极管的电容，校准电容阵列的电容，使频率误差最小，记录此时的电容阵列的电容；然后固定电容阵列的电容，校准变容二极管的电容，使频率误差趋于0，记录变容二极管的电容；将校准后的电容阵列的电容和变容二极管的电容存储在易失性随机访问存储器中的第二区域中。第一区域中存储的电容阵列的电容和变容二极管的电容的初始值与第二区域中存储的电容阵列的电容和变容二极管的电容相同。步骤S12：如果搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网。在本专利技术实施例中，以存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网。如果搜网成功，则将易失性随机访问存储器中的第一区域的参数更新为搜网的参数，即第二区域的参数。如果搜网失败，则启动计数，并在搜网次数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种克服晶体老化的搜网方法，其特征在于，所述克服晶体老化的搜网方法包括：调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；如果搜网失败，则调用存储在所述易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；如果搜网失败且搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；如果搜网成功，则将所述第一区域的参数更新为重新获取的所述参数。

【技术特征摘要】
1.一种克服晶体老化的搜网方法，其特征在于，所述克服晶体老化的搜网方法包括：调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；如果搜网失败，则调用存储在所述易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；如果搜网失败且搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；如果搜网成功，则将所述第一区域的参数更新为重新获取的所述参数。2.根据权利要求1所述的克服晶体老化的搜网方法，其特征在于，存储在所述第一区域的参数的初始值与存储在所述第二区域的参数相同。3.根据权利要求1所述的克服晶体老化的搜网方法，其特征在于，所述参数包括电容阵列的电容和变容二极管的电容，改变所述电容阵列的电容用于粗调所述参数；改变变容二极管的电容用于细调所述参数。4.根据权利要求3所述的克服晶体老化的搜网方法，其特征在于，所述重新获取参数并进行搜网的步骤包括：以预设的步进调整所述电容阵列的电容进行搜网使频率误差最小；对所述变容二极管的电容进行校准并进行搜网使频率误差趋于零。5.根据权利要求4所述的克服晶体老化的搜网方法，其特征在于，所述对所述变容二极管的电容进行校准的步骤包括：如果所述变容二极管的电容的值与所述变容二极管的电容的变化范围中间的值之差超出预设范围，则调整所述变容二极管的电容的变化范围中间的值处于所述变容二极管的电容的变化范围的中间位置。6.根据权利要求1所述的克服晶体老化的搜网方法，其特征在于，如果调用存储在所述第二区域的参数搜网成功，则将所述第一区域的参数更新为所述第二区域的参数。7.一种移动终端，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴伟伟，
申请(专利权)人：联发科技新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡,SG