一种SE电池的制作方法技术

本申请公开了一种SE电池的制作方法，包括对硅片进行清洗制绒和扩散；在所述硅片表面制备与正面电极图形一致的掩膜浆料；利用槽式清洗机对所述硅片进行刻蚀制备轻扩区、第一次水洗、清除所述掩膜浆料、第二次水洗、去除PSG、第三次水洗和烘干；在所述硅片的正面制作减反射膜，在所述硅片的背面制作背电极和背电场，在所述硅片的正面制作正电极并烧结得到SE电池。上述SE电池的制作方法，能够在满足产量的基础上降低制造成本，且降生产能耗，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种SE电池的制作方法
本专利技术属于光伏设备制造
，特别是涉及一种SE电池的制作方法。
技术介绍
当前选择性发射(SE)电池已经大规模量产，形成SE结构的技术方案有很多，但大多数都要求配套相关的新设备与辅材，投资成本大、高能耗、工艺整体耗时长已经成为制约SE电池大规模推广的主要因素。当前量产化采用的方案主要为Schmid工艺，主要通过Inkjet设备喷蜡打印的方式在扩散面形成栅线腊保护层，保护重扩区域，然后通过SPH链式清洗机进行刻蚀、去蜡，形成轻扩区域。一般为了达到选择性清洗的效果，对链式清洗机台的要求较高，导致其设备成本偏高。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种SE电池的制作方法，能够在满足产量的基础上降低制造成本，且降生产能耗，提高生产效率。本专利技术提供的一种SE电池的制作方法，包括：对硅片进行清洗制绒和扩散；在所述硅片表面制备与正面电极图形一致的掩膜浆料；利用槽式清洗机对所述硅片进行刻蚀制备轻扩区、第一次水洗、清除所述掩膜浆料、第二次水洗、去除PSG、第三次水洗和烘干；在所述硅片的正面制作减反射膜，在所述硅片的背面制作背电极和背电场，在所述硅片的正面制作正电极并烧结得到SE电池。优选的，在上述SE电池的制作方法中，所述在所述硅片表面制备与正面电极图形一致的掩膜浆料为：在所述硅片表面丝网印刷与正面电极图形一致的掩膜浆料。优选的，在上述SE电池的制作方法中，所述利用槽式清洗机对所述硅片进行刻蚀制备轻扩区为：利用槽式清洗机，采用氢氟酸和硝酸混合液在8℃至15℃的条件下浸泡30秒至60秒，对所述硅片进行刻蚀制备轻扩区。优选的，在上述SE电池的制作方法中，所述第一次水洗为：采用去离子水对所述硅片浸泡30秒至60秒。优选的，在上述SE电池的制作方法中，所述清除所述掩膜浆料为：利用所述槽式清洗机的去蜡槽，采用二乙二醇丁醚和氢氧化钾的混合液在20℃至25℃的条件下浸泡所述硅片30秒至60秒，清除所述掩膜浆料。优选的，在上述SE电池的制作方法中，所述第二次水洗为：采用去离子水在30℃至40℃的条件下浸泡所述硅片30秒至60秒。优选的，在上述SE电池的制作方法中，所述去除PSG为：在25℃至35℃的温度条件以及100ms至130ms的电导率条件下，利用氢氟酸溶液将所述硅片浸泡10秒至20秒，去除PSG。优选的，在上述SE电池的制作方法中，所述第三次水洗为：利用去离子水浸泡所述硅片30秒至60秒，去除残留的氢氟酸溶液。优选的，在上述SE电池的制作方法中，所述烘干为：利用所述槽式清洗机的烘干槽，在55℃至95℃的条件下对所述硅片烘干持续120秒至240秒。通过上述描述可知，本专利技术提供的上述SE电池的制作方法，由于包括对硅片进行清洗制绒和扩散；在所述硅片表面制备与正面电极图形一致的掩膜浆料；利用槽式清洗机对所述硅片进行刻蚀制备轻扩区、第一次水洗、清除所述掩膜浆料、第二次水洗、去除PSG、第三次水洗和烘干；在所述硅片的正面制作减反射膜，在所述硅片的背面制作背电极和背电场，在所述硅片的正面制作正电极并烧结得到SE电池，因此能够在满足产量的基础上降低制造成本，且降生产能耗，提高生产效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的第一种SE电池的制作方法的示意图。具体实施方式本专利技术的核心思想在于提供一种SE电池的制作方法，能够在满足产量的基础上降低制造成本，且降生产能耗，提高生产效率。下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本申请实施例提供的第一种SE电池的制作方法如图1所示，图1为本申请实施例提供的第一种SE电池的制作方法的示意图，该方法包括如下步骤：S1：对硅片进行清洗制绒和扩散；需要说明的是，扩散后将其方阻控制在50-80Ω/■。S2：在所述硅片表面制备与正面电极图形一致的掩膜浆料；需要说明的是，可以采用丝网印刷方式制备所述掩膜浆料，但此处并不仅限于这种方式，而且，这种掩膜浆料可以是蜡，也可以是墨刻浆料，主要目的是保护其下的扩散面(即重扩区)不受影响。S3：利用槽式清洗机对所述硅片进行刻蚀制备轻扩区、第一次水洗、清除所述掩膜浆料、第二次水洗、去除PSG、第三次水洗和烘干；需要说明的是，利用槽式清洗机能够完成高低浅结的制备，形成SE的结构，其中轻扩区方阻控制在130-160Ω/■，这种槽式清洗机相对于传统的链式清洗机来说，成本更低，槽体水平要求不高，也无需复杂的抽排风系统，另外要说明的是，SE结构主要就是形成了重扩区与轻扩区，两个区域的PN结深不一样，故称之为高低浅结。S4：在所述硅片的正面制作减反射膜，在所述硅片的背面制作背电极和背电场，在所述硅片的正面制作正电极并烧结得到SE电池。通过上述描述可知，本申请实施例提供的上述第一种SE电池的制作方法，由于包括对硅片进行清洗制绒和扩散；在所述硅片表面制备与正面电极图形一致的掩膜浆料；利用槽式清洗机对所述硅片进行刻蚀制备轻扩区、第一次水洗、清除所述掩膜浆料、第二次水洗、去除PSG、第三次水洗和烘干；在所述硅片的正面制作减反射膜，在所述硅片的背面制作背电极和背电场，在所述硅片的正面制作正电极并烧结得到SE电池，因此能够在满足产量的基础上降低制造成本，且降生产能耗，提高生产效率。本申请实施例提供的第二种SE电池的制作方法，是在上述第一种SE电池的制作方法的基础上，还包括如下技术特征：所述在所述硅片表面制备与正面电极图形一致的掩膜浆料为：在所述硅片表面丝网印刷与正面电极图形一致的掩膜浆料。需要说明的是，这种丝网印刷的方式是一种常见的印刷方式，成本低且技术成熟。本申请实施例提供的第三种SE电池的制作方法，是在上述第一种SE电池的制作方法的基础上，还包括如下技术特征：所述利用槽式清洗机对所述硅片进行刻蚀制备轻扩区为：利用槽式清洗机，采用氢氟酸和硝酸混合液在8℃至15℃的条件下浸泡30秒至60秒，对所述硅片进行刻蚀制备轻扩区。需要说明的是，该步骤利用的是槽式清洗机的刻蚀槽，体积比的范围可以如下：HF：HNO3：去离子水＝1：(2.5-5.5)：(1-10)，利用这种工艺条件能够提高刻蚀效率，保证刻蚀效果足够好。本申请实施例提供的第四种SE电池的制作方法，是在上述第一种SE电池的制作方法的基础上，还包括如下技术特征：所述第一次水洗为：采用去离子水对所述硅片浸泡30秒至60秒。需要说明的是，可以采用槽式清洗机的水洗槽进行所述第一次水洗，以去除硅片表面的HF和HNO3残留液，该水洗槽自启动N2鼓泡功能，出片时抓手自启动喷淋去离子水的功能。本申请实施例提供的第五种SE电池的制作方法，是在上述第一种SE电池的制作方法的基础上，还包括如下技术特征：所述清除所述掩膜浆料为：利用所述槽式清洗机的去蜡槽，采用二乙二醇丁醚和氢氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SE电池的制作方法，其特征在于，包括：对硅片进行清洗制绒和扩散；在所述硅片表面制备与正面电极图形一致的掩膜浆料；利用槽式清洗机对所述硅片进行刻蚀制备轻扩区、第一次水洗、清除所述掩膜浆料、第二次水洗、去除PSG、第三次水洗和烘干；在所述硅片的正面制作减反射膜，在所述硅片的背面制作背电极和背电场，在所述硅片的正面制作正电极并烧结得到SE电池。

【技术特征摘要】
1.一种SE电池的制作方法，其特征在于，包括：对硅片进行清洗制绒和扩散；在所述硅片表面制备与正面电极图形一致的掩膜浆料；利用槽式清洗机对所述硅片进行刻蚀制备轻扩区、第一次水洗、清除所述掩膜浆料、第二次水洗、去除PSG、第三次水洗和烘干；在所述硅片的正面制作减反射膜，在所述硅片的背面制作背电极和背电场，在所述硅片的正面制作正电极并烧结得到SE电池。2.根据权利要求1所述的SE电池的制作方法，其特征在于，所述在所述硅片表面制备与正面电极图形一致的掩膜浆料为：在所述硅片表面丝网印刷与正面电极图形一致的掩膜浆料。3.根据权利要求1所述的SE电池的制作方法，其特征在于，所述利用槽式清洗机对所述硅片进行刻蚀制备轻扩区为：利用槽式清洗机，采用氢氟酸和硝酸混合液在8℃至15℃的条件下浸泡30秒至60秒，对所述硅片进行刻蚀制备轻扩区。4.根据权利要求1所述的SE电池的制作方法，其特征在于，所述第一次水洗为：采用去离子水对所述硅片浸泡30秒至60秒。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海杰，张昕宇，郑霈霆，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33