The invention discloses a preparation method of a kind of high temperature resistant Ag Pd nano paste Ag migration; the particle size of 50 500nm silver paste with an average particle size of 50 100nm palladium powder, obtained silver palladium nanoparticles mixture, and then the surface active agent, binder and diluent together into in organic solvent, mixing in ultrasonic bath under the assistance, and through mixing Ag Pd nano paste. The mass fraction of Ag in Ag PD nanoparticle mixture is 95% ~ 70%, and the mass fraction of Pd is 5% ~ 30%. The preparation process of the invention is simple, the efficiency is high and the stability is good. Ag Pd nano paste preparation, the failure life is about 1.8 times of nano silver paste.
【技术实现步骤摘要】
一种高温环境下耐Ag迁移的Ag-Pd纳米焊膏的制备方法
本专利技术涉及一种应用于高温环境中改善银迁移现象的Ag-Pd纳米焊膏的制备方法,属于先进材料制备及电子元器件封装领域。
技术介绍
近年来,纳米级的银焊膏取代传统依靠机械压力提供烧结驱动力的方法,实现了无压、低温下的烧结并获得了可靠、无铅环保连接,广泛应用于宽带隙半导体高温功率芯片(例如SiC,GaN)。此外纳米Ag焊膏具有低成本、低电阻率、低熔点等优点,随电力电子行业的发展,逐渐取代传统锡铅焊料成为大功率电子器件高温应用的首选互连材料。然而银是一种极易发生迁移的金属,且迁移速率快尤其是在高温或潮湿环境中。这是因为高温潮湿环境下,当有电场存在时,相对其他金属其阳极溶解所需的活化能极低。银迁移会改变介电性能,降低绝缘电阻,导致银“电桥”形成,使电极间发生短路,影响可靠性并促使设备失效。随电子元器件向小型化趋势发展,电子封装中导体间距的减小,由于银的电化学迁移而带来的设备失效的风险将增加。因此银迁移对它在电子封装中的影响必须引起我们的关注。如何改善或抑制银的迁移,增加电子元器件的失效寿命具有重要的意义。银的迁移与其合金成分紧密相关,例如Ag-Pd、Ag-Pt及其三元系合金Ag-Pt-Pd中的Pd、Pt对银的电化学迁移有减缓作用,且合金中的Pd、Pt的比例越大,对银迁移的改善作用越显著。这是因为金属阳极表面形成的氧化物钝化膜会阻碍Ag的溶解。因此开发一种银钯导电浆料非常必要。
技术实现思路
本专利技术是针对电子封装中纳米银焊膏连接高温功率芯片时存在的银迁移问题,瞄准连接材料的改善部分,使电子元器件能满足在较高的温 ...
【技术保护点】
一种高温环境下耐Ag迁移的Ag‑Pd纳米焊膏的制备方法,其特征在于:在粒径为50‑500nm的银焊膏中加入平均颗粒尺寸为50‑100nm的钯粉,得到银钯纳米颗粒混合物,然后与表面活性剂,粘结剂和稀释剂一起放入有机溶剂中,在超声水浴的协助下混合,并通过搅拌制得Ag‑Pd纳米焊膏。
【技术特征摘要】
1.一种高温环境下耐Ag迁移的Ag-Pd纳米焊膏的制备方法,其特征在于:在粒径为50-500nm的银焊膏中加入平均颗粒尺寸为50-100nm的钯粉,得到银钯纳米颗粒混合物,然后与表面活性剂,粘结剂和稀释剂一起放入有机溶剂中,在超声水浴的协助下混合,并通过搅拌制得Ag-Pd纳米焊膏。2.根据权利要求1所述的方法,其特征是所述的银钯纳米颗粒混合物中Ag的质量百分数为95%~70%,对应的Pd的质量百分数为5%~30%。3.根据权利要求1所述的方法,其特征是所述的表面活性剂、粘接剂和稀释剂的分别为纤维素、鲱鱼油和松油醇。4.根据权利要求3所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:梅云辉,王迪,李欣,陆国权,
申请(专利权)人:天津大学,
类型:发明
国别省市:天津,12
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