上电复位电路，及产生上电复位信号的方法技术

本发明专利技术提供了一种上电复位电路。所述上电复位电路包括两个比较器和一个锁存电路。所述上电复位电路可以在电源电压上升至第一基准电压之上时产生解除复位状态的解除信号，以及在所述电源电压下降至第二基准电压之下时产生重设定所述复位状态的重设定信号。所述上电复位电路还包括用来正确初始化和确保稳压电压和带隙电压稳定和高于地电压的电路。

Power on reset circuit and method for generating power on reset signal

The present invention provides a power on reset circuit. The power on reset circuit comprises two comparators and a latch circuit. The power on reset circuit in the power supply voltage can be increased to above the first reference voltage signal generated when the rescission of the reset state, and under the power supply voltage is reduced to second reference voltage generated when the weight signal set the reset reset state. The power on reset circuit also includes circuitry for correctly initializing and ensuring a stable voltage and band gap voltage stability and higher than ground voltage.

【技术实现步骤摘要】
上电复位电路，及产生上电复位信号的方法
本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种上电复位电路及一种产生上电复位信号的方法。
技术介绍
在很多电子系统中，诸如基准电压、稳压电压和稳流电流等关键组件需要一定的时间来达到稳定。为了避免系统的异常运行，这些组件必须在进行常规操作之前稳定到一个确定的电源状态。通常，上电复位电路(POR：Power-OnResetcircuit)被用来初始化稳定的电源状态，以确保能够完成安全启动。上位复位电路通过电源激活的方式强制系统进入复位状态，并使系统保持在该状态直至电源稳定，该状态可以采用诸如基准电压等参数来指示。通常，当能够安全解除时，尽快解除所述复位状态是非常有用的。已经采用了多种不同的电路设计来提高上电复位电路的性能。但是，在以下的应用领域还需要进一步提高上电复位电路的性能，包括：检测不同系统组件的稳定运行，这些系统组件可能由于工艺和温度的多样性以及电源的上电跳变时间的变化而以多种不同的方式上电；识别解除复位的需求假象；以及，避免超出为提升系统性能的必要条件而花费的多余时间。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是现有技术的上电复位电路的性能不佳。本专利技术实施例提供了一种上电复位电路，适于产生复位信号。所述上电复位电路包括：第一比较器，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一比较器的第一输入端与第一基准电压耦合，所述第一比较器的第二输入端与电源电压耦合；第二比较器，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第二比较器的第一输入端与所述电源电压耦合，所述第二比较器的第二输入端与第二基准电压耦合；以及锁存电路，包括第一端、第二端和输出端，所述第一比较器的输出端与所述锁存电路的第一端耦合，所述第二比较器的输出端与所述锁存电路的第二端耦合；其中，所述锁存电路的输出端被配置适于，在所述电源电压上升至所述第一基准电压之上时产生解除复位状态的解除信号，在所述电源电压下降至所述第二基准电压之下时产生重设定所述复位状态的重设定信号。在一实施例的上电复位电路中，所述第一基准电压大于所述第二基准电压。在一实施例的上电复位电路中，所述第一基准电压和所述第二基准电压与稳压电压具有比例关系，所述稳压电压基于带隙电压产生。在一实施例的上电复位电路中，在所述锁存电路产生所述解除信号之前，所述复位状态已被设定。在一实施例的上电复位电路中，还包括：耦合在所述电源电压和所述锁存电路的第一端之间的电容。在一实施例的上电复位电路中，还包括启动电路，所述启动电路包括：耦合在电源电压和第一晶体管之间的第一电容；所述第一晶体管包括耦合至所述第一电容的漏极、接地的源极和耦合至控制电压的栅极；第二晶体管，包括耦合至所述锁存电路第一端的漏极、接地的源极和耦合至所述第一晶体管源极的栅极；和耦合在所述锁存电路的第一端和地之间的第二电容。在一实施例的上电复位电路中，所述解除信号被配置延时，直至所述稳压电压稳定。在一实施例的上电复位电路中，所述稳压电压的延时版本被用于与所述稳压电压比较。在一实施例的上电复位电路中，还包括第一解除阻止电路，所述第一解除阻止电路包括：第一晶体管，包括耦合至所述稳压电压的源极、耦合至第二晶体管栅极的栅极、和耦合至所述第一晶体管栅极和第三晶体管的漏极；第二晶体管，包括耦合至所述稳压电压的源极、耦合至所述第一晶体管栅极的栅极、和耦合至电容的漏极；第三晶体管，包括耦合至所述第一晶体管漏极的漏极、接地的源极、和耦合至控制电压的栅极；耦合在所述第二晶体管漏极和地之间的电容；比较器，包括与所述稳压电压耦合的非反相端，和与所述第二晶体管漏极耦合的反相端。在一实施例的上电复位电路中，所述电容的大小决定了产生所述稳压电压的延时版本的延时时间。在一实施例的上电复位电路中，所述解除信号被配置延时，直至所述稳压电压稳定。在一实施例的上电复位电路中，所述解除信号被配置延时，直至所述稳压电压远大于地电压。在一实施例的上电复位电路中，还包括第二解除阻止电路，所述第二解除阻止电路包括：第一晶体管，包括耦合至所述电源电压的源极、耦合至第二晶体管栅极的栅极、和耦合至所述第一晶体管栅极和第三晶体管的漏极；第二晶体管，包括耦合至所述电源电压的源极、耦合至所述第一晶体管栅极的栅极、和耦合至第四晶体管的漏极；第三晶体管，包括耦合至第一晶体管漏极的漏极、接地的源极、和耦合至控制电压的栅极；第四晶体管，包括耦合至第二晶体管漏极的漏极、接地的源极、和耦合至分压电路的栅极；所述分压电路与所述稳压电压和地耦合；耦合在所述电源电压和所述第二晶体管漏极之间的电容；和在与所述第二晶体管漏极和第四晶体管源极耦合的端点产生的输出信号。在一实施例的上电复位电路中，所述分压电路为所述稳压电压定义了一个大于地电压的范围，在所述范围内可以产生所述解除信号。在一实施例的上电复位电路中，所述第二基准电压为所述稳压电压的存储版本。在一实施例的上电复位电路中，还包括延时电路，所述延时电路包括晶体管，所述晶体管的漏极耦合至所述稳压电压，栅极耦合至电源电压，源极耦合至电容；其中，所述第二比较器的第二输入端耦合至所述晶体管的源极。在一实施例的上电复位电路中，在产生所述解除信号后，所述第一基准电压变为另一不同的电压电平。在一实施例的上电复位电路中，还包括：位于所述稳压电压和第一晶体管之间的串联电阻；所述第一晶体管包括与所述串联电阻连接的漏极、与第二晶体管耦合的源极、以及与使能信号耦合的栅极；所述第二晶体管包括与所述第一晶体管源极耦合的漏极、与控制电压耦合的栅极、以及接地的源极；其中，所述第一比较器的第一输入端耦合至所述串联电阻之间的端点。本专利技术实施例还提供了一种产生上电复位信号的方法，包括：比较第一基准电压和电源电压；比较第二基准电压和所述电源电压；当所述电源电压上升至所述第一基准电压之上时，产生解除复位状态的解除信号；当所述电源电压下降至所述第二基准电压之下时，产生重设定所述复位状态的重设定信号在一实施例的产生上电复位信号的方法中，所述第一基准电压大于所述第二基准电压。在一实施例的产生上电复位信号的方法中，所述第一基准电压和所述第二基准电压与带隙电压具有比例关系。在一实施例的产生上电复位信号的方法中，在产生所述解除信号之前，所述上电复位信号设定所述复位状态。在一实施例的产生上电复位信号的方法中，还包括：延时所述解除信号直至所述带隙电压稳定在一实施例的产生上电复位信号的方法中，还包括：当所述带隙电压接近地电平时，阻止所述解除信号。在一实施例的产生上电复位信号的方法中，所述第二基准电压为带隙电压的已存储倍数。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：本专利技术的上电复位电路包括第一比较器、第二比较器和锁存电路，所述上电复位电路起始于一个设定状态，解除信号处于高态，重设定信号处于低态，从而使得POR信号为高态。随着上电步骤的进行，所述电源电压到达一个安全的启动电压能够确保安全的芯片操作，所述POR电路需要解除所述复位状态。通过所述比较器比较电源电压和第一基准电压，当所述电源电压大于所述第一基准电压时，所述解除信号从高态转变为低态，因此，所述锁存电路接收到一个低态解除信号和一个高态重设定信号，从而产生一个低态POR信号。所述复位状态将会一直保持被解除直至所述P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种上电复位电路，适于产生复位信号，其特征在于，包括：第一比较器，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一比较器的第一输入端与第一基准电压耦合，第二输入端与电源电压耦合；第二比较器，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第二比较器的第一输入端与所述电源电压耦合，第二输入端与第二基准电压耦合；以及锁存电路，包括第一端、第二端和输出端，所述第一比较器的输出端与所述锁存电路的第一端耦合，所述第二比较器的输出端与所述锁存电路的第二端耦合；其中，所述锁存电路的输出端被配置适于，在所述电源电压上升至所述第一基准电压之上时产生解除复位状态的解除信号，在所述电源电压下降至所述第二基准电压之下时产生重设定所述复位状态的重设定信号。

【技术特征摘要】
1.一种上电复位电路，适于产生复位信号，其特征在于，包括：第一比较器，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一比较器的第一输入端与第一基准电压耦合，第二输入端与电源电压耦合；第二比较器，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第二比较器的第一输入端与所述电源电压耦合，第二输入端与第二基准电压耦合；以及锁存电路，包括第一端、第二端和输出端，所述第一比较器的输出端与所述锁存电路的第一端耦合，所述第二比较器的输出端与所述锁存电路的第二端耦合；其中，所述锁存电路的输出端被配置适于，在所述电源电压上升至所述第一基准电压之上时产生解除复位状态的解除信号，在所述电源电压下降至所述第二基准电压之下时产生重设定所述复位状态的重设定信号。2.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一基准电压大于所述第二基准电压。3.如权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一基准电压和所述第二基准电压与稳压电压具有比例关系，所述稳压电压基于带隙电压产生。4.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，在所述锁存电路产生所述解除信号之前，所述复位状态已被设定。5.如权利要求4所述的上电复位电路，其特征在于，还包括：耦合在所述电源电压和所述锁存电路的第一端之间的电容。6.如权利要求5所述的上电复位电路，其特征在于，还包括启动电路，所述启动电路包括：耦合在电源电压和第一晶体管之间的第一电容；所述第一晶体管包括耦合至所述第一电容的漏极、接地的源极和耦合至控制电压的栅极；第二晶体管，包括耦合至所述锁存电路第一端的漏极、接地的源极和耦合至所述第一晶体管源极的栅极；和耦合在所述锁存电路的第一端和地之间的第二电容。7.如权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述解除信号被配置延时直至所述稳压电压稳定。8.如权利要求7所述的上电复位电路，其特征在于，所述稳压电压的延时版本被用于与所述稳压电压比较。9.如权利要求8所述的上电复位电路，其特征在于，还包括第一解除阻止电路，所述第一解除阻止电路包括：第一晶体管，包括耦合至所述稳压电压的源极、耦合至第二晶体管栅极的栅极、和耦合至所述第一晶体管栅极和第三晶体管的漏极；第二晶体管，包括耦合至所述稳压电压的源极、耦合至所述第一晶体管栅极的栅极、和耦合至电容的漏极；第三晶体管，包括耦合至所述第一晶体管漏极的漏极、接地的源极、和耦合至控制电压的栅极；耦合在所述第二晶体管漏极和地之间的电容；比较器，包括与所述稳压电压耦合的非反相端，和与所述第二晶体管漏极耦合的反相端。10.如权利要求9所述的上电复位电路，其特征在于，所述电容的大小决定了产生所述稳压电压的延时版本的延时时间。11.如权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述解除信号被配置延时直至所述稳压电压稳定。12.如权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述解除信号被配置延时直...

【专利技术属性】
技术研发人员：王政，威廉·施奈德，
申请(专利权)人：瑞章科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31