The present invention relates to a direct current transmission test device comprises an outer conductor, an insulating frame, missile shell, inner conductor, conductor, transition body, horn head, the outer conductor is connected with both ends of the insulation bracket symmetrically, the outer conductor and the inner conductor and the insulating bracket inside and connected with the insulating bracket the other end is fixed with the transition, the transition body and the inner conductor end and fixedly connected with the horn head, the inner conductor is arranged inside the central cylindrical conductor, one end of the cylindrical conductor is provided with a missile shell. The structure of the invention is relatively simple, and under the condition of low input power, high field strength can be generated between the inner and outer conductors, and the impedance requirement for the time domain characteristic can be satisfied.
【技术实现步骤摘要】
一种直接电流测试传输装置
本专利技术涉及电气领域,尤其涉及一种直接电流测试传输装置。
技术介绍
随着电子设备集成度的提高和射频技术的发展,大电流注入技术就会存在一些应用和误差方面的问题。直接电流注入技术是将电流注入到设备壳体上,实现用直接电流注入代替电磁耦合方式。如何有效利用该技术,是现阶段科研人员一致需要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的以上问题,提供一种直接电流测试传输装置,有效利用了电流注入技术。为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本专利技术通过以下技术方案实现:一种直接电流测试传输装置,包括外导体、绝缘支架、导弹壳体、内导体、圆柱导体、过渡体、喇叭头,所述外导体两端连接有对称分布的绝缘支架,所述外导体与绝缘支架内侧同时与内导体相连,所述绝缘支架另一端固定有过渡体,所述过渡体与内导体尾端同时与喇叭头固定相连,所述内导体内侧中央设置有圆柱导体,所述圆柱导体一端设置有导弹壳体。进一步地,所述外导体的主传输段呈均匀结构,断面形状是外矩内圆。进一步地,所述过渡体的张角优先选择为48°。本专利技术的有益效果是:结构相对简单,可以在低输入功率的情况下,在内外导体间产生高场强,满足时域特性的阻抗要求。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解,构成本申请的一部分,本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1是本专利技术的结构示意图;图2是本专利技术的左视图;图中标号说明:1-外导体、2-绝缘支架、3-导弹壳体、4-内导体、5-圆柱导体、6-过渡体、7-喇叭头。具体实施 ...
【技术保护点】
一种直接电流测试传输装置,包括外导体(1)、绝缘支架(2)、 导弹壳体(3)、内导体(4)、圆柱导体(5)、过渡体(6)、喇叭头(7),其特征在于:所述外导体(1)两端连接有对称分布的绝缘支架(2),所述外导体(1)与绝缘支架(2)内侧同时与内导体(4)相连,所述绝缘支架(2)另一端固定有过渡体(6),所述过渡体(6)与内导体(4)尾端同时与喇叭头(7)固定相连,所述内导体(4)内侧中央设置有圆柱导体(5),所述圆柱导体(5)一端设置有导弹壳体(3)。
【技术特征摘要】
1.一种直接电流测试传输装置,包括外导体(1)、绝缘支架(2)、导弹壳体(3)、内导体(4)、圆柱导体(5)、过渡体(6)、喇叭头(7),其特征在于:所述外导体(1)两端连接有对称分布的绝缘支架(2),所述外导体(1)与绝缘支架(2)内侧同时与内导体(4)相连,所述绝缘支架(2)另一端固定有过渡体(6),所述过渡体(6)与内导体(4)...
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