The invention relates to a power supply isolation circuit applied to a true random number generator. In the smart card chip, because of security needs, need a true random number generator, and true random number generator theory now and realize the most mature is the low resistance thermal noise. Based on high frequency structure. This structure has high requirements for power isolation and anti-interference of low frequency oscillators and high frequency oscillators. The power isolating circuit consists of a voltage regulator module, isolation module and reference generation module consists of three parts; the invention can reduce the interference of 100 times, in the practical application can effectively reduce the power interference effect on random numbers, random number of guarantee.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术为一种特殊的电源隔离电路,在随机数发生器电路中起着至关重要的作用,属于模拟电路设计领域。
技术介绍
真随机数发生器(Trulyrandomnumbergenerator,TRNG)在信息安全领域,特别是现代密码学领域有非常重要的应用,它是密码系统硬件实现中的重要组成部分。相对于伪随机数发生器,真随机数发生器所产生的随机序列无法预知,不可再现,因此能够更好地保护信息的传输。一般人们利用自然界中的噪声源来产生真随机数。在电路系统中产生真随机数主要由四种方法实现:噪声源直接放大、抖动振荡器采样、离散时间的混沌系统映射和亚稳态电路。在这四种方法中,目前抖动振荡器采样,也就是利用抖动的慢振荡器去采样一个快振荡器这种方法利用最为广泛,但是在这个结构的中也存在一些难以避免的计数难题,其中最难解决的就是如何最大可能避免外接的各种有规律的干扰对慢振荡器产生影响。在这些干扰中,由于高频振荡器的存在,以及系统时钟的存在,在系统工作时,由于功耗的波动,必然会在电源上产生一些有规律的干扰。所以电源干扰就变成了我们不得不重点考虑的问题。本专利技术所涉及的电源隔离电路就应用于一个基于振荡器的真随机数发生器,用来保证将电阻热噪声转换为振荡器jitter的慢振荡器电路的电源不受到其他电路的干扰。
技术实现思路
(1)专利技术目的当采用快慢振荡器采样的真随机数结构时,由于慢振荡器承担着将电阻热噪声转换振荡器的jitter这一作用,所以其对电源噪声等外接干扰相对敏感。而快振荡器的频率一般远高于慢振荡器的频率,其产生的干扰不容忽视。并且由于此真随机数发生器应用于智能卡,要兼容非接触模式, ...
【技术保护点】
一种应用于真随机数发生器的电源隔离电路,其特征在于,该检测电路包含稳压模块、隔离模块和基准产生模块三部分组成,其中:稳压模块由MOS管PM1、NM1、NM2,电阻R1,R2串联构成,其中NM和NM2的栅端和漏端相连,接成二极管形式,NM2的源端接地;电阻R2一端与NM1的漏端相连,一端与电阻R1相连,电阻R1另一端与PM1的漏端相连,PM1的源端接外部电源;隔离模块由耗尽型MOS管NNM1、NNM2,电容C1、C2组成,其中NNM1的漏端与外部电源相接,栅端与C1和PM1的漏端相接;NNM2的栅端与NNM1的源端相连,栅端与C2、R1、R2相连。C1、C2的另一端接地;基准产生模块由MOS管PM2和PM3构成。其中PM2和PM3分别栅端和漏端相连,接成二极管形式,其中PM2的源端接NNM2的源端,作为经过稳压隔离的电源输出;PM3的源端与PM2的漏端相连,作为随机数的基准输出;PM3的漏端接地。
【技术特征摘要】
1.一种应用于真随机数发生器的电源隔离电路,其特征在于,该检测电路包含稳压模块、隔离模块和基准产生模块三部分组成,其中:稳压模块由MOS管PM1、NM1、NM2,电阻R1,R2串联构成,其中NM和NM2的栅端和漏端相连,接成二极管形式,NM2的源端接地;电阻R2一端与NM1的漏端相连,一端与电阻R1相连,电阻R1另一端与PM1的漏端相连,PM1的源端接外部电源;隔离模块由耗尽型MOS管NNM1、NNM2,电容C1、C2组成,其中NNM1的漏端与外部电源相接,栅端与C1和PM1的漏端相接;NNM2的栅端与NNM1的源端相连,栅端与C2、R1、R2相连。C1、C2的另一端接地;基准产生模块由MOS管PM2和PM3构成。其中PM2和PM3分别栅端和漏端相连,接成二极管形式,...
【专利技术属性】
技术研发人员:樊星,陈艳,
申请(专利权)人:北京中电华大电子设计有限责任公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。