一种光电二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种光电二极管，包括设置有空腔的盖体，盖体前端设置有用于接收外接光线的透镜，盖体相对于透镜的另一端设置有有机半导体盘，有机半导体盘上设置有与有机半导体盘垂直的引脚，盖体的内侧壁上设置有用于聚集光线至有机半导体盘上的镜面。其中，由于镜面的反射机制，能够最大限度将光线反射出去，使得从透镜上传导进来的光线能够经由镜面反射到有机半导体盘上，减少照射到盖体内侧壁上的能量，增加了对光线的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光电传感器件
，具体涉及一种光电二极管。
技术介绍
光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。现有技术上的光电二极管的径向截面中，由于光线为直线行进，位于侧边上的光会撞击到盖体的内侧壁上，一部分会被底面吸收而造成侧壁发热，另一部分被漫反射回盖体的空腔内，造成了能量的浪费，降低了对光线强度检测的准确性。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种能够充分利用光线的光电二极管。为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案：一种光电二极管，包括设置有空腔的盖体，盖体前端设置有用于接收外接光线的透镜，盖体相对于透镜的另一端设置有有机半导体盘，有机半导体盘上设置有与有机半导体盘垂直的引脚，盖体的内侧壁上设置有用于聚集光线至有机半导体盘上的镜面。通过该设置，使得从透镜上传导进来的光线能够经由镜面反射到有机半导体盘上，从而减少照射到盖体内侧壁上的能量，增加了对光线的利用率。本技术的进一步设置为：所述镜面的截面为从盖体的内侧壁向轴心方向往有机半导体盘上倾斜设置，镜面与盖体的内侧壁成锐角设置。通过该设置，实现了将光线反射到有机半导体盘上的目的。本技术的进一步设置为：所述镜面的截面的倾斜角度设置为15度。通过该设置，能够有效的将光线聚集到有机半导体盘上，实现对光线能量的最大利用率。本技术的进一步设置为：所述透镜包括延伸出盖体外的收光部和位于盖体内的散光部，收光部和散光部的外表面均呈半圆形。通过该设置，能够使得从外部接收的光线能够最大限度照射到有机半导体盘上，从而增加了光线的利用率。所述收光部的半径大于散光部。通过该设置，使得光线能够最大限度的被吸收，同时发散到有机半导体盘上。本技术具有以下优点：通过镜面的设置，使得从透镜上传导进来的光线能够经由镜面反射到有机半导体盘上，从而减少照射到盖体内侧壁上的能量，增加了对光线的利用率。附图说明图1为光电二极管的立体图；图2为光电二极管的俯视图；图3为图2中A-A处的放大图；图4为盖体和有机半导体盘的拆分示意图。附图标记：1、盖体；2、空腔；3、透镜；31、收光部；32、散光部；4、有机半导体盘；5、引脚；6、镜面。具体实施方式参照图1至图4对本技术做进一步说明。如图1至图3所示的一种光电二极管，包括设置有空腔2的盖体1，盖体1前端设置有用于接收外接光线的透镜3，盖体1相对于透镜3的另一端设置有有机半导体盘4，有机半导体盘4上设置有与有机半导体盘4垂直的引脚5，盖体1的内侧壁上设置有用于聚集光线至有机半导体盘4上的镜面6。其中，由于镜面6的反射机制，能够最大限度将光线反射出去，使得从透镜3上传导进来的光线能够经由镜面6反射到有机半导体盘4上，减少照射到盖体1内侧壁上的能量，增加了对光线的利用率。如图3，所述镜面6的截面为从盖体1的内侧壁向轴心方向往有机半导体盘4上倾斜设置，镜面6与盖体1的内侧壁成锐角设置。通过该设置，实现了将光线反射到有机半导体盘4上的目的。其中，该镜面6设置为倒圆台形，镜面6与盖体1内侧壁的锐角设置能够避免该处角度过大导致光线的反方向反射。所述镜面6的截面的倾斜角度设置为15度。通过该设置，能够有效的将光线聚集到有机半导体盘4上，实现对光线能量的最大利用率。其中，该倾斜角度为镜面6内壁与盖体1侧壁之间的夹角。所述透镜3包括延伸出盖体1外的收光部31和位于盖体1内的散光部32，收光部31和散光部32的外表面均呈半圆形。通过该设置，能够使得从外部接收的光线能够最大限度照射到有机半导体盘4上，从而增加了光线的利用率。收光部31的半径大于散光部32。通过该设置，使得光线能够最大限度的被吸收，同时发散到有机半导体盘上。以上所述仅是本技术的优选实施方式，本技术的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本技术思路下的技术方案均属于本技术的保护范围。应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电二极管，包括设置有空腔的盖体，盖体前端设置有用于接收外接光线的透镜，盖体相对于透镜的另一端设置有有机半导体盘，有机半导体盘上设置有与有机半导体盘垂直的引脚，其特征是：盖体的内侧壁上设置有用于聚集光线至有机半导体盘上的镜面。

【技术特征摘要】
1.一种光电二极管，包括设置有空腔的盖体，盖体前端设置有用于接收外接光线的透镜，盖体相对于透镜的另一端设置有有机半导体盘，有机半导体盘上设置有与有机半导体盘垂直的引脚，其特征是：盖体的内侧壁上设置有用于聚集光线至有机半导体盘上的镜面。2.根据权利要求1所述的一种光电二极管，其特征是：所述镜面的截面为从盖体的内侧壁向轴心方向往有机半导体盘上倾...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈迅，
申请(专利权)人：杭州华锦电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33