【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种横向扩散场效应晶体管;本专利技术还涉及一种横向扩散场效应晶体管的制造方法。
技术介绍
超高压横向扩散场效应晶体管(LDMOS)通常在漂移区中插入与漂移区导电类型相反的埋层,埋层可以帮助漂移区耗尽,这样可以适当提高漂移区浓度,还可保证超高压LDMOS的击穿电压。如图1所示,是现有横向扩散场效应晶体管的结构示意图;以N型LDMOS为例,现有LDMOS包括:漂移区102,由形成于P型半导体衬底如硅衬底101中的深N阱组成。在深N阱102的表面形成有场氧103,场氧103能为浅沟槽场氧(STI)或者局部场氧(LOCOS)。沟道区104,由形成于所述半导体衬底101的深N阱102中P阱组成。形成于所述半导体衬底101上方的多晶硅栅106,所述多晶硅栅106和所述半导体衬底101表面隔离有栅介质层,在横向上所述多晶硅栅106从所述沟道区104上方延伸到所述漂移区102的场氧103上方,被所述多晶硅栅106覆盖的所述沟道区104表面用于形成沟道;所述多晶硅栅106的第一侧面位于所述沟道区104上方、第二侧面位于所述漂移区102上方。N+区组成的源区107和漏区108,所述源区108形成于所述沟道区104中并和所述多晶硅栅106的第一侧面自对准,所述漏区108形成于所述漂移区102中。P+区组成的沟道引出区109,所述沟道引出区109形成于所述沟道区104中并用于将所述沟道区104引出,所述沟道引出区109和所述源区107横向接触。 ...
【技术保护点】
一种横向扩散场效应晶体管,其特征在于,包括:第一导电类型掺杂的漂移区,形成于第二导电类型半导体衬底中;第二导电类型掺杂的沟道区,形成于所述半导体衬底中;所述沟道区和所述漂移区侧面接触或相隔一定距离;在所述漂移区中形成有第二导电类型掺杂的第一埋层,所述第一埋层具有一横向间隔,所述横向间隔位于所述沟道区侧面的所述漂移区底部,所述横向间隔用于增加源漏电流的通路;在所述横向间隔底部的所述漂移区中形成有第二导电类型掺杂的第二埋层,所述第二埋层用于增加对所述横向间隔顶部的所述漂移区的耗尽,并使所述横向间隔顶部的所述漂移区能在漏端电压的初始阶段被充分耗尽、防止初始击穿。
【技术特征摘要】
1.一种横向扩散场效应晶体管,其特征在于,包括:
第一导电类型掺杂的漂移区,形成于第二导电类型半导体衬底中;
第二导电类型掺杂的沟道区,形成于所述半导体衬底中;所述沟道区和所述漂移
区侧面接触或相隔一定距离;
在所述漂移区中形成有第二导电类型掺杂的第一埋层,所述第一埋层具有一横向
间隔,所述横向间隔位于所述沟道区侧面的所述漂移区底部,所述横向间隔用于增加
源漏电流的通路;
在所述横向间隔底部的所述漂移区中形成有第二导电类型掺杂的第二埋层,所述
第二埋层用于增加对所述横向间隔顶部的所述漂移区的耗尽,并使所述横向间隔顶部
的所述漂移区能在漏端电压的初始阶段被充分耗尽、防止初始击穿。
2.如权利要求1所述的横向扩散场效应晶体管,其特征在于:所述第一埋层的
所述横向间隔为5微米以上。
3.如权利要求1所述的横向扩散场效应晶体管,其特征在于:所述第二埋层的
掺杂浓度为所述第一埋层的掺杂浓度的2倍~5倍。
4.如权利要求1所述的横向扩散场效应晶体管,其特征在于:所述第二埋层的
两侧和所述第一埋层有横向交叠。
5.如权利要求4所述的横向扩散场效应晶体管,其特征在于:所述第二埋层的
每一侧和所述第一埋层的横向交叠小于1微米。
6.如权利要求1所述的横向扩散场效应晶体管,其特征在于:所述第一埋层和
所述第二埋层都采用离子注入加快速热退火激活实现,所述第二埋层的离子注入的能
量是所述第一埋层的离子注入的能量的1.5倍,所述第二埋层的离子注入的剂量是所
述第一埋层的离子注入的剂量的2倍~5倍。
7.如权利要求1所述的横向扩散场效应晶体管,其特征在于:所述漂移区由深
阱组成。
8.如权利要求1所述的横向扩散场效应晶体管,其特征在于:所述漂移区由外
延层组成。
9.如权利要求1至8中任一权利要求所述的横向扩散场效应晶体管,其特征在
于:横向扩散场效应晶体管为N型器件,第一导电类型为N型,第二导电类型为P型。
10.如权利要求1至8中任一权利要求所述的横向扩散场效应晶体管,其特征在
于:横向扩散场效应晶体管为P型器件,第一导电类型为P型,第二导电类型为N型。
11.如权利要求1至8中任一权利要求所述的横向扩散场效应晶体管,其特征在
于,横向扩散场效应晶体管还包括:
形成于所述半导体衬底上方的多晶硅栅,所述多晶硅栅和所述半导体衬底表面隔
离有栅介质层,在横向上所述多晶硅栅从所述沟道区上方延伸到所述漂移区上方,被
所述多晶硅栅覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道;所述多晶硅栅的第一侧面位于所
述沟道区上方、第二侧面位于所述漂移区上方;
第一导电类型重掺杂的源区和漏区,所述源区形成于所述沟道区中并和所述多晶
硅栅的第一侧面自对准,所述漏区形成于所述漂移区中。
12.如权利要求11所述的横向扩散场效应晶体管,其特征在于,所述横向扩散
场效应晶体管还包括:
第二导电类型重掺杂的沟道引出区,所述沟道引出区形成于所述沟道区中并用于
将所述沟道区引出,所述沟道引出区和所述源区横向接触。
13.如权利要求11所述的横向扩散场效应晶体管,其特征在于,所述横向扩散
场效应晶体管还包括:
场氧,位于所述沟道区和所述漏区之间的所述漂移区上方,所述场氧的第二侧和
所述漏区横向接触,所述场氧的第一侧和所述沟道区相隔一段距离;所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱文生,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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