光传感器和包括光传感器的显示设备制造技术

公开一种光传感器和包括光传感器的显示设备。该光传感器包括：包括具有倾斜表面的反射部的第一电极层；被置于第一电极层上的第一半导体层；被置于第一半导体层上的第二电极层；以及被顺序地置于第二电极层上的第一介电层和第二介电层，其中第一介电层和第二介电层具有不同的介电常数值。此外，所公开的显示设备包括被置于基底上的多个像素区域以及形成在多个像素区域中至少一些像素区域中的传感器单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的所描述的技术总地来说涉及光传感器和包括光传感器的显示设备。
技术介绍
光传感器通常应用于显示设备，来实现诸如用户反应检测、环境光检测、文件扫描和指纹扫描之类的功能。然而，即使光传感器被包括在显示设备中，但由于常规的光传感器具有较低的感光效率，因此上面描述的功能不能顺利进行。因此，难以直接将上面描述的功能应用到显示设备。
技术实现思路
本公开提供了一种具有优异的感光效率的光传感器和包括光传感器的显示设备。本公开提供了一种光传感器，包括：包括具有倾斜表面的反射部的第一电极层；被置于第一电极层上的第一半导体层；被置于第一半导体层上的第二电极层；以及被顺序地置于第二电极层上的第一介电层和第二介电层，其中第一介电层和第二介电层具有不同的介电常数值。第一介电层具有第一介电常数值，第二介电层具有第二介电常数值，第一介电常数值大于第二介电常数值。第一介电常数值与第二介电常数值的差可以在3至60的范围内。第一介电层的第一介电常数值可以在10至60的范围内。第一介电层可以包括从由氧化铪(HfO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)、氧化钛(TiO)及其组合组成的组中选择的至少一种。第二介电层的第二介电常数值可以是10或更小。第二介电层可以包括从由二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)及其组合组成的组中选择的至少一种。反射部可以包括突起和凹陷。第二电极层可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)及其组合组成的组中选择的至少一种。第一半导体层可以包括从由氢化非晶硅、多晶硅以及包括镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)的氧化物中的至少一种的氧化物半导体组成的组中选择的至少一种。本公开提供了一种显示设备，包括：被置于基底上的多个像素区域；以及形成在多个像素区域中的至少一些像素区域中的传感器单元，其中传感器单元包括根据本专利技术的一个示例性实施例的光传感器。该光传感器包括：包括具有倾斜表面的反射部的第一电极层；被置于第一电极层上的第一半导体层；被置于第一半导体层上的第二电极层；以及被顺序地置于第二电极层上的第一介电层和第二介电层，其中第一介电层和第二介电层具有不同的介电常数值。第一介电层具有第一介电常数值，第二介电层具有第二介电常数值，并且第一介电常数值大于第二介电常数值。反射部可以包括突起和凹陷。多个像素区域可以分别包括发光部和电连接至发光部的薄膜晶体管，并且薄膜晶体管可以包括第二半导体层以及被置于第二半导体层上、与第二半导体层部分地重叠并彼此分离的源电极和漏电极。第二半导体层可以是包括镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)的氧化物中的至少一种的氧化物半导体层。第二半导体层可以包括氧化铟镓锌，并且第一半导体层可以包括氢化非晶硅。源电极和漏电极可以被置于与第一电极层相同的层上。光传感器可以是补偿传感器。光传感器可以是触摸传感器。根据本专利技术的一个示例性实施例的光传感器可以显著提高感光效率。此外，由于根据本公开的光传感器可以用作补偿传感器，因此在将光传感器应用于显示设备时，可以得到显示设备的亮度均匀性。另一方面，由于根据本公开的光传感器可以用作触摸传感器，因此当将光传感器应用于显示设备时，可以实现具有优异的触摸感测功能并同时具有薄的厚度和优异的显示质量的显示设备。附图说明根据下面结合附图对优选实施例的详细描述，本专利技术的示例性实施例可以被最好地理解，附图中：图1是根据本专利技术的一个示例性实施例的光传感器的剖视图；图2是示出了根据本专利技术的一个示例性实施例的显示设备的结构的框图；图3是根据本专利技术的一个示例性实施例的显示设备的剖视图；图4至图8是顺序地示出了根据本专利技术的一个示例性实施例的显示设备的制造工艺的图；以及图9和图10是根据本专利技术的另一示例性实施例的显示设备的剖视图。由于图1至图10中的各图旨在例示的目的，因此各图中的元件不一定按比例绘制。例如，为了清楚的目的，一些元件可能被放大或夸大了。具体实施方式在下文中将参考其中示出了本专利技术的示例性实施例的附图更充分地描述本公开。如本领域技术人员将认识到的，本专利技术的所描述的示例性实施例可以以各种不同的方式修改，所有这些都不脱离本公开的精神或范围。贯穿本说明书，将理解的是，当例如层、膜、区域或基底的元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。此外，在说明书中，“上”这个词意味着被置于对象部分的上或下，而不是必然意味着被置于对象部分的基于重力方向的上侧。另外，除非明确描述为相反，否则词语“包括”及其变型将被理解为暗示包括所陈述的元件，但不排除任何其它元件。此外，为了更好理解和易于描述，图中所示的每个结构的大小和厚度被任意地示出，但是本公开不限于此。此外，贯穿本说明书，由相同的附图标记表示的部分意味着相同的组成元件。图1是根据本专利技术的一个示例性实施例的光传感器的剖视图。参考图1，根据本专利技术的一个示例性实施例的光传感器201包括第一电极层250、第一半导体层251、第二电极层252、第一介电层310和第二介电层311。首先，第一电极层250被置于基底110上。在该例子中，基底110可以由诸如玻璃、金属或PVC的硬质材料形成，然而其可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PA)或三乙酰纤维素(TAC)的柔性材料形成，不过不限于此。也就是说，在本公开中，基底110不受诸如种类、属性或材料的各种物理属性限制。用于防止杂质元素渗透并且用于平坦化基底110的表面的缓冲层120可被置于基底110上。在该例子中，缓冲层120可以由能够执行这些功能的各种材料制成，并可以由单层、或者双层或更多层的多层结构形成。例如，氮化硅(SiNx)层、氧化硅(SiOx)层或氮氧化硅(SiOxNy)层可被用作缓冲层120的形成材料，但不限于此。然而，缓冲层120不是必需的结构，可以根据基底110的种类和工艺条件被省略。栅极绝缘层140被设置在缓冲层120上。栅极绝缘层140可以包括正硅酸乙酯(TEOS)、氮化硅和氧化硅中的至少一种，并可以被制成为单层或多层。包括无机材料和有机材料中的至少一种的蚀刻停止层160被置于栅极绝缘层140上，并且蚀刻停止层160也可以形成为单层或多层。由于位于蚀刻停止层160上的第一电极层250包括位于局部区域上的、具有倾斜表面的反射部，因此蚀刻停止层160可包括与第一电极层250的反射部相对应的突起和凹陷。在一个可替代实施例中，第一电极层250将被置于其中的层不限于蚀刻停止层160。例如，缓冲层120、栅极绝缘层140和蚀刻停止层160中的至少一个可以被省略，并且在这种情况下，与第一电极层250的反射部相对应的突起和凹陷可以形成在第一电极层250将被置于其中的层上。例如，当缓冲层120、栅极绝缘层140和蚀刻停止层160都被省略时，与第一电极层250的反射部相对应的突起和凹陷可以形成在基底110上。接着，第一电极层250被置于蚀刻停止层160中形成有突起和凹陷的局部区域上。第一电极层250包括具有倾斜表面的反射部，并且可包括突起和凹陷。图1示出了突起和凹本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光传感器，包括：第一电极层，包括具有倾斜表面的反射部；第一半导体层，被置于所述第一电极层上；第二电极层，被置于所述第一半导体层上；以及第一介电层和第二介电层，被顺序地置于所述第二电极层上，其中所述第一介电层和所述第二介电层具有不同的介电常数值。

【技术特征摘要】
2015.09.23 KR 10-2015-01348571.一种光传感器，包括：第一电极层，包括具有倾斜表面的反射部；第一半导体层，被置于所述第一电极层上；第二电极层，被置于所述第一半导体层上；以及第一介电层和第二介电层，被顺序地置于所述第二电极层上，其中所述第一介电层和所述第二介电层具有不同的介电常数值。2.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述第一介电层具有第一介电常数值，所述第二介电层具有第二介电常数值，所述第一介电常数值大于所述第二介电常数值，并且所述第一介电常数值与所述第二介电常数值的差在3至60的范围内。3.根据权利要求2所述的光传感器，其中所述第一介电常数值在10至60的范围内，并且所述第一介电层包括从由氧化铪、氧化钇、氧化锶、氧化钡、氧化钛及其组合组成的组中选择的至少一种。4.根据权利要求2所述的光传感器，其中所述第二介电常数值是10或更小，并且所述第二介电层包括从由二氧化硅、氮化硅及其组...

【专利技术属性】
技术研发人员：林基主，金珉圣，阮成进，李在燮，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR