光传感器和包括光传感器的显示设备制造技术

公开一种光传感器和包括光传感器的显示设备。该光传感器包括：包括具有倾斜表面的反射部的第一电极层；被置于第一电极层上的第一半导体层；被置于第一半导体层上的第二电极层；以及被顺序地置于第二电极层上的第一介电层和第二介电层，其中第一介电层和第二介电层具有不同的介电常数值。此外，所公开的显示设备包括被置于基底上的多个像素区域以及形成在多个像素区域中至少一些像素区域中的传感器单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的所描述的技术总地来说涉及光传感器和包括光传感器的显示设备。
技术介绍
光传感器通常应用于显示设备，来实现诸如用户反应检测、环境光检测、文件扫描和指纹扫描之类的功能。然而，即使光传感器被包括在显示设备中，但由于常规的光传感器具有较低的感光效率，因此上面描述的功能不能顺利进行。因此，难以直接将上面描述的功能应用到显示设备。
技术实现思路
本公开提供了一种具有优异的感光效率的光传感器和包括光传感器的显示设备。本公开提供了一种光传感器，包括：包括具有倾斜表面的反射部的第一电极层；被置于第一电极层上的第一半导体层；被置于第一半导体层上的第二电极层；以及被顺序地置于第二电极层上的第一介电层和第二介电层，其中第一介电层和第二介电层具有不同的介电常数值。第一介电层具有第一介电常数值，第二介电层具有第二介电常数值，第一介电常数值大于第二介电常数值。第一介电常数值与第二介电常数值的差可以在3至60的范围内。第一介电层的第一介电常数值可以在10至60的范围内。第一介电层可以包括从由氧化铪(HfO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)、氧化钛(TiO)及其组合组成的组中选择的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光传感器，包括：第一电极层，包括具有倾斜表面的反射部；第一半导体层，被置于所述第一电极层上；第二电极层，被置于所述第一半导体层上；以及第一介电层和第二介电层，被顺序地置于所述第二电极层上，其中所述第一介电层和所述第二介电层具有不同的介电常数值。

【技术特征摘要】
2015.09.23 KR 10-2015-01348571.一种光传感器，包括：第一电极层，包括具有倾斜表面的反射部；第一半导体层，被置于所述第一电极层上；第二电极层，被置于所述第一半导体层上；以及第一介电层和第二介电层，被顺序地置于所述第二电极层上，其中所述第一介电层和所述第二介电层具有不同的介电常数值。2.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述第一介电层具有第一介电常数值，所述第二介电层具有第二介电常数值，所述第一介电常数值大于所述第二介电常数值，并且所述第一介电常数值与所述第二介电常数值的差在3至60的范围内。3.根据权利要求2所述的光传感器，其中所述第一介电常数值在10至60的范围内，并且所述第一介电层包括从由氧化铪、氧化钇、氧化锶、氧化钡、氧化钛及其组合组成的组中选择的至少一种。4.根据权利要求2所述的光传感器，其中所述第二介电常数值是10或更小，并且所述第二介电层包括从由二氧化硅、氮化硅及其组...

【专利技术属性】
技术研发人员：林基主，金珉圣，阮成进，李在燮，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR