【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
,具体而言,涉及一种方采用锑硫矿直接制备三氧化二锑的方法。
技术介绍
三氧化二锑为一种广泛应用的半导体材料,现有的三氧化二锑大多采用锑化合物制备而成,而各类锑化合物制备过程往往存在对锑的消耗,并未见由锑硫矿直接制备三氧化二锑的方法。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提出了一种锑硫矿制备三氧化二锑的方法,采用锑硫矿直接制备三氧化二锑。为了实现上述目的,本专利技术所采用的技术方案为,一种锑硫矿制备三氧化二锑的方法包括以下步骤:①锑硫分离:在常压下,将锑硫矿置入初始浓度为4.5mol/L~6mol/L的盐酸中进行浸出,浸出过程中向浸出体系持续通入臭氧,浸出过程中的浸出温度控制为65℃~85℃,浸出过程中的液固比控制为8∶1~15∶1,浸出时间控制为3h~5h,在搅拌条件下实现金属锑的浸出,再经液固分离后得到三氯化锑溶液和固相;②溶液浓缩:在65~85℃条件下对三氯化锑溶液浓缩到140~180g/L;③氨解制备:在55~65℃水域条件下,向经过浓缩的三氯化锑溶液中加入95wt%的乙醇,搅拌15min后滴加25~28wt%的氨水,回流30~40min,趁热抽滤,用蒸馏水洗涤3~5次后,再用乙醇洗涤一次抽干即得。作为优选,所述步骤①为在常压下,将锑硫矿置入初始浓度为5mol/L的盐酸中进行浸出,浸出过程中向浸出体系持续通入臭氧,浸出过程中的浸出温度控制为70℃,浸出过程中的液固比控制为12∶1,浸出时间控制为4h,在搅拌条件下实现金属锑的浸出,再经液固分离后得到三氯化锑溶液和固相。作为优选,所述步骤②为在75℃条件下对三氯化锑溶液浓缩到 ...
【技术保护点】
一种锑硫矿制备三氧化二锑的方法,其特征在于:包括以下步骤:①锑硫分离:在常压下,将锑硫矿置入初始浓度为4.5mol/L~6mol/L的盐酸中进行浸出,浸出过程中向浸出体系持续通入臭氧,浸出过程中的浸出温度控制为65℃~85℃,浸出过程中的液固比控制为8∶1~15∶1,浸出时间控制为3h~5h,在搅拌条件下实现金属锑的浸出,再经液固分离后得到三氯化锑溶液和固相;②溶液浓缩:在65~85℃条件下对三氯化锑溶液浓缩到140~180g/L;③氨解制备:在55~65℃水域条件下,向经过浓缩的三氯化锑溶液中加入95wt%的乙醇,搅拌15min后滴加25~28wt%的氨水,回流30~40min,趁热抽滤,用蒸馏水洗涤3~5次后,再用乙醇洗涤一次抽干即得。
【技术特征摘要】
1.一种锑硫矿制备三氧化二锑的方法,其特征在于:包括以下步骤:①锑硫分离:在常压下,将锑硫矿置入初始浓度为4.5mol/L~6mol/L的盐酸中进行浸出,浸出过程中向浸出体系持续通入臭氧,浸出过程中的浸出温度控制为65℃~85℃,浸出过程中的液固比控制为8∶1~15∶1,浸出时间控制为3h~5h,在搅拌条件下实现金属锑的浸出,再经液固分离后得到三氯化锑溶液和固相;②溶液浓缩:在65~85℃条件下对三氯化锑溶液浓缩到140~180g/L;③氨解制备:在55~65℃水域条件下,向经过浓缩的三氯化锑溶液中加入95wt%的乙醇,搅拌15min后滴加25~28wt%的氨水,回流30~40min,趁热抽滤,用蒸馏水洗涤3~5次后,再用乙醇洗涤一次抽干即得。2.根据权利要求1所述的一种锑硫矿制备三氧化二锑的方法,其特征在于:所述步骤①为在常压下,将锑硫矿置入初始浓度为5m...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭春雨,陈俊,陈云博,于平,于清炎,干大强,
申请(专利权)人:乐山凯亚达光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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