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本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种方采用锑硫矿直接制备三氧化二锑的方法，包括锑硫分离、溶液浓缩、氨解制备三部，可以直接将锑硫矿直接制备为三氧化二锑。制备方法简单且易于操作，对环境无污染。...
该专利属于乐山凯亚达光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过乐山凯亚达光电科技有限公司授权不得商用。

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