发光装置及其驱动方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及发光装置及其驱动方法。提供一种能够防止在开启电源之后出现残像的发光装置。在切断施加给发光元件的电源电压的供应之前或之后，初始化控制对发光元件供应电源电压的晶体管的栅电极的电位。特定地，在其中该晶体管为n沟道型的情况下，初始化该栅电极的电位使得栅电压等于或低于阈值电压。在其中该晶体管为p沟道型的情况下，初始化该栅电极的电位使得栅电压等于或高于阈值电压。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2013年2月22日、申请号为201380013921.5、题为“发光装置及其驱动方法”的分案申请。
本专利技术涉及物质、方法、制造方法、工艺(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者物质组成(compositionofmatter)。特定地，例如，本专利技术涉及半导体装置、显示装置、发光装置、上述装置的驱动方法、或者上述装置的制造方法。特定地，例如，本专利技术涉及其中在每一个像素中设置有一个或更多个晶体管的发光装置以及其驱动方法。
技术介绍
由于使用发光元件的发光装置具有高可见度，合适于减少厚度，且没有视角上的限制，所以该发光装置引人注目，其作为CRT(阴极射线管)或液晶显示装置的替代物。取决于制造商，使用发光元件的有源矩阵显示装置的具体提出的结构彼此不同。一般来说，像素至少包括发光元件、控制向像素输入图像信号的晶体管(开关晶体管)、以及控制供应给该发光元件的电流量的晶体管(驱动晶体管)。近年来，被称为氧化物半导体的具有半导体特性的金属氧化物引人注目作为新颖的半导体，该半导体如多晶硅或微晶硅的情况一样具有高迁移率，并如非晶硅的情况一样具有均匀的元件特性。氧化物半导体能够沉积在诸如玻璃衬底之类的具有低应变点的衬底上，并且可用于第5代(其一侧超过1000mm)或更高代的大型衬底。另外，在其中像素的晶体管中使用上述氧化物半导体代替硅或锗之类的常规半导体的发光装置趋于实用化。专利文献1描述了其中用来驱动有机EL元件的TFT的活性层包含氧化物半导体的有机EL显示装置。专利文献2描述了其中薄膜晶体管的活性层使用氧化物半导体形成的有机场致发光显示装置。参考文献专利文献[专利文献1]日本专利申请公开No.2009-031750[专利文献2]日本专利申请公开No.2011-100092
技术实现思路
包含通过减少用作电子施主的水分或氢之类的杂质且减少氧缺陷而进行高度提纯的氧化物半导体的晶体管具有极小的截止态电流的特性。通过将具有上述特性的晶体管用于发光装置的像素，可防止由完成图像信号输入后驱动晶体管中的栅电极的电位变动导致的发光元件的亮度发生变化。然而，在上述发光装置中，即使在切断发光装置的电源后，图像信号的电位可能被保持在驱动晶体管的栅电极中。因此，在该发光装置中，有时在开启电源后可显示刚关闭电源前所显示的图像作为残像。鉴于上述技术背景，本专利技术的目的是提供一种可防止在开启电源后出现残像的发光装置。本专利技术的目的是提供一种可防止在开启电源后出现残像的发光装置的驱动方法。注意，这些课题的记载并不妨碍其他课题的存在。在本专利技术的一个实施例中，不必须要达到上述所有目的。从说明书、附图、权利要求书等的记载可明显看到其他目的，且可以从说明书、附图、权利要求书等的记载推导出其他目的。在根据本专利技术的一个实施例的发光装置中，在切断供应施加到发光元件的电源电压之前或之后，初始化用于控制向发光元件供应电源电压的晶体管的栅电极的电位。特定地，在其中该晶体管为n沟道型的情况下，将栅电极与源极端子之间的电位差(栅电压)减小或低于阈值电压，来初始化栅电极的电位。在其中该晶体管为p沟道型的情况下，将栅电压增加到等于或高于阈值电压，来初始化栅电极的电位。通过初始化上述晶体管的栅电极的电位，包含图像数据的信号的电位不保持在栅电极中且该晶体管可完全截止(非导通)。因此，可以在将施加到发光元件的电源电压施加至像素后，防止电流通过该晶体管流至发光元件。由此，在其中使用诸如包含氧化物半导体的晶体管之类的具有极低的截止态电流的晶体管的发光装置中，可以防止在开启电源后、在向像素输入具有图像数据的信号之前出现残像。特定地，根据本专利技术的一个实施例的发光装置包括：面板；控制器，该控制器选择第一信号和具有图像数据的第二信号中的一个并将所选择的信号发送到面板；以及电源电路，当第二信号被控制器选择并发送到面板时该电源电路响应于来自控制器的指令向面板供应电源电压，并且在第一信号被控制器选择并发送到面板后该电源电路响应于来自控制器的指令切断向面板供应电源电压。面板具有多个像素。多个像素的每一个包括第一晶体管、第二晶体管，第一信号或者第二信号通过第一晶体管施加至该第二晶体管的栅电极，并且在第一信号施加到栅电极时该第二晶体管截止；以及发光元件，该发光元件通过第二晶体管被供应电源电压。特定地，根据本专利技术的一个实施例的发光装置包括：面板；控制器，该控制器选择第一信号和具有图像数据的第二信号中的一个并将所选择的信号发送到面板；以及电源电路，在控制器选择第一信号并发送到面板后、且在控制器选择第二信号并发送到面板前，该电源电路响应于来自控制器的指令向面板供应电源电压。面板具有多个像素。多个像素的每一个包括第一晶体管、第二晶体管，第一信号或者第二信号通过第一晶体管供应给该第二晶体管的栅电极，并且在第一信号施加到栅电极时该第二晶体管截止；以及发光元件，该发光元件通过第二晶体管被供应电源电压。特定地，在根据本专利技术的一个实施例的发光装置的驱动方法中，在切断向像素供应电源电压前，向用于控制向像素中的发光元件供应电源电压的晶体管的栅电极施加信号来截止该晶体管。特定地，在根据本专利技术的一个实施例的发光装置的驱动方法中，在向像素供应电源电压前，向用于控制对像素的发光元件供应电源电压的晶体管的栅电极施加信号来截止该晶体管。根据本专利技术的一个实施例，可以获得一种防止在电源开启后出现残像的发光装置。根据本专利技术的一个实施例，可以获得一种防止在电源开启后出现残像的发光装置的驱动方法。附图说明图1A和1B示出发光装置的结构及像素的结构。图2A至2D示出像素的操作。图3A和3B示意性地示出像素部的操作。图4示出发光装置的结构。图5A和5B是像素的电路图。图6示出像素部的结构。图7是像素的截面图。图8A至8C是像素的截面图。图9是发光装置的透视图。图10A至10E是电子设备的图。图11A和11B是像素的电路图及时序图。图12示出扫描线驱动电路的电路图。图13A至13C示意性地示出扫描线驱动电路的构成组件。图14是移位寄存器的电路图。图15是移位寄存器的电路图。图16是移位寄存器的电路图。图17是移位寄存器的电路图。图18是虚拟级的移位寄存器的电路图。图19是虚拟级的移位寄存器的电路图。图20是虚拟级的移位寄存器的电路图。图21是虚拟级的移位寄存器的电路图。图22A和22B是反相器的电路图。图23是时序图。图24是面板的边框外围的照片。具体实施例下面，将参照附图对本专利技术的实施例进行详细说明。但是，本专利技术不局限于以下说明，而所属
的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其实施例及详细内容在不脱离本专利技术的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本专利技术不应该被解释为限定在以下所示的实施例的记载的内容中。实施例1在图1A的框图中示出根据本专利技术的一个实施例的发光装置的结构示例。虽然该框图以独立的框示出根据它们的功能被划分的元件，但是，实践中难以根据功能完全划分这些元件，在一些情况下，一个元件会具有多个功能。图1A中的发光装置100至少包含面板103、控制器104、以及电源电路105，该面板103在像素部102中具有多个像素101。每一个像素101包含发光元件以及用于控制该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：包含多个像素的面板；控制器；以及电源电路，其中，所述控制器将第一信号和第二信号中的一个发送到所述面板，所述电源电路配置为当所述控制器将所述第二信号发送到所述面板时向所述面板提供电源电压的供应，并且在所述控制器将所述第一信号发送到所述面板后切断向所述面板供应所述电源电压，其中所述多个像素的每一个包括第一晶体管、第二晶体管、以及发光元件，其中当通过所述第一晶体管将所述第一信号施加到所述第二晶体管的栅电极时，所述第二晶体管被截止，且其中所述发光元件配置为通过所述第二晶体管被施加所述电源电压。

【技术特征摘要】
2012.03.13 JP 2012-055269;2012.11.30 JP 2012-261861.一种发光装置，包括：包含多个像素的面板；控制器；以及电源电路，其中，所述控制器将第一信号和第二信号中的一个发送到所述面板，所述电源电路配置为当所述控制器...

【专利技术属性】
技术研发人员：丰高耕平，楠纮慈，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP