发光控制电路、具有发光控制电路的显示设备及其驱动方法技术

本申请公开了用于控制有机发光二极管(OLED)的发光的发光控制电路，其包括配置为检测OLED的发光强度的光传感器、第一薄膜晶体管(TFT)、第二TFT、第三TFT、第四TFT、第五TFT、第六TFT、第一电容器、以及第二电容器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及显示
，具体涉及发光控制电路、具有发光控制电路的显示设备及其驱动方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示器是显示技术中的研究重点。相比于液晶显示(LCD)设备，OLED显示设备具有许多优点，例如低功耗、低制造成本、自发光、更宽的视角以及更快速的响应。因此，OLED显示器得到了诸如在移动电话、个人数字助理(PDA)、数码相机、电视、平板电脑、以及便携式计算机中的广泛应用。
技术实现思路
一方面，本专利技术提供了一种用于控制有机发光二极管(OLED)的发光的发光控制电路，包括：配置为检测OLED的发光强度的光传感器；第一薄膜晶体管(TFT)；第二TFT；第三TFT；第四TFT；第五TFT；第六TFT；第一电容器；以及第二电容器；其中第一电容器具有配置为被提供电压电平Vcom的第一端子以及耦接至第一公共节点的第二端子，所述第一公共节点被光传感器的阳极以及第一TFT和第二TFT的源极节点所共享；第一TFT具有由第一控制信号控制的栅极、以及配置为被提供电压电平Vcom的漏极节点；第二TFT具有由第二控制信号控制的栅极、以及耦接至第三TFT和第四TFT的栅极的漏极节点；第三TFT具有配置为被提供系统高电压电平VGH的源极节点、以及耦接至第二公共节点的漏极节点，所述第二公共节点与第五TFT的漏极节点和第二电容器的第一端子共享；第四TFT具有配置为被提供系统高电压电平VGH的源极节点；第二电容器具有配置为被提供第三控制信号的第二端子；第五TFT具有由第四控制信号控制的栅极、以及配置为被提供系统低电压电平VGL的源极节点；并且第六TFT具有耦接至第二公共节点的栅极、配置为被提供第五控制信号的源极节点、以及耦接至第四TFT的漏极节点的漏极节点,用于输出发光控制信号。可选地，所述光传感器包括OLED的衬底基板上的PN结。可选地，所述PN结是PIN光电二极管，并且配置为具有处于系统低电压电平的P+掺杂半导体区的阴极、耦接至所述第一公共节点的N+掺杂半导体区的阳极、以及所述P+掺杂半导体区与所述N+掺杂半导体区之间的非晶硅本征区。可选地，所述PIN光电二极管配置为检测一个时间段内的OLED的发光强度，用于生成光电流从而使得所述第一公共节点处的电压电平从电压电平Vcom降低第一量而达到降低后的电压电平，所述第一量依赖于P+掺杂半导体区和N+掺杂半导体区的掺杂属性。可选地，如果第二控制信号使第二TFT导通，第一公共节点处的电压电平降低至足够低的电平来使第四TFT导通。可选地，所述发光控制信号是用于像素驱动电路的输入信号，所述像素驱动电路配置为补偿OLED的晶体管阈值电压偏移。可选地，其中所述发光控制信号是在一连续时间跨度中的一个或多个间歇时间段中足以关闭所述有机发光二极管发光的高电压电平，所述第五控制信号在所述连续时间跨度期间保持在低电压电平,且所述发光控制信号在所述第五控制信号保持在高电压电平时的时间段内为足以关闭有机发光二极管发光的所述高电压电平。可选地，第三控制信号、第四控制信号、和第五控制信号是与像素驱动电路共享的时钟信号。可选地，第一控制信号是用于重置光传感器的单独生成的时钟信号。可选地，第二控制信号是用于将第二TFT切换为导通或关断的单独生成的时钟信号。可选地，第一TFT、第二TFT、第三TFT、第四TFT、第五TFT、和第六TFT均为P型晶体管。另一方面，本专利技术提供了一种用于使用所述的发光控制电路控制有机发光二极管(OLED)的发光的驱动方法，所述驱动方法包括：在第一时间段，将第一控制信号设置为足以使第一TFT导通并将第一公共节点保持在电压电平Vcom的低电平，将第四控制信号设置为足以使第五TFT导通的低电平，以允许系统低电压电平VGL传到第二公共节点来使第六TFT导通，并且将第二控制信号设置为足以使第二TFT关断并进而关断第三TFT和第四TFT的高电平；在第二时间段，将第一控制信号切换至足以使第一TFT关断的高电平，将第二控制信号设置为足以使第二TFT导通的低电平，光传感器经历OLED发出的足够高强度的光而生成光电流，以将第一公共节点的电压从电压电平Vcom下拉至用于使第三TFT导通的足够低的电压电平，从而允许系统高电压电平VGH传到第二公共节点来关断第六TFT，将第四控制信号设置为足以关断第五TFT的高电平，并且通过第一公共节点处的足够低的电压电平来使第四TFT导通，以允许系统高电压电平VGH传到第四TFT的漏极节点；在第三时间段，将第二控制信号切换至用于关断第二TFT并进而关断第三TFT和第四TFT的高电平，将第四控制信号设置为低电平，其足以使第五TFT导通并进而将第二公共节点处的电压电平降低至足以使第六TFT导通的低电压电平；在第四时间段，保持第一TFT、第二TFT、第三TFT、第四TFT关断，将第四控制信号切换至足以关断第五TFT的高电平，以保持第二公共节点处于悬浮状态，将第三控制信号切换至低电平以将第二公共节点的电压下拉至足够低的电平，以保持第六TFT导通；在第五时间段，保持第一TFT、第二TFT、第三TFT、第四TFT关断，将第四控制信号切换至足以使第五TFT导通的低电平，以将第二公共节点的电压下拉至用于使第六TFT导通的系统低电压电平；以及在第六时间段，使第一TFT和第二TFT导通以保持第一公共节点处于电压电平Vcom，从而保持第三TFT和第四TFT关断，将第四控制信号切换至足以关断第五TFT的高电平以保持第二公共节点处于悬浮状态，并且将第三控制信号设置为低电平，以将第二公共节点的电压下拉至足够低的电平以保持第六TFT导通。可选地，在第二时间段关断第六TFT，并且使第四TFT导通以将系统高电压电平VGH从其源极节点传到其漏极节点，用于在第二时间段内输出用于间歇性地关闭OLED发光的高电压电平的发光控制信号。可选地，在第三时间段和第四时间段，关断第四TFT并使第六TFT导通，以使得设置为低电压电平的第五控制信号从第六TFT的源极节点传到第六TFT的漏极节点，用于输出低电压电平作为发光控制信号，以保持OLED发光开启。可选地，在第五时间段，关断第四TFT并且使第六TFT导通，以使得设置为高电压电平的第五控制信号从第六TFT的源极节点传到第六TFT的漏极节点，用于输出高电压电平作为发光控制信号，以关闭OLED发光。可选地，在第一时间段，第一控制信号是选择性地施加到第一TFT的栅极的重置信号。可选地，在第六时间段，第一控制信号是以足以使第一TFT导通的低电平选择性地施加到第一TFT的栅极的重置信号，并且将第二控制信号设置为足以使第二TFT导通的低电压电平。另一方面，本专利技术提供了一种显示设备，包括：用于图像显示的多个像素，每个像素包括至少一个有机发光二极管(OLED)，其中所述至少一个OLED包括衬底基板、所述衬底基板上的薄膜晶体管、位于薄膜晶体管的远离衬底基板的一侧上的第一电极层、位于第一电极层的远离衬底基板的一侧上的电致发光材料层、以及位于电致发光材料层的远离第一电极层的一侧上的第二电极层；以及上述的发光控制电路，其配置为生成发光控制信号，用于根据光传感器检测到的OLED的发光强度在图像显示期间的一个或多个间歇时间段中选择性地关闭OLED。可选地，所述显示设备还包括像素驱动电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于控制有机发光二极管的发光的发光控制电路，包括：光传感器，其配置为检测有机发光二极管的发光强度；第一薄膜晶体管；第二薄膜晶体管；第三薄膜晶体管；第四薄膜晶体管；第五薄膜晶体管；第六薄膜晶体管；第一电容器；以及第二电容器；其中第一电容器具有配置为被提供电压电平Vcom的第一端子以及耦接至第一公共节点的第二端子，所述第一公共节点被光传感器的阳极以及第一薄膜晶体管的源极节点和第二薄膜晶体管的源极节点所共享；第一薄膜晶体管具有由第一控制信号控制的栅极、以及配置为被提供电压电平Vcom的漏极节点；第二薄膜晶体管具有由第二控制信号控制的栅极、以及耦接至第三薄膜晶体管的栅极和第四薄膜晶体管的栅极的漏极节点；第三薄膜晶体管具有配置为被提供系统高电压电平VGH的源极节点、以及耦接至第二公共节点的漏极节点，所述第二公共节点与第五薄膜晶体管的漏极节点和第二电容器的第一端子共享；第四薄膜晶体管具有配置为被提供系统高电压电平VGH的源极节点；第二电容器具有配置为被提供第三控制信号的第二端子；第五薄膜晶体管具有由第四控制信号控制的栅极、以及配置为被提供系统低电压电平VGL的源极节点；以及第六薄膜晶体管具有耦接至第二公共节点的栅极、配置为被提供第五控制信号的源极节点、以及耦接至第四薄膜晶体管的漏极节点的漏极节点，用于输出发光控制信号。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于控制有机发光二极管的发光的发光控制电路，包括：光传感器，其配置为检测有机发光二极管的发光强度；第一薄膜晶体管；第二薄膜晶体管；第三薄膜晶体管；第四薄膜晶体管；第五薄膜晶体管；第六薄膜晶体管；第一电容器；以及第二电容器；其中第一电容器具有配置为被提供电压电平Vcom的第一端子以及耦接至第一公共节点的第二端子，所述第一公共节点被光传感器的阳极以及第一薄膜晶体管的源极节点和第二薄膜晶体管的源极节点所共享；第一薄膜晶体管具有由第一控制信号控制的栅极、以及配置为被提供电压电平Vcom的漏极节点；第二薄膜晶体管具有由第二控制信号控制的栅极、以及耦接至第三薄膜晶体管的栅极和第四薄膜晶体管的栅极的漏极节点；第三薄膜晶体管具有配置为被提供系统高电压电平VGH的源极节点、以及耦接至第二公共节点的漏极节点，所述第二公共节点与第五薄膜晶体管的漏极节点和第二电容器的第一端子共享；第四薄膜晶体管具有配置为被提供系统高电压电平VGH的源极节点；第二电容器具有配置为被提供第三控制信号的第二端子；第五薄膜晶体管具有由第四控制信号控制的栅极、以及配置为被提供系统低电压电平VGL的源极节点；以及第六薄膜晶体管具有耦接至第二公共节点的栅极、配置为被提供第五控制信号的源极节点、以及耦接至第四薄膜晶体管的漏极节点的漏极节点，用于输出发光控制信号。2.根据权利要求1所述的发光控制电路，其中所述光传感器包括有机发光二极管的衬底基板上的PN结。3.根据权利要求2所述的发光控制电路，其中所述PN结是PIN光电二极管，并且配置为具有处于系统低电压电平的P+掺杂半导体区的阴极、耦接至所述第一公共节点的N+掺杂半导体区的阳极、以及所述P+掺杂半导体区与所述N+掺杂半导体区之间的非晶硅本征区。4.根据权利要求3所述的发光控制电路，其中所述PIN光电二极管配置为检测一个时间段内的有机发光二极管的发光强度，用于生成光电流从而使得所述第一公共节点处的电压电平从电压电平Vcom降低第一量而达到降低后的电压电平，所述第一量依赖于P+掺杂半导体区和N+掺杂半导体区的掺杂属性。5.根据权利要求4所述的发光控制电路，其中如果第二控制信号使第二薄膜晶体管导通，第一公共节点处的电压电平降低至足够低以使第四薄膜晶体管导通的电平。6.根据权利要求1所述的发光控制电路，其中所述发光控制信号是用于像素驱动电路的输入信号，所述像素驱动电路配置为补偿有机发光二极管的晶体管阈值电压偏移。7.根据权利要求1所述的发光控制电路，其中所述发光控制信号是在一连续时间跨度中的一个或多个间歇时间段中足以关闭所述有机发光二极管发光的高电压电平，所述第五控制信号在所述连续时间跨度期间保持在低电压电平,且所述发光控制信号在所述第五控制信号保持在高电压电平时的时间段内为足以关闭有机发光二极管发光的所述高电压电平。8.根据权利要求6所述的发光控制电路，其中第三控制信号、第四控制信号、和第五控制信号是与像素驱动电路共享的时钟信号。9.根据权利要求1所述的发光控制电路，其中第一控制信号是用于重置光传感器的单独生成的时钟信号。10.根据权利要求1所述的发光控制电路，其中第二控制信号是用于将第二薄膜晶体管切换为导通或关断的单独生成的时钟信号。11.根据权利要求1所述的发光控制电路，其中第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、和第六薄膜晶体管均为P型晶体管。12.一种使用权利要求1的发光控制电路控制有机发光二极管的发光的驱动方法，所述驱动方法包括：在第一时间段，将第一控制信号设置为足以使第一薄膜晶体管导通并将第一公共节点保持在电压电平Vcom的低电平，将第四控制信号设置为足以使第五薄膜晶体管导通的低电平，以允许系统低电压电平VGL传到第二公共节点用于使第六薄膜晶体管导通，并且将第二控制信号设置为足以关断第二薄膜晶体管并进而关断第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的高电平；在第二时间段，将第一控制信号切换至足以关断第一薄膜晶体管的高电平，将第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨盛际，董学，薛海林，陈小川，王海生，丁小梁，刘英明，许睿，王磊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11