【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有包括电磁波、电子、空穴、原子、分子等粒子的发射源和吸收源的基本元件,该基本元件包括改进部件,以允许基本元件的粒子在其它基本元件的其它发射源和其它吸收源之间出入,使得该基本元件和其它基本元件的两种或多种这样的粒子之间相互作用、发生化学反应等,并且使得改进部件上依赖于时间的机械力/电磁力,在面对其它基本元件的发射源或吸收源时,和/或在由其它一种或多种基本元件的发射源或吸收源构成的空间中,控制低能量粒子的发射/吸收而不易受在发射源和吸收源之间的粒子移动部件组成材料的原子/分子种类的S/N比例、其立体结构或晶格、其无序性、或其装置的热量的影响,并且本专利技术涉及由多种基本元件构成的装置,此外,涉及包括该基本元件和其它基本元件的元件构成的装置、模块、系统。
技术介绍
通过辐射电磁波或粒子等(如果未说明粒子种类,在下文则缩写为粒子)的光束用于分析样品的物理和化学结构,通过暴露到光束和/或用光束辐射物质或用作能源,进行物理或化学加工。为了分析材料的结构,电子束用于扫描电子显微镜、透射电子显微镜、电子束光刻曝光器、热电子发射电子枪、场致发射电子枪等。在场致发射电子枪中,电子发射面积通过加热半径为0.4微米的阴极尖端球面到1800K来减少,而且,用于电子发射区域的电场是~108V/m,场致发射电子枪的电子束的亮度高出热电子发射电子枪三个数量级。此外,在场致发射(肖特基(Schottky))电子枪阴极以及热电子发射类型中,肖特基屏蔽,第一和第二阳极都必须加热。并且使用具有自聚焦特点的凹形阴极电子流的皮尔斯型电子枪结构,凹形阴极的热电子流聚焦成层流。通过 ...
【技术保护点】
一种基本元件,其特征在于:对于垂直于基本元件中粒子束方向的粒子运动,粒子束粒子的未占有状态和占有状态之间的粒子能量间隔要比基本元件的热能宽,使得粒子束粒子几乎垂直通过的横截面积较窄;这是因为在具有粒子发射源端和粒子吸收源的基本元件中,横截面积具有从粒子发射源端和/或粒子移动部分到粒子吸收源端的长度,由于基本元件的组成材料的立体结构和晶格的无序和/或基本元件的热能,对信噪比的影响被限制,此外,在限制信噪比影响的情况下,粒子传送到粒子的使用端口,正如影响本身一样,那些粒子构成了具有粒子发射源和/或粒子吸收源的基本元件的特征。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基本元件,其特征在于:对于垂直于基本元件中粒子束方向的粒子运动,粒子束粒子的未占有状态和占有状态之间的粒子能量间隔要比基本元件的热能宽,使得粒子束粒子几乎垂直通过的横截面积较窄;这是因为在具有粒子发射源端和粒子吸收源的基本元件中,横截面积具有从粒子发射源端和/或粒子移动部分到粒子吸收源端的长度,由于基本元件的组成材料的立体结构和晶格的无序和/或基本元件的热能,对信噪比的影响被限制,此外,在限制信噪比影响的情况下,粒子传送到粒子的使用端口,正如影响本身一样,那些粒子构成了具有粒子发射源和/或粒子吸收源的基本元件的特征。2.根据权利要求1所述的基本元件,还包括:发射中性带电粒子束的基本元件,中性带电粒子束的中性带电粒子,其由合并带电粒子束构成,粒子束从权利要求1中所述的基本元件的发射源以低动能好信噪比的方式发射,且具有针对从常规元件或另一基本元件以低动能控制的粒子束带电粒子的不同极性;基本元件由于常规元件或其他元件的热能和其他基本元件更高的温度比上述基本元件对信噪比影响较小。3.根据权利要求1所述的基本元件,还包括:基本元件,其粒子束的粒子通过改性部分与具有良好信噪比并来自权利要求1所述基本元件发射源发射的粒子束粒子相互作用,或其在基本元件吸收源处吸收具有良好信噪比发射的粒子束粒子,对于粒子束粒子,产生几乎完全相同方向的运动,产生几乎相同的动...
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