超硬远红外镀膜膜层结构制造技术

本实用新型专利技术涉及增透膜技术领域，具体地说，涉及一种超硬远红外镀膜膜层结构。其包括底膜层和顶膜层，底膜层和顶膜层间设有多个中间膜层单元，中间膜层单元包括自下而上依次层叠的中间膜层组件A和中间膜层组件B；底膜层的材质为五氧化二钽，中间膜层组件A的材质为二氧化硅，中间膜层组件B的材质为四氮化三硅，顶膜层的材质为二氧化硅。本实用新型专利技术的膜层结构具备较佳的增透效果，且表面硬度能够达到9H以上。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及增透膜
，具体地说，涉及一种超硬远红外镀膜膜层结构。
技术介绍
光学仪器中，光学元件表面的反射，不仅影响光学元件的通光能量，而且这些反射光还会在仪器中形成杂散光，影响光学仪器的成像质量。为了解决这些问题，通常在光学元件的表面镀上一定厚度的单层或多层膜，目的是为了减小元件表面的反射光，这样的膜叫光学增透膜(或减反膜)。对于具有超高要求的光学仪器或设备(如天文、航空或者军用等光学仪器或设备)，其对远红外相应波段有可视要求，因此需要利用光学增透膜实现增透功能。对于现有的远红外增透膜来说，其设计层数一般较多，而随着层数的增加其表面的硬度也会相应的下降。因此，现有的远红外增透膜来很难同时达到较佳的表面硬度和增透效果。
技术实现思路
本技术的内容是提供一种超硬远红外镀膜膜层结构，其能够克服现有技术的某种或某些缺陷。根据本技术的超硬远红外镀膜膜层结构，其包括底膜层和顶膜层，底膜层和顶膜层间设有多个中间膜层单元，中间膜层单元包括自下而上依次层叠的中间膜层组件A和中间膜层组件B；底膜层的材质为五氧化二钽，中间膜层组件A的材质为二氧化硅，中间膜层组件B的材质为四氮化三硅，顶膜层的材质为二氧化硅。本技术中，底膜层、中间膜层单元和顶膜层能够自下而上的依次层叠，底膜层的材质能够采用五氧化二钽，中间膜层组件A的材质能够采用二氧化硅，中间膜层组件B的材质能够采用四氮化三硅，顶膜层的材质为二氧化硅；通过上述构造，使得本技术的膜层结构能够具备较佳的增透效果，且表面硬度能够达到9H以上。作为优选，底膜层的厚度为89.52nm。作为优选，顶膜层的厚度为84.05nm。作为优选，所述多个中间膜层单元的数量为16个，分别为第一至第十六中间膜层单元。作为优选，第一中间膜层单元包括第一中间膜层组件A和第一中间膜层组件B，第一中间膜层组件A的厚度为64.65nm，第一中间膜层组件B的厚度为82.16nm；第二中间膜层单元包括第二中间膜层组件A和第二中间膜层组件B，第二中间膜层组件A的厚度为129.30nm，第二中间膜层组件B的厚度为82.16nm；第三中间膜层单元包括第三中间膜层组件A和第三中间膜层组件B，第三中间膜层组件A的厚度为129.30nm，第三中间膜层组件B的厚度为82.16nm；第四中间膜层单元包括第四中间膜层组件A和第四中间膜层组件B，第四中间膜层组件A的厚度为129.30nm，第四中间膜层组件B的厚度为82.16nm；第五中间膜层单元包括第五中间膜层组件A和第五中间膜层组件B，第五中间膜层组件A的厚度为129.30nm，第五中间膜层组件B的厚度为82.16nm；第六中间膜层单元包括第六中间膜层组件A和第六中间膜层组件B，第六中间膜层组件A的厚度为129.30nm，第六中间膜层组件B的厚度为82.16nm；第七中间膜层单元包括第七中间膜层组件A和第七中间膜层组件B，第七中间膜层组件A的厚度为129.30nm，第七中间膜层组件B的厚度为82.16nm；第八中间膜层单元包括第八中间膜层组件A和第八中间膜层组件B，第八中间膜层组件A的厚度为129.30nm，第八中间膜层组件B的厚度为82.16nm；第九中间膜层单元包括第九中间膜层组件A和第九中间膜层组件B，第九中间膜层组件A的厚度为148.70nm，第九中间膜层组件B的厚度为106.81nm；第十中间膜层单元包括第十中间膜层组件A和第十中间膜层组件B，第十中间膜层组件A的厚度为168.09nm，第十中间膜层组件B的厚度为106.81nm；第十一中间膜层单元包括第十一中间膜层组件A和第十一中间膜层组件B，第十一中间膜层组件A的厚度为168.09nm，第十一中间膜层组件B的厚度为106.81nm；第十二中间膜层单元包括第十二中间膜层组件A和第十二中间膜层组件B，第十二中间膜层组件A的厚度为168.09nm，第十二中间膜层组件B的厚度为106.81nm；第十三中间膜层单元包括第十三中间膜层组件A和第十三中间膜层组件B，第十三中间膜层组件A的厚度为168.09nm，第十三中间膜层组件B的厚度为106.81nm；第十四中间膜层单元包括第十四中间膜层组件A和第十四中间膜层组件B，第十四中间膜层组件A的厚度为168.09nm，第十四中间膜层组件B的厚度为106.81nm；第十五中间膜层单元包括第十五中间膜层组件A和第十五中间膜层组件B，第十五中间膜层组件A的厚度为168.09nm，第十五中间膜层组件B的厚度为106.81nm；第十六中间膜层单元包括第十六中间膜层组件A和第十六中间膜层组件B，第十六中间膜层组件A的厚度为168.09nm，第十六中间膜层组件B的厚度为106.81nm。本技术中，第二～第八中间膜层单元的单体构造完全相同，在实际应用中，能够对该处的具体数量进行增减。本技术中，第十～第十六中间膜层单元的单体构造完全相同，在实际应用中，能够对该处的具体数量进行增减。附图说明图1为实施例1中的一种超硬远红外镀膜膜层结构；图2为实施例1中的超硬远红外镀膜膜层结构的波长与透过率间的关系。图2中，横轴为波长(nm)，纵轴为透过率(％)。具体实施方式为进一步了解本技术的内容，结合附图和实施例对本技术作详细描述。应当理解的是，实施例仅仅是对本技术进行解释而并非限定。实施例1如图1所示，本实施例提供了一种超硬远红外镀膜膜层结构，其包括底膜层110和顶膜层120，底膜层110和顶膜层120间设有多个中间膜层单元，中间膜层单元包括自下而上依次层叠的中间膜层组件A和中间膜层组件B；底膜层110的材质为五氧化二钽，中间膜层组件A的材质为二氧化硅，中间膜层组件B的材质为四氮化三硅，顶膜层120的材质为二氧化硅。本实施例中，底膜层110的厚度为89.52nm，顶膜层120的厚度为84.05nm，中间膜层单元的数量为16个，分别为第一至第十六中间膜层单元。第一中间膜层单元包括第一中间膜层组件A131a和第一中间膜层组件B132a，第一中间膜层组件A131a的厚度为64.65nm，第一中间膜层组件B132a的厚度为82.16nm。第二中间膜层单元包括第二中间膜层组件A131b和第二中间膜层组件B132b，第二中间膜层组件A131b的厚度为129.30nm，第二中间膜层组件B132b的厚度为82.16nm。第三中间膜层单元包括第三中间膜层组件A131c和第三中间膜层组件B132c，第三中间膜层组件A131c的厚度为129.30nm，第三中间膜层组件B132c的厚度为82.16nm。第四中间膜层单元包括第四中间膜层组件A131d和第四中间膜层组件B132d，第四中间膜层组件A131d的厚度为129.30nm，第四中间膜层组件B132d的厚度为82.16nm。第五中间膜层单元包括第五中间膜层组件A131e和第五中间膜层组件B132e，第五中间膜层组件A131e的厚度为129.30nm，第五中间膜层组件B132e的厚度为82.16nm。第六中间膜层单元包括第六中间膜层组件A131f和第六中间膜层组件B132f，第六中间膜层组件A131f的厚度为129.30nm，第六中间膜层组件B132f的厚度为82.16nm。第七中间膜层单元包括第七中间膜层组件A131g和第七中本文档来自技高网...

【技术保护点】
超硬远红外镀膜膜层结构，其特征在于：包括底膜层(110)和顶膜层(120)，底膜层(110)和顶膜层(120)间设有多个中间膜层单元，中间膜层单元包括自下而上依次层叠的中间膜层组件A和中间膜层组件B；底膜层(110)的材质为五氧化二钽，中间膜层组件A的材质为二氧化硅，中间膜层组件B的材质为四氮化三硅，顶膜层(120)的材质为二氧化硅。

【技术特征摘要】
1.超硬远红外镀膜膜层结构，其特征在于：包括底膜层(110)和顶膜层(120)，底膜层(110)和顶膜层(120)间设有多个中间膜层单元，中间膜层单元包括自下而上依次层叠的中间膜层组件A和中间膜层组件B；底膜层(110)的材质为五氧化二钽，中间膜层组件A的材质为二氧化硅，中间膜层组件B的材质为四氮化三硅，顶膜层(120)的材质为二氧化硅。2.根据权利要求1所述的超硬远红外镀膜膜层结构，其特征在于：底膜层(110)的厚度为89.52nm。3.根据权利要求2所述的超硬远红外镀膜膜层结构，其特征在于：顶膜层(120)的厚度为84.05nm。4.根据权利要求3所述的超硬远红外镀膜膜层结构，其特征在于：所述多个中间膜层单元的数量为16个，分别为第一至第十六中间膜层单元。5.根据权利要求4所述的超硬远红外镀膜膜层结构，其特征在于：第一中间膜层单元包括第一中间膜层组件A(131a)和第一中间膜层组件B(132a)，第一中间膜层组件A(131a)的厚度为64.65nm，第一中间膜层组件B(132a)的厚度为82.16nm；第二中间膜层单元包括第二中间膜层组件A(131b)和第二中间膜层组件B(132b)，第二中间膜层组件A(131b)的厚度为129.30nm，第二中间膜层组件B(132b)的厚度为82.16nm；第三中间膜层单元包括第三中间膜层组件A(131c)和第三中间膜层组件B(132c)，第三中间膜层组件A(131c)的厚度为129.30nm，第三中间膜层组件B(132c)的厚度为82.16nm；第四中间膜层单元包括第四中间膜层组件A(131d)和第四中间膜层组件B(132d)，第四中间膜层组件A(131d)的厚度为129.30nm，第四中间膜层组件B(132d)的厚度为82.16nm；第五中间膜层单元包括第五中间膜层组件A(131e)和第五中间膜层组件B(132e)，第五中间膜层组件A(131e)的厚度为129.30nm，第五中间膜层组件B(132e)的厚度为82.16nm；第六中间膜层单元包括第六中间膜层组件A(131f)和第六中间膜层组件B(132f)，第六中间膜层组件A(131f)的厚度为129.30nm，第六中间膜层组件B(132f)的厚度为82.16nm；第七中间膜层单元包括第七中间膜层组件A(131g)和第七中间膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：许远飞，周旭华，李顶雄，周全，
申请(专利权)人：天通嘉兴新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33