去噪方法、去噪装置、栅极驱动电路和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种去噪方法、去噪装置、栅极驱动电路和显示装置。所述移位寄存器单元的去噪方法包括：从移位寄存器单元开启后开始计时，得到移位寄存器单元的工作时间；根据该移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅极电压和去噪晶体管的初始阈值电压得到去噪晶体管的当前阈值电压；根据该当前阈值电压调节去噪晶体管在去噪阶段的栅极电压，以控制在去噪阶段所述去噪晶体管能够开启。本发明专利技术根据移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅源电压得到去噪晶体管的当前阈值电压，根据不断增大的去噪晶体管的阈值电压调节去噪晶体管的栅极电压，以在去噪阶段即使是去噪晶体管的阈值电压增大，去噪晶体管也可以开启工作，延长移位寄存器单元的寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种去噪方法、去噪装置、栅极驱动电路和显示装置。
技术介绍
现有的移位寄存器单元包括去噪晶体管，在去噪阶段所述去噪晶体管对栅极驱动信号输出端和上拉节点进行去噪，去噪晶体管的栅极接入下拉节点，所述下拉节点的电位一般由高电平直流电源或时钟信号输入端保持。现有的移位寄存器单元在工作时，高电平直流电源输出的电压值或时钟信号输入端的高电平值是不变的，然而随着移位寄存器单元工作时间的增长，去噪晶体管受到应力后阈值电压会产生漂移，即使当下拉节点的电位由时钟信号输入端保持从而去噪晶体管受到应力的时间降低为50％，去噪晶体管也会产生由于栅源电压不再大于阈值电压而导致的不能开启的问题。图1A是现有的一种移位寄存器单元的电路图，在图1A中，在复位阶段和输出截止保持阶段，下拉节点PD(第一去噪晶体管T5的栅极和第二去噪晶体管T6的栅极都与PD连接)接入的信号与反相时钟信号CLKB’相同。图1B是现有的另一种移位寄存器单元的电路图，在图1B中，去噪晶体管也是T6，在复位阶段和输出截止保持阶段，下拉节点PD(第一去噪晶体管T5的栅极和第二去噪晶体管T6的栅极都与PD连接)接入的信号与高电平VDD相同。在图1A和图1B中，INPUT标示输入端，RESET标示复位端，PU标示上拉节点，PD_CN标示下拉控制节点，OUT标示栅极驱动信号输出端，VSS标示低电平，CLK标示正相时钟信号，T1标示输入晶体管，T2标示第一复位晶体管，T3标示上拉晶体管，T4标示第二复位晶体管，T7标示第一下拉节点控制晶体管，T8标示第二下拉节点控制晶体管，T9标示第一下拉控制节点控制晶体管，T10标示第二下拉控制节点控制晶体管。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种去噪方法、去噪装置、栅极驱动电路和显示装置，解决现有技术中随着移位寄存器单元工作时间的增加去噪晶体管的阈值电压一直增大而导致去噪晶体管不再导通的问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种移位寄存器单元的去噪方法，所述移位寄存器单元包括去噪晶体管，所述去噪方法包括：从移位寄存器单元开启后开始计时，得到移位寄存器单元的工作时间；根据该移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅极电压和去噪晶体管的初始阈值电压得到去噪晶体管的当前阈值电压；根据该当前阈值电压调节去噪晶体管在去噪阶段的栅极电压，以控制在去噪阶段所述去噪晶体管能够开启。实施时，所述根据该移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅极电压和去噪晶体管的初始阈值电压得到去噪晶体管的当前阈值电压步骤包括：根据以下公式得到去噪晶体管的当前阈值电压Vt：Vt=Vt0+(Vgs-Vt0)·(1-e[-(t×DCτ×f)β]);]]>在上式中，Vt0是初始阈值电压，t是移位寄存器单元的工作时间，Vgs是去噪晶体管的栅源电压，f为第一系数，τ为第二系数，β为第三系数，DC为所述去噪晶体管的栅极接入的信号的占空比；第一系数f是用于制作所述去噪晶体管的器件的材料工艺系数；第二系数τ、第三系数β是根据所述去噪晶体管的阈值偏移特性预先拟合得到。实施时，所述去噪晶体管的栅极与下拉节点连接，所述去噪晶体管的源极接入第一电压；所述第一电压的电压值固定；在去噪阶段，所述下拉节点的电位为第二电压；所述根据该当前阈值电压调节去噪晶体管在去噪阶段的栅极电压，以控制在去噪阶段所述去噪晶体管能够开启步骤包括：根据所述当前阈值电压调节所述第二电压，以控制在去噪阶段所述去噪晶体管能够开启。本专利技术还提供了一种移位寄存器单元的去噪装置，包括：计时模块，用于从移位寄存器单元开启后开始计时，得到移位寄存器单元的工作时间；阈值电压计算模块，与所述计时模块连接，用于根据该移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅极电压和去噪晶体管的初始阈值电压得到去噪晶体管的当前阈值电压；栅极电压生成模块，与所述阈值电压计算模块连接，用于根据该当前阈值电压调节去噪晶体管在去噪阶段的栅极电压，以控制在去噪阶段所述去噪晶体管能够开启。实施时，本专利技术所述的移位寄存器单元的去噪装置还包括存储模块；所述阈值电压计算模块通过所述存储模块与所述计时模块连接；所述存储模块用于存储所述移位寄存器单元的工作时间。实施时，所述阈值电压计算模块具体用于根据以下公式得到去噪晶体管的当前阈值电压Vt：Vt=Vt0+(Vgs-Vt0)·(1-e[-(t×DCτ×f)β]);]]>在上式中，Vt0是初始阈值电压，t是移位寄存器单元的工作时间，Vgs是去噪晶体管的栅源电压，f为第一系数，τ为第二系数，β为第三系数，DC为所述去噪晶体管的栅极接入的信号的占空比；第一系数f是用于制作所述去噪晶体管的器件的材料工艺系数；第二系数τ和第三系数β是根据所述去噪晶体管的阈值偏移特性预先拟合得到。实施时，所述去噪晶体管的栅极与下拉节点连接，所述去噪晶体管的源极接入第一电压；所述第一电压的电压值固定；在去噪阶段，所述下拉节点的电位为第二电压；所述栅极电压生成模块具体用于根据所述当前阈值电压调节所述第二电压，以控制在去噪阶段所述去噪晶体管能够开启。本专利技术还提供了一种栅极驱动电路，包括多级移位寄存器单元和上述的移位寄存器单元的去噪装置；所述去噪装置用于对所述移位寄存器单元去噪。本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述的栅极驱动电路。与现有技术相比，本专利技术所述的去噪方法、去噪装置、栅极驱动电路和显示装置根据计时得到的移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅源电压得到去噪晶体管的当前阈值电压，从而可以根据不断增大的去噪晶体管的阈值电压调节去噪晶体管的栅极电压，以使得在去噪阶段即使是去噪晶体管的阈值电压增大，去噪晶体管也可以开启工作，从而延长了移位寄存器单元的寿命。附图说明图1A是现有的一种移位寄存器单元的电路图；图1B是现有的另一种移位寄存器单元的电路图。图2是本专利技术实施例所述的移位寄存器单元的去噪方法的流程图；图3是本专利技术实施例所述的移位寄存器单元的去噪装置的结构框图；图4是本专利技术另一实施例所述的移位寄存器单元的去噪装置的结构框图；图5是本专利技术又一实施例所述的移位寄存器单元的去噪装置的结构框图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移位寄存器单元的去噪方法，所述移位寄存器单元包括去噪晶体管，其特征在于，所述去噪方法包括：从移位寄存器单元开启后开始计时，得到移位寄存器单元的工作时间；根据该移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅极电压和去噪晶体管的初始阈值电压得到去噪晶体管的当前阈值电压；根据该当前阈值电压调节去噪晶体管在去噪阶段的栅极电压，以控制在去噪阶段所述去噪晶体管能够开启。

【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器单元的去噪方法，所述移位寄存器单元包括去噪晶体
管，其特征在于，所述去噪方法包括：
从移位寄存器单元开启后开始计时，得到移位寄存器单元的工作时间；
根据该移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅极电压和去噪晶体管
的初始阈值电压得到去噪晶体管的当前阈值电压；
根据该当前阈值电压调节去噪晶体管在去噪阶段的栅极电压，以控制在去
噪阶段所述去噪晶体管能够开启。
2.如权利要求1所述的移位寄存器单元的去噪方法，其特征在于，所述
根据该移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅极电压和去噪晶体管的初
始阈值电压得到去噪晶体管的当前阈值电压步骤包括：
根据以下公式得到去噪晶体管的当前阈值电压Vt：
Vt=Vt0+(Vgs-Vt0)·(1-e[-(t×DCτ×f)β]);]]>在上式中，Vt0是初始阈值电压，t是移位寄存器单元的工作时间，Vgs是
去噪晶体管的栅源电压，f为第一系数，τ为第二系数，β为第三系数，DC为
所述去噪晶体管的栅极接入的信号的占空比；
第一系数f是用于制作所述去噪晶体管的器件的材料工艺系数；
第二系数τ、第三系数β是根据所述去噪晶体管的阈值偏移特性预先拟合
得到。
3.如权利要求1或2所述的移位寄存器单元的去噪方法，其特征在于，
所述去噪晶体管的栅极与下拉节点连接，所述去噪晶体管的源极接入第一电
压；所述第一电压的电压值固定；
在去噪阶段，所述下拉节点的电位为第二电压；
所述根据该当前阈值电压调节去噪晶体管在去噪阶段的栅极电压，以控制
在去噪阶段所述去噪晶体管能够开启步骤包括：
根据所述当前阈值电压调节所述第二电压，以控制在去噪阶段所述去噪晶

\t体管能够开启。
4.一种移位寄存器单元的去噪装置，其特征在于，包括：
计时模块，用于从移位寄存器单元开启后开始计时，得到移位寄存器单元
的工作时间；
阈值电压计算模块，与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：商广良，韩承佑，韩明夫，郑皓亮，姚星，崔贤植，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11