基于大数据的排污网监测装置用抗干扰型信号处理系统制造方法及图纸

技术编号:14347228 阅读:97 留言:0更新日期:2017-01-04 18:02
本发明专利技术公开了一种基于大数据的排污网监测装置用抗干扰型信号处理系统,主要由处理芯片U,三极管VT2,极性电容C6,极性电容C7,电磁干扰滤波电路,二阶低通滤波电路,以及分别与处理芯片U的CS管脚、G管脚、CLK管脚和OUT管脚相连接的频率误差校正电路等组成。本发明专利技术的能对信号中的低频干扰信号进行消除或抑制,并能对抗干扰处理后的信号的频点进行放大,使信号更平稳;并且本发明专利技术还能对数据信号中的多栽波信号的相位和频率误差进行校正,从而提高了本发明专利技术对信号处理的效果,有效的确保了数据处理中心得到的污水数据信息的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种处理系统,具体是指一种基于大数据的排污网监测装置用抗干扰型信号处理系统
技术介绍
现在的社会是一个高速发展的社会,科技发达,信息流通,人们之间的交流越来越密切,生活也越来越方便,大数据就是这个高科技时代的产物。大数据是指以多元形式,自许多来源搜集而来的庞大数据组,具有较强的实时性。随着信息科技的不断发展,大数据被广泛的用于排污网监测装置。目前的基于大数据的排污网监测装置主要由大数据处理中心、监测点采集盒、区域信号收发系统、区域信号处理系统和区域数据存储系统组成;而大数据处理中心得到的污水数据信息是否准确则主要取决于区域信号处理系统对信号处理是否准确。然而,现有的基于大数据的排污网监测装置的区域信号处理系统存在信号处理效果差,导致数据处理中心得到的污水数据信息准确度不高,致使排污网监控人员不能准确的了解污水管内的污水信息,不能对污水进行有效的治理,从而使人们的生活环境受到严重的影响。因此,提供一种能提高信号处理效果的基于大数据的排污网监测装置用信号处理系统则显得优为重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有的基于大数据的排污网监测装置的区域信号处理系统存在信号处理效果差的缺陷,本专利技术提供一种基于大数据的排污网监测装置用抗干扰型信号处理系统。本专利技术通过以下技术方案来实现:基于大数据的排污网监测装置用抗干扰型信号处理系统,主要由处理芯片U,三极管VT2,正极经电阻R8后与处理芯片U的IN管脚相连接、负极经电感L1后与处理芯片U的COMP管脚相连接的极性电容C6,一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与处理芯片U的COMP管脚相连接的电阻R11,N极与三极管VT2的基极相连接、P极经电阻R9后与处理芯片U的B管脚相连接的二极管D5,正极与处理芯片U的B管脚相连接、负极经可调电阻R10后与三极管VT2的基极相连接的极性电容C7,串接在三极管VT2的发射极与处理芯片U的OUT管脚之间的电磁干扰滤波电路,分别与处理芯片U的IN管脚和VC管脚相连接的二阶低通滤波电路,以及分别与处理芯片U的CS管脚、G管脚、CLK管脚和OUT管脚相连接的频率误差校正电路组成;所述三极管VT2的集电极接地;所述处理芯片U的GND管脚接地;所述处理芯片U的VC管脚与外部12V直流电源相连接。进一步的,所述电磁干扰滤波电路由放大器P3,正极经电感L2后与放大器P3的正极相连接、负极与三极管VT2的发射极相连接的极性电容C12,一端与极性电容C12的正极相连接、另一端接地的电阻R19,P极经电阻R18后与极性电容C12的正极相连接、N极与放大器P3的输出端相连接的二极管D9,正极与放大器P3的负极相连接、负极接地的极性电容C13,P极与放大器P3的输出端相连接、N极经电感L3后与极性电容C13的负极相连接的二极管D10,负极与三极管VT6的基极相连接、正极经电阻R20后与极性电容C13的负极相连接的极性电容C14,负极与三极管VT5的集电极相连接、正极经电阻R21后与放大器P3的输出端相连接的极性电容C15,一端与三极管VT6的集电极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的可调电阻R25,P极经电阻R24后与三极管VT5的发射极相连接、N极与三极管VT5的基极相连接后接地的二极管D11,以及正极电阻R22后与接收15的正极相连接、负极经电阻R23后与二极管D11的P极相连接的极性电容C16组成;所述三极管VT6的发射极接地、其集电极与极性电容C15的正极相连接;所述三极管VT5的基极还与处理芯片U的OUT管脚相连接。所述二阶低通滤波电路由放大器P1,三极管VT1,场效应管MOS,正极经电阻R4后与三极管VT1的基极相连接、负极作为二阶低通滤波电路的输入端的极性电容C3,负极与放大器P1的正极相连接、正极经电阻R3后与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C2,P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极与极性电容C2的负极相连接的二极管D2,正极与场效应管MOS的栅极相连接、负极经电阻R2后与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C1,N极与场效应管MOS的源极相连接、P极与处理芯片U的VC管脚相连接的稳压二极管D1,一端与稳压二极管D1的P极相连接、另一端与接地的电阻R1,P极与三极管VT1的集电极相连接、N极与三极管VT1的发射极相连接的二极管D3,P极与放大器P1的负极相连接、N极经电阻R5后与放大器P1的输出端相连接的二极管D4,正极经电阻R6后与放大器P1的负极相连接、负极与放大器P1的输出端相连接的极性电容C4,以及正极电阻R7后与放大器P1的输出端相连接、负极接地的极性电容C5组成;所述极性电容C2的负极接地;所述放大器P1的正极还与极性电容C3的正极相连接、其输出端还分别与三极管VT1的发射极和处理芯片U的IN管脚相连接、其负极接地。所述频率误差校正电路由放大器P2,三极管VT3,三极管VT4,P极与处理芯片U的CS管脚相连接、N极与三极管VT4的基极相连接的二极管D6,正极与处理芯片U的G管脚相连接、负极与三极管VT4的发射极相连接的极性电容C10,P极经电阻R15后与三极管VT4的发射极相连接、N极与三极管VT3的集电极相连接的二极管D8,负极与三极管VT4的发射极相连接、正极经电阻R17后与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C11,一端与三极管VT3的集电极相连接后接地、另一端与三极管VT3的基极相连接的可调电阻R16,P极与三极管VT3的基极相连接、N极经电阻R14后与放大器P2的输出端相连接的二极管D7,正极电阻R13后与放大器P2的负极相连接、负极与放大器P2的输出端相连接的极性电容C9,以及正极与放大器P2的正极相连接、负极经电阻R12后与放大器P2的输出端相连接的极性电容C8组成;所述三极管VT4的集电极接地;所述三极管VT3的基极还与放大器P2的负极相连接、其发射极与处理芯片U的CLK管脚相连接;所述放大器P2的正极与处理芯片U的OUT管脚相连接、其输出端则作为频率误差校正电路的输出端。为了本专利技术的实际使用效果,所述处理芯片U则优先采用了MB40978集成芯片来实现。本专利技术与现有技术相比具有以下优点及有益效果:(1)本专利技术的能对信号中的低频干扰信号进行消除或抑制,并能对抗干扰处理后的信号的频点进行放大,使信号更平稳;并且本专利技术还能对数据信号中的多栽波信号的相位和频率误差进行校正,从而提高了本专利技术对信号处理的效果,有效的确保了数据处理中心得到的污水数据信息的准确性,并且确保了排污网监控人员能准确的了解污水管内的污水信息。(2)本专利技术能对信号在传输过程中驱动波形产生的偏磁和电路参数以及电磁波而产生的电磁干扰进行抑制,使采样信号波频与输入信号的波频保持一致,从而确保了本专利技术对信号处理的准确性。(3)本专利技术的处理芯片U则优先采用了MB40978集成芯片来实现,该芯片与外围电路相结合,能有效的提高本专利技术的稳定性和可靠性。附图说明图1为本专利技术的整体结构框图。图2为本专利技术的电磁干扰滤波电路的电路结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明,但本专利技术的实施方式不限于此。如图1所示,本专利技术主要由处理芯片U,三极管VT2,电阻R8,电阻R9,可调电阻R10,电阻R11,极性电容C6,本文档来自技高网...
基于大数据的排污网监测装置用抗干扰型信号处理系统

【技术保护点】
基于大数据的排污网监测装置用抗干扰型信号处理系统,主要由处理芯片U,三极管VT2,正极经电阻R8后与处理芯片U的IN管脚相连接、负极经电感L1后与处理芯片U的COMP管脚相连接的极性电容C6,一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与处理芯片U的COMP管脚相连接的电阻R11,N极与三极管VT2的基极相连接、P极经电阻R9后与处理芯片U的B管脚相连接的二极管D5,正极与处理芯片U的B管脚相连接、负极经可调电阻R10后与三极管VT2的基极相连接的极性电容C7,串接在三极管VT2的发射极与处理芯片U的OUT管脚之间的电磁干扰滤波电路,分别与处理芯片U的IN管脚和VC管脚相连接的二阶低通滤波电路,以及分别与处理芯片U的CS管脚、G管脚、CLK管脚和OUT管脚相连接的频率误差校正电路组成;所述三极管VT2的集电极接地;所述处理芯片U的GND管脚接地;所述处理芯片U的VC管脚与外部12V直流电源相连接。

【技术特征摘要】
1.基于大数据的排污网监测装置用抗干扰型信号处理系统,主要由处理芯片U,三极管VT2,正极经电阻R8后与处理芯片U的IN管脚相连接、负极经电感L1后与处理芯片U的COMP管脚相连接的极性电容C6,一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与处理芯片U的COMP管脚相连接的电阻R11,N极与三极管VT2的基极相连接、P极经电阻R9后与处理芯片U的B管脚相连接的二极管D5,正极与处理芯片U的B管脚相连接、负极经可调电阻R10后与三极管VT2的基极相连接的极性电容C7,串接在三极管VT2的发射极与处理芯片U的OUT管脚之间的电磁干扰滤波电路,分别与处理芯片U的IN管脚和VC管脚相连接的二阶低通滤波电路,以及分别与处理芯片U的CS管脚、G管脚、CLK管脚和OUT管脚相连接的频率误差校正电路组成;所述三极管VT2的集电极接地;所述处理芯片U的GND管脚接地;所述处理芯片U的VC管脚与外部12V直流电源相连接。2.根据权利要求1所述的基于大数据的排污网监测装置用抗干扰型信号处理系统,其特征在于,所述电磁干扰滤波电路由放大器P3,正极经电感L2后与放大器P3的正极相连接、负极与三极管VT2的发射极相连接的极性电容C12,一端与极性电容C12的正极相连接、另一端接地的电阻R19,P极经电阻R18后与极性电容C12的正极相连接、N极与放大器P3的输出端相连接的二极管D9,正极与放大器P3的负极相连接、负极接地的极性电容C13,P极与放大器P3的输出端相连接、N极经电感L3后与极性电容C13的负极相连接的二极管D10,负极与三极管VT6的基极相连接、正极经电阻R20后与极性电容C13的负极相连接的极性电容C14,负极与三极管VT5的集电极相连接、正极经电阻R21后与放大器P3的输出端相连接的极性电容C15,一端与三极管VT6的集电极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的可调电阻R25,P极经电阻R24后与三极管VT5的发射极相连接、N极与三极管VT5的基极相连接后接地的二极管D11,以及正极电阻R22后与接收15的正极相连接、负极经电阻R23后与二极管D11的P极相连接的极性电容C16组成;所述三极管VT6的发射极接地、其集电极与极性电容C15的正极相连接;所述三极管VT5的基极还与处理芯片U的OUT管脚相连接。3.根据权利要求2所述的基于大数据的排污网监测装置用抗干扰型信号处理系统,其特征在于,所述二阶低通滤波电路由放大器P1,三极管VT1,场效应管MOS,正极经电阻R4后与三极管VT1的基极相连接、负极作为二...

【专利技术属性】
技术研发人员:薛鸿雁
申请(专利权)人:成都东创精英科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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