The utility model relates to a four quadrant silicon based photoelectric detector for trajectory detection, which relates to a photoelectric sensor. With first silica based photoelectric detector, preamplifier, first road Second Road Second Road silica based photoelectric detector, preamplifier, third silica based photoelectric detector, preamplifier, Third Road Fourth Road Fourth Road silica based photoelectric detector, preamplifier, analog digital conversion circuit, built-in infrared light emitting diodes, infrared light emitting diode driving circuit the internal oscillator circuit, the internal registers, interrupt control circuit, I2C bus interface circuit. Can be applied to the field of intelligent electronic devices, can assist mobile phones, tablet PCs and other intelligent electronic devices for gesture recognition, trajectory detection, proximity detection, etc..
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电传感器,尤其是涉及一种用于轨迹探测的四象限硅基光电探测器。
技术介绍
随着科学技术的进步,各种功能的传感器应运而生,各种功能的传感器推动着电子产品往智能化发展,电子产品的智能化逐渐改变着人们的生活方式。当下,轨迹识别是电子产品智能化的需求之一,因此有必要设计出能够进行手势识别、轨迹探测、接近距离探测的集成芯片以满足人们的需求。光电传感器由于反应速度快,能实现非接触测量,而且精度高、分辨力高、可靠性好,加之半导体光敏器件具有体积小、重量轻、功耗低、便于集成等优点,因而广泛应用于军事、宇航、通信、检测与工业自动化控制等多种领域中。(参见《光电传感器的发展及其应用》颜晓河,董玲娇,苏绍兴)硅作为光电集成器件制作材料来说,虽然有一些先天不足,但随着新的设计思路的不断提出,新的工艺技术的不断进步,硅基的光电器件已经可以应用于光电集成领域的各个方面,器件的各性能指标,已经具备了与其他材料的光电器件相竞争的能力。(参见《硅基光电集成器件研究进展》孙飞余金中)目前,各类硅基单片光电集成电路涉及了Bipolar、CMOS、BiCMOS、BCD、SOI等工艺,这些工艺在制造光电集成电路中比较常见。Bipolar、CMOS和BiCMOS工艺成为硅基光电探测器和硅基单片光电集成电路研究的一个热点(参见中国专利CN201310324878.6)。实现手势识别、轨迹探测、接近距离探测的光电探测器采用0.5μm CMOS工艺制备,制造成本较低、集成度高、体积小、容易嵌入智能电子设备进而实现其功能。实现轨迹探测、手势识别的光电探测器采用I2C总线协议进行通讯,该协议是 ...
【技术保护点】
用于轨迹探测的四象限硅基光电探测器,其特征在于设有第1路硅基光电探测器、第1路前置放大器、第2路硅基光电探测器、第2路前置放大器、第3路硅基光电探测器、第3路前置放大器、第4路硅基光电探测器、第4路前置放大器、多路模拟‑数字转换电路、内置红外发光二极管、红外发光二极管驱动电路、内部振荡电路、内部寄存器组、中断控制电路、I2C总线接口电路;第1路硅基光电探测器的输出端接第1路前置放大器的输入端,第1路前置放大器的输出端接多路模拟‑数字转换器的输入端,第2路硅基光电探测器的输出端接第2路前置放大器的输入端,第2路前置放大器的输出端接模拟‑数字转换器的输入端,第3路硅基光电探测器的输出端接第3路前置放大器的输入端,第3路前置放大器的输出端接模拟‑数字转换器的输入端,第4路硅基光电探测器的输出端接第4路前置放大器的输入端,第4路前置放大器的输出端接模拟‑数字转换器的输入端,模拟‑数字转换器将模拟量转化为数字量,并存储在内部数据寄存器中,以供外部微控制器读取;外部微控制器根据四路硅基光电探测器所获取的光信息判断物体运动轨迹、物体接近距离。
【技术特征摘要】
1.用于轨迹探测的四象限硅基光电探测器,其特征在于设有第1路硅基光电探测器、第1路前置放大器、第2路硅基光电探测器、第2路前置放大器、第3路硅基光电探测器、第3路前置放大器、第4路硅基光电探测器、第4路前置放大器、多路模拟-数字转换电路、内置红外发光二极管、红外发光二极管驱动电路、内部振荡电路、内部寄存器组、中断控制电路、I2C总线接口电路;第1路硅基光电探测器的输出端接第1路前置放大器的输入端,第1路前置放大器的输出端接多路模拟-数字转换器的输入端,第2路硅基光电探测器的输出端接第2路前置放大器的输入端,第2路前置放大器的输出端接模拟-数字转换器的输入端,第3路硅基光电探测器的输出端接第3路前置放大器的输入端,第3路前置放大器的输出端接模拟-数字转换器的输入端,第4路硅基光电探测器的输出端接第4路前置放大器的输入端,第4路前置放大器的输出端接模拟-数字转换器的输入端,模拟-数字转换器将模拟量转化为数字量,并存储在内部数据寄存器中,以供外部微控制器读取;外部微控制器根据四路硅基光电探测器所获取的光信息判断物体运动轨迹、物体接近距离。2.如权利要求1所述用于轨迹探测的四象限硅基光电探测器,其特征在于所述模拟-数字转换电路采用高速逐次逼近式多路模拟-数字转换电路。3.如权利要求1所述用于轨迹探测的四象限硅基光电探测器,其特征在于所述用于轨迹探测的四象限硅基光电探测器设有芯片圆柱体凹槽和芯片立方体凹槽,所述用于轨迹探测的四象限硅基光电探测器的红外信号发射端设有一个850nm红外发光二极管,该850nm红外发光二极管被放置于芯片圆柱体凹槽内;所述用于轨迹探测的四象限硅基光电探测器的红外信号接收端设有四个完全相同正方形硅基光电探测器,四个完全相同正方形硅基光电探测器被放置于芯片立方体凹槽底部,四个完全相同正方形硅基光电探测器以芯片立方体凹槽底部的中心点为基准,分别分布于中心点的上、下、左、右四个方位。4.如权利要求1所述用于轨迹探测的四象限硅基光电探测器,其特征在于所述硅基光电探测器采用“N+/N-Well/P-Sub”结构,硅基光电探测器的纵向结构自下向上依次是:第一层是低掺杂的P型硅衬底,第二层是N阱,第三层是N型重掺杂硅,P型重掺杂硅、金属铝,第四层到第六层为三层SiO2绝缘介质层,第七层是Si3N...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘洪峰,
申请(专利权)人:厦门中莘光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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