转印微发光二极管的方法及显示面板的制作方法技术

本发明专利技术提供一种在曲面基板上转印微发光二极管的方法及曲面微发光二极管显示面板的制作方法。本发明专利技术的在曲面基板上转印微发光二极管的方法，通过两次微转印制程将微发光二极管转印到曲面基板上，其中，在第二次微转印制程中，具有柔性的第二传送头拾取中转基板上的微发光二极管，然后随曲面基板的形状发生形变而贴附于所述曲面基板上，从而将所拾取的微发光二极管放置于曲面基板上，实现了微发光二极管在曲面基板的弧面、球面等曲面上的转印，从而可进一步用于制作曲面微发光二极管显示面板的显示像素阵列，进而用于实现曲面显示效果。

Method for transferring light emitting diode on curved substrate and method for manufacturing curved surface micro light emitting diode display panel

The invention provides a method for transferring a micro light emitting diode on a curved substrate and a method for manufacturing a surface micro light emitting diode display panel. The substrate transfer method to surface micro light emitting diode of the invention, the two micro transfer process will transfer to the substrate surface micro light emitting diode, which, in the second micro transfer process, with the second flexible transfer substrate feeding pickup micro light emitting diode, and then with the substrate surface shape deformed and attached to the surface of the substrate, which will be picked up by a micro light emitting diode placed on the surface of the substrate, the substrate surface transfer micro light emitting diode in the cambered surface, spherical surface, which can be further used for making surface micro light emitting diode display pixel array panel, which is used to realize the surface display effect.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种在曲面基板上转印微发光二极管的方法及曲面微发光二极管显示面板的制作方法。
技术介绍
微发光二极管(Micro LED)是一种尺寸在几微米到几百微米之间的器件，由于其较普通LED的尺寸要小很多，从而使得单一的LED作为像素(Pixel)用于显示成为可能，Micro LED显示器便是一种以高密度的Micro LED阵列作为显示像素阵列来实现图像显示的显示器，同大尺寸的户外LED显示屏一样，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级，Micro LED显示器和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器一样属于自发光显示器，但Micro LED显示器相比于OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点，被认为是OLED显示器的最大竞争对手。由于晶格匹配的原因，Micro LED器件必须先在蓝宝石类的供给基板上通过分子束外延的方法生长出来，随后通过激光剥离(Laser lift-off，LLO)技术将微发光二极管裸芯片(bare chip)从供给基板上分离开，然后通过微转印(Micro Transfer Print，NTP)技术将其转移到已经预先制备完成电路图案的接收基板上，形成Micro LED阵列，进而做成Micro LED显示面板。其中，微转印的基本原理大致为：使用具有图案化的传送头(Transfer head)，例如具有凸起结构的聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)类传送头，通过具有粘性的PDMS传送层(Transfer layer)将Micro LED bare chip从供给基板吸附起来，然后将PDMS传送头与接收基板进行对位，随后将PDMS传送头所吸附的Micro LED bare chip贴附到接收基板预设的位置上，再将PDMS传送头从接收基板上剥离，即可完成Micro LED bare chip的转移，形成Micro LED阵列。目前，来自爱尔兰的X-celeprint、美国德州大学等都曾发表过有关Micro LED显示器的研究成果。苹果公司于2014年正式收购具有Micro LED技术的LuxVue后，引发业界开始关注于Micro LED的技术优势，作为一家掌握Micro LED Transfer Printing的高技术公司，LuxVue与X-Celeprint所使用的微转移技术差别较大。X-Celeprint主要利用PDMS等膜层结构的吸附力进行转移动作，而LuxVue通过在传送头的凸起上通电，利用静电力来吸附Micro LED等器件。另外，随着显示技术的发展，人们对消费性电子产品的要求已经不单单局限于功能性，曲面显示器相较于平面显示器，设计新颖，视觉体验效果更佳；如果将Micro LED显示技术与曲面显示技术进行结合，那么首先所要解决的问题便是如何将Micro LED转移在接收基板的弧面或球面等其他曲面上而制备出显示阵列。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种在曲面基板上转印微发光二极管的方法，通过两次微转印制程将微发光二极管转印到曲面基板上，可用于制作曲面微发光二极管显示面板，从而达成曲面显示效果。本专利技术的目的还在于提供一种曲面微发光二极管显示面板的制作方法，采用上述的在曲面基板上转印微发光二极管的方法形成微发光二极管显示阵列，从而制得曲面微发光二极管显示面板。为实现上述目的，本专利技术提供了一种在曲面基板上转印微发光二极管的方法，包括如下步骤：步骤1、提供第一传送头、载体基板、及中转基板，所述载体基板上具有数个微发光二极管，利用所述第一传送头进行第一次微转印制程，在第一次微转印制程中，所述第一传送头拾取所述载体基板上的微发光二极管，然后将所拾取的所述微发光二极管放置于中转基板上，在中转基板上形成第一微发光二极管阵列；步骤2、提供第二传送头、及曲面基板，所述第二传送头具有柔性，利用所述第二传送头进行第二次微转印制程，在第二次微转印制程中，所述第二传送头拾取所述中转基板上的微发光二极管，然后载有微发光二极管的第二传送头随所述曲面基板的形状发生形变而贴附于所述曲面基板上，将所拾取的微发光二极管放置于曲面基板上，在曲面基板上形成第二微发光二极管阵列。所述第一传送头上设有电极，所述第一传送头通过静电力对所述微发光二极管进行微转印。所述第一传送头为PDMS传送头，具有PDMS层，所述第一传送头利用PDMS层对所述微发光二极管的吸附力进行微转印。所述第二传送头包括柔性PDMS膜，所述柔性PDMS膜具有吸附面，所述第二传送头通过所述柔性PDMS膜的吸附面拾取所述微发光二极管，所述柔性PDMS膜的厚度为20μm-1000μm。所述柔性PDMS膜的吸附面为平面，所述第二微发光二极管阵列所构成的图案结构与所述第一微发光二极管阵列所构成的图案结构相同。所述柔性PDMS膜的吸附面具有凸起结构，所述第二传送头通过柔性PDMS膜的凸起结构拾取微发光二极管。所述第二传送头还包括用于承载所述柔性PDMS膜的柔性衬底。所述第一传送头为PDMS传送头，包括衬底基板、及形成于所述衬底基板上的PDMS膜；所述步骤2中提供的第二传送头由所述第一传送头制得，具体制作过程为：将所述第一传送头的衬底基板通过化学方法溶解掉，剩余的PDMS膜构成第二传送头。所述中转基板包括PMMA接收层；所述步骤1中，所述微发光二极管放置于所述中转基板的PMMA接收层上。本专利技术还提供一种曲面微发光二极管显示面板的制作方法，包括如下步骤：按照上述的在曲面基板上转印微发光二极管的方法，在所述曲面基板上转印出用于构成显示像素的微发光二极管显示阵列，所述曲面基板为TFT阵列基板；然后对所述微发光二极管显示阵列进行封装，得到曲面微发光二极管显示面板。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种在曲面基板上转印微发光二极管的方法，通过两次微转印制程将微发光二极管转印到曲面基板上，首先利用第一传送头进行第一次微转印制程，在第一次微转印制程中，第一传送头从载体基板上拾取微发光二极管并将所拾取的所述微发光二极管放置于中转基板上，然后利用柔性的第二传送头进行第二次微转印制程，在第二次微转印制程中，第二传送头拾取所述中转基板上的微发光二极管，然后随曲面基板的形状发生形变而贴附于所述曲面基板上，从而将所拾取的微发光二极管放置于曲面基板上，实现了微发光二极管在曲面基板的弧面、球面等曲面上的转印，从而可以进一步用于制作曲面微发光二极管显示面板的显示像素阵列，进而用于实现曲面显示效果。本专利技术的曲面微发光二极管显示面板的制作方法，采用上述的在曲面基板上转印微发光二极管的方法形成微发光二极管显示阵列，从而制得了具有曲面显示效果的曲面微发光二极管显示面板。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的在曲面基板上转印微发光二极管的方法的流程示意图；图2-5为本专利技术的在曲面基板上转印微发光二极管的方法的步骤1的示意图；图6-9为本专利技术的在曲面基板上转印微发光二极管的方法的步骤2的示意本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在曲面基板上转印微发光二极管的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供第一传送头(51)、载体基板(10)、及中转基板(30)，所述载体基板(10)上具有数个微发光二极管(21)，利用所述第一传送头(51)进行第一次微转印制程，在第一次微转印制程中，所述第一传送头(51)拾取所述载体基板(10)上的微发光二极管(21)，然后将所拾取的所述微发光二极管(21)放置于中转基板(30)上，在中转基板(30)上形成第一微发光二极管阵列；步骤2、提供第二传送头(52)、及曲面基板(20)，所述第二传送头(52)具有柔性，利用所述第二传送头(52)进行第二次微转印制程，在第二次微转印制程中，所述第二传送头(52)拾取所述中转基板(30)上的微发光二极管(21)，然后载有微发光二极管(21)的第二传送头(52)随所述曲面基板(20)的形状发生形变而贴附于所述曲面基板(20)上，将所拾取的微发光二极管(21)放置于曲面基板(20)上，在曲面基板(20)上形成第二微发光二极管阵列。

【技术特征摘要】
1.一种在曲面基板上转印微发光二极管的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供第一传送头(51)、载体基板(10)、及中转基板(30)，所述载体基板(10)上具有数个微发光二极管(21)，利用所述第一传送头(51)进行第一次微转印制程，在第一次微转印制程中，所述第一传送头(51)拾取所述载体基板(10)上的微发光二极管(21)，然后将所拾取的所述微发光二极管(21)放置于中转基板(30)上，在中转基板(30)上形成第一微发光二极管阵列；步骤2、提供第二传送头(52)、及曲面基板(20)，所述第二传送头(52)具有柔性，利用所述第二传送头(52)进行第二次微转印制程，在第二次微转印制程中，所述第二传送头(52)拾取所述中转基板(30)上的微发光二极管(21)，然后载有微发光二极管(21)的第二传送头(52)随所述曲面基板(20)的形状发生形变而贴附于所述曲面基板(20)上，将所拾取的微发光二极管(21)放置于曲面基板(20)上，在曲面基板(20)上形成第二微发光二极管阵列。2.如权利要求1所述的在曲面基板上转印微发光二极管的方法，其特征在于，所述第一传送头(51)上设有电极，所述第一传送头(51)通过静电力对所述微发光二极管(21)进行微转印。3.如权利要求1所述的在曲面基板上转印微发光二极管的方法，其特征在于，所述第一传送头(51)为PDMS传送头，具有PDMS层，所述第一传送头(51)利用PDMS层对所述微发光二极管(21)的吸附力进行微转印。4.如权利要求1所述的在曲面基板上转印微发光二极管的方法，其特征在于，所述第二传送头(52)包括柔性PDMS膜(521)，所述柔性PDMS膜(521)具有吸附面，所述第二传送头(52)通过所述柔性PDMS膜(521)的吸附面拾取所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈黎暄，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44