内插式薄膜电容分压器制造技术

技术编号:14123350 阅读:255 留言:0更新日期:2016-12-09 09:48
本发明专利技术属于脉冲功率技术领域,涉及一种内插式薄膜电容分压器,内插式薄膜电容分压器由四氟衬套(7)、插接结构(8)、金属箔(9)、介质膜(10)四部分组成。分压器的金属箔(9)表面没有焊点,金属箔(9)与电缆头内芯(5)是通过插接方式实现电连接的。四氟衬套(7)、插接结构(8)、金属箔(9)、介质膜(10)四部分在筒壁(3)的连接顺序为:金属箔(9)粘贴于介质膜(10),介质膜(10)粘贴于筒壁(3),插接结构(8)底端焊接于金属箔(9),四氟衬套(7)套于插接结构(8)之上,并连同插接结构(8)一同插入筒壁(3)的开孔之中。本发明专利技术的薄膜电容分压器,去除了分压器表面的金属焊点,消除了金属焊点带来的场增强效应,提高了分压器的耐压水平和整体可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及脉冲功率
,特别涉及一种薄膜电容分压器。
技术介绍
脉冲功率源的测量系统在整个脉冲功率源的调试阶段以及后续运行阶段中占有重要地位,建立正确的测量系统是评估脉冲功率源性能的主要依据。脉冲功率源的测量系统包括电压和电流测量两方面,对电压进行测量的常用手段包括电阻分压器、电容分压器以及阻容混合分压器。参照图1,电容分压器一般由一大一小两个电容串联而成;大电容(C2)作为低压臂电容,一般由双面挠性覆铜箔(两层铜箔中间夹一层聚酰亚胺薄膜)构成,小电容(C1)作为高压臂电容,一般由待测结构的高压电极与覆铜箔构成。参见图2,电缆头与覆铜箔之间的电连接一般采取如下方式:电缆头内芯5从电缆孔穿出,并穿破双面挠性覆铜箔2,高出覆铜箔1~2mm,再通过焊锡将覆铜箔2与电缆头内芯5焊为一体,焊点外形一般为3~5mm的半球形。由于电容分压器的高压臂电容主要用于耦合电气设备高压电极上的电压,所以焊点的存在可视为一个电场增强结构,产生电场增强效应,影响到分压器的最大耐受电压及分压器的整体可靠性。
技术实现思路
为了解决现有电容分压器与电缆接头内芯连接时的电场增强问题,本专利技术提供一种内插式薄膜电容分压器。本专利技术所提供的内插式薄膜电容分压器,包括金属箔,所述金属箔设置在筒体的内表面,其特殊之处在于:所述电容分压器除金属箔之外还包括插接结构、介质膜及四氟衬套;所述插接结构位于筒壁的开孔之中,插接结构的外轮廓分大小两段,大段的端面与金属箔焊接,所述插接结构的小段由N个插接瓣组成,N个插接瓣沿圆周排列,N个插接瓣的中心形成能够加持电缆头内芯的中心孔,N≥2;所述四氟衬套位于插接结构与筒体之间,用于金属箔与筒壁之间的电气绝缘;所述介质膜位于金属箔与筒体之间,用于形成薄膜电容器。以上为本专利技术的基本结构,基于该基本结构,本专利技术还做出以下优化限定:优化的,本专利技术的插接结构外轮廓分大小两段,与金属箔焊接的一段为插接结构的大段,所述四氟衬套的内孔沿衬套轴向依次包括与插接结构大段匹配的第一内孔、与插接结构小直径段匹配的第二内孔、与电缆绝缘套匹配的第三内孔。将插接结构的外轮廓设计为大小两段,目的是保证插接结构与金属箔焊接时具有较大的接触面积,同时还有利于插接结构在衬套中的固定。插接结构的外轮廓还可以设计为倒圆台型,圆台大圆面与金属箔焊接,圆台小圆面面向电缆头。优化的,本专利技术的插接结构的小直径段设置有开口面朝向电缆头的喇叭口,用于保证当电缆头内芯与插接结构中心孔不同心时能够顺利插接。优化的,插接瓣的数量为4个,4个插接瓣圆周均布。如果插接瓣较少,则不利于插接结构加持电缆头内芯,如果插接瓣较多,则不利于插接结构的加工。综合考虑,选插接瓣的数目为4。进一步优化的,本专利技术的金属箔为钛箔。原因是钛材料的金属逸出功高且耐电子轰击。进一步优化的,本专利技术衬套为四氟衬套。进一步优化的,本专利技术的介质膜相对金属箔四周留边,距离5~10mm。保证金属箔与筒壁之间不发生沿面闪络。进一步优化的,本专利技术的四氟衬套外径小于筒体内径0~0.1mm。保证衬套较为顺利低插入筒壁的开孔之中。再进一步的,本专利技术的插接结构其中心孔的孔径比电缆头内芯的外径小0~0.1mm,以保证插接结构对电缆头内芯具有一定的加持力,进而保证电连接可靠。本专利技术与现有技术相比,有益效果是:(1)本专利技术的电容分压器采用插接结构实现金属箔与电缆头内芯的电连接,消除了现有金属箔与电缆头内芯焊接所产生的金属焊点,克服了由焊点所引起的场增强效应,进而提高了分压器的整体可靠性;(2)本专利技术中,金属箔与电缆头内芯采用插接结构进行电连接,因而分压器具有可以反复拆装的优点;(3)当金属箔的材质为钛时,由于钛材质的电子逸出功高,所以该类型分压器还可以工作于以真空、气体为绝缘方式的环境中。(4)本专利技术的感应电极由双面挠性覆铜箔变化为“金属箔”的优点是金属箔材料可以替换,比如金属钛;而双面挠性覆铜箔的金属仅为铜,不能替换。附图说明图1为一般电容分压器的等效电路图;图2a为现有电容分压器与电缆头的连接结构侧视图;图2b为现有电容分压器与电缆头的连接结构俯视图;图3为内插式薄膜电容各组成部件结构示意图;图4为金属箔、介质膜、插接结构及衬套的装配图;图5为金属箔、介质膜、插接结构、衬套在筒体上的装配图;图6为本专利技术内插式薄膜电容分压器与电缆头的连接装配图;图7为图6的俯视图。图8为应用在一个同轴高压真空二极管上的内插式薄膜电容分压器。其中附图标记为:C1-高压臂电容,C2-低压臂电容;R-采样电阻;ui-输入电压;uo-输出电压;1-金属焊点;2-双面挠性覆铜箔;3-筒壁;4-电缆头外壁;5-电缆头内芯;6-电缆头绝缘衬套;7-四氟衬套;8-插接结构;9-金属箔;10-介质膜;11-同轴线内导体;12-同轴线外导体;13-绝缘支撑;14-内插式薄膜电容分压器。具体实施方式鉴于现有工艺薄膜电容分压器的缺点,提出了内插式薄膜电容分压器,基本思路是通过内插方式实现电缆头与分压器之间的电连接,以下结合实施例、附图对本专利技术作进一步描述。如图2-8所示,内插式薄膜电容分压器由四氟衬套7、插接结构8、金属箔9、介质膜10四部分组成,金属箔9的外表面没有焊点,内表面焊有一个插接结构8,电缆头内芯5是通过插接结构8来实现与金属箔9的电连接的。四氟衬套7、插接结构8、金属箔9、介质膜4几部分的连接顺序为:金属箔9粘贴于介质膜10,介质膜10粘贴于筒壁3,插接结构9底端焊接于金属箔9,四氟衬套7套于插接结构8之上,并连同插接结构8一同插入筒壁3的开孔之中。结合图2-6,对内插式薄膜电容分压器的制作工艺有如下几方面要求:(1)插接结构8的孔径要比电缆头内芯5的外径略小(小~0.1mm),以保证插接结构8与电缆头内芯5的电连接可靠;(2)介质膜10中间挖孔,孔径在四氟衬套7的外径与插接结构8底盘的外径之间,同时介质膜10相对金属箔9四周留边,距离5~10mm,以保证金属箔9与筒壁3之间不发生沿面闪络;(3)四氟衬套7的外径比电缆座预留孔的内径略小(小~0.1mm),以保证四氟衬套7能够嵌于电缆座预留孔内;(4)四氟衬套7的第二、第三部分的截面为“凹”型,与电缆头的“凸”型相配,以保证电缆孔内的电气绝缘。请结合本专利技术的内插式薄膜电容分压器的结构介绍本专利技术的分压器的分压原理。结合图8所示的同轴高压真空二极管,内插式薄膜电容分压器的原理如下:当真空二极管的内导体加上高压时,粘贴于真空二极管外导体内表面的薄膜电容分压器会感应到电荷,电荷累积形成电压。感应电压通过电缆头及电缆引出,再连入一台示波器,进而可监测高压设备上的电压。感应电压幅值与薄膜电容器的电容值以及待测高压设备结构有关。一般情况下,电容分压器上的感应电压幅值正比于待测电压幅值。在应用电容分压器之前,需要事先标定或者计算出这个比例系数(这个比例系数称之为分压比,为待测电压ui与示波器显示电压uo之比,一般用β表示)。在得知分压比的前提下,如果测得示波器上的电压幅值uo,uo通过与分压比相乘,便可得知高压设备上的真实电压ui。再以图8中的同轴高压真空绝缘子为例,该设备的同轴线外导体12内径350mm,同轴线内导体11外径170mm,耐受电压500kV,采用真空为绝缘介质。设备中安装了内插式薄膜电容分本文档来自技高网...
内插式薄膜电容分压器

【技术保护点】
一种内插式薄膜电容分压器,包括感应电极,所述感应电极设置在筒体的端面,其特征在于:所述感应电极为金属箔;所述电容分压器除金属箔之外还包括插接结构、介质膜及衬套;所述插接结构位于筒体的开孔之中,插接结构按外轮廓尺寸分大小两段,大段的端面与金属箔焊接,所述插接结构的小段由N个插接瓣组成,N个插接瓣圆周排列,N个插接瓣的中心形成能够加持电缆头内芯的中心孔,N≥2;所述衬套位于插接结构与筒体之间,用于金属箔与筒体内壁之间的电气绝缘;所述介质膜位于金属箔与筒体端面之间,用于形成薄膜电容器。

【技术特征摘要】
1.一种内插式薄膜电容分压器,包括感应电极,所述感应电极设置在筒体的端面,其特征在于:所述感应电极为金属箔;所述电容分压器除金属箔之外还包括插接结构、介质膜及衬套;所述插接结构位于筒体的开孔之中,插接结构按外轮廓尺寸分大小两段,大段的端面与金属箔焊接,所述插接结构的小段由N个插接瓣组成,N个插接瓣圆周排列,N个插接瓣的中心形成能够加持电缆头内芯的中心孔,N≥2;所述衬套位于插接结构与筒体之间,用于金属箔与筒体内壁之间的电气绝缘;所述介质膜位于金属箔与筒体端面之间,用于形成薄膜电容器。2.根据权利要求1所述的内插式薄膜电容分压器,其特征在于:所述插接结构小段设置有开口面朝向电缆头的喇叭口。3.根据权利要求1或2所述的内插式薄膜电容分压器,其特征在于:所述插接瓣的数量为4个,4个插接瓣沿圆周均布。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵亮李锐吴晓龙邱旭东曾搏程杰郑磊喻斌雄
申请(专利权)人:西北核技术研究所
类型:发明
国别省市:陕西;61

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