一种半桥浪涌检测保护电路及电磁加热设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半桥浪涌检测保护电路及电磁加热设备，所述的半桥浪涌检测保护电路包括微控制单元MCU、第一IGBT驱动电路、第二IGBT驱动电路、半桥谐振电路、浪涌保护电路以及钳位电路。本实用新型专利技术使用浪涌保护电路，当半桥谐振电路发生浪涌时，通过浪涌保护电路控制钳位电路拉低IGBT上下桥臂驱动电路，关闭半桥谐振电路，使半桥谐振电路停止工作，对半桥谐振电路进行保护，且采用MCU中断方式，以硬件保护和软件保护相结合的方式，具有保护速度快的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及浪涌检测保护
，具体涉及一种半桥浪涌检测保护电路及电磁加热设备。
技术介绍
目前的半桥电磁加热方案浪涌检测都是以软件为主，通过软件中断的方式保护电路。当电流或电压浪涌发生时触发电平，然后MCU检测到中断，进入中断调用浪涌保护程序。这种方式在浪涌发生到保护需要一定的时间，保护速度比较慢。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种半桥浪涌检测保护电路及电磁加热设备，采用软硬结合的方式进行浪涌检测保护，具有保护速度快的优点。本技术解决上述技术问题的技术方案如下：本技术提供了一种半桥浪涌检测保护电路，包括微控制单元MCU、第一IGBT驱动电路、第二IGBT驱动电路、半桥谐振电路、浪涌保护电路以及钳位电路；所述MCU分别与第一IGBT驱动电路的输入端以及第二IGBT驱动电路的输入端连接，所述第一IGBT驱动电路的输出端和第二IGBT驱动电路的输出端均与半桥谐振电路的输入端连接，半桥谐振电路、浪涌保护电路以及钳位电路依次电连接，所述钳位电路的输出端分别连接第一IGBT驱动电 路的输入端以及第二IGBT驱动电路的输入端。本技术的有益效果为：使用浪涌保护电路，当半桥谐振电路发生浪涌时，通过浪涌保护电路与钳位电路拉低IGBT上下桥臂驱动电路，关闭半桥谐振电路，且采用MCU中断方式，以硬件保护和软件保护相结合的方式，具有保护速度快的优点。在上述技术方案的基础上，本技术还可以作如下改进。进一步的，所述半桥谐振电路为对称半桥谐振电路或非对称半桥谐振电路；所述对称半桥谐振电路包括上桥IGBT1、下桥IGBT2、第一谐振电容C1、第二谐振电容C2以及线圈，所述上桥IGBT1的栅极与第一IGBT驱动电路的输出端连接，所述上桥IGBT1的集电极与浪涌保护电路的输入端连接，所述上桥IGBT1的发射极与下桥IGBT2的集电极连接，且所述上桥IGBT1与下桥IGBT2的公共端与第一IGBT驱动电路的中线端连接，所述下桥IGBT2的栅极与第二IGBT驱动电路的输出端连接，所述第二IGBT驱动电路的中线端接地以及所述下桥IGBT2的发射极接地，所述第一谐振电容C1和第二谐振电容C2串接在所述上桥IGBT1的集电极和下桥IGBT2的发射极之间，所述线圈连接在所述第一谐振电容C1和第二谐振电容C2的公共端与上桥IGBT1和下桥IGBT2的公共端之间；所述非对称半桥谐振电路包括上桥IGBT1、下桥IGBT2、第一谐振电容C1以及线圈，所述上桥IGBT1的栅极与第一IGBT驱动电路的输出端连接，所述上桥IGBT1的集电极与浪涌保护电路的输入端连接，所述上桥IGBT1的发射极与下桥IGBT2的集电极连接，且所述上桥IGBT1与下桥IGBT2的公共端与第一IGBT驱动电路的中线端连接，所述下桥IGBT2的栅极与第二IGBT驱动电路的输出端连接，所述第二IGBT驱动电路的中线端以及所述下桥IGBT2的发射极接地，所述第一谐振电容C1串接在所述上桥IGBT1 的集电极和下桥IGBT2的发射极之间，所述线圈连接在所述第一谐振电容C1连接下桥IGBT2的发射极的一端与上桥IGBT1和下桥IGBT2的公共端之间。进一步的，所述浪涌保护电路为电压浪涌保护电路，所述电压浪涌保护电路包括电压浪涌检测电路和电压浪涌比较电路，所述上桥IGBT1的集电极与第一谐振电容C1的公共端与电压浪涌检测电路的In端连接，所述电压浪涌检测电路的out端与下桥IGBT2的发射极连接，所述电压浪涌检测电路的output端与电压浪涌比较电路的In端连接，所述电压浪涌比较电路的out端与所述钳位电路的输入端连接。进一步的，所述浪涌保护电路为电流浪涌保护电路，所述电流浪涌保护电路包括电流浪涌检测电路和电流浪涌比较电路，所述上桥IGBT1的集电极与第一谐振电容C1的公共端与电流浪涌检测电路的In端连接，所述电流浪涌检测电路的out端与下桥IGBT2的发射极连接，所述电流浪涌检测电路的output端与电流浪涌比较电路的In端连接，所述电流浪涌比较电路的out端与所述钳位电路的输入端连接。进一步的，所述浪涌保护电路和所述钳位电路之间设置有与门U1，所述浪涌保护电路包括电压浪涌保护电路和电流浪涌保护电路，所述电压浪涌保护电路包括电压浪涌检测电路和电压浪涌比较电路，所述电流浪涌保护电路包括电流浪涌检测电路和电流浪涌比较电路，所述上桥IGBT1的集电极和第一谐振电容C1的公共端与电压浪涌检测电路的In端连接，所述电压浪涌检测电路的output端与电压浪涌比较电路的In端电连接，所述电压浪涌比较电路的out端与与门U1的一个输入端电连接，所述电压浪涌检测电路的out端与所述电流浪涌检测电路的In端电连接，所述电流浪涌检测电路的output端与电流浪涌比较电路的In端电连接，所述电流浪涌检测电路的out端接地，所述电流浪涌比较电路的out端与与门U1的另一个输入端电连接， 所述与门U1的输出端与所述钳位电路的输入端电连接。进一步的，还包括一电阻R0，所述电阻R0的一端与与门U1U1的输出端以及MCU电连接，所述电阻R0的另一端接VCC。进一步的，所述电压浪涌比较电路包括电压比较器UA以及电阻R1；所述电压比较器UA的正向输入端与电压浪涌阈值电压源连接，所述电压比较器UA的负向输入端与所述电压浪涌检测电路的output端电连接，电压比较器UA的一个电源端接VCC，电压比较器UA的另一个电源端接地；电阻R1的一端接VCC，另一端接电压比较器UA的输出端，电压比较器UA的输出端还与与门U1的一个输入端电连接。进一步的，所述电流浪涌比较电路包括电压比较器UB以及电阻R2；所述电压比较器UB的正向输入端与所述电流浪涌阈值电压源连接，所述电压比较器UB的负向输入端与所述电流浪涌检测电路的output端电连接，电压比较器UB的一个电源端接VCC，电压比较器UB的另一个电源端接地；电阻R2的一端接VCC，另一端接电压比较器UB的输出端，所述电压比较器UB的输出端还与与门U1的另一个输入端电连接。进一步的，所述钳位电路包括第一二极管D1和第二二极管D2，所述第一二极管D1的负极与所述第二二极管D2的负极相连，所述第一二极管D1的正极与第一IGBT驱动电路的输入端电连接，所述第二二极管D2的正极与第二IGBT驱动电路的输入端电连接，所述第一二极管D1与第二二极管D2的公共端与与门U1的输出端电连接。进一步的，还包括桥堆，所述桥堆的两个AC端分别接电源，所述桥堆的V+端与上桥IGBT1的集电极连接，所述桥堆的V-端与电压浪涌检测电路的out端连接。进一步的，还包括桥堆，所述桥堆的两个AC端分别接电源，所述桥堆的V+端与上桥IGBT1的集电极连接，所述桥堆的V-端与电流浪涌检测电路 的In端连接。进一步的，还包括桥堆，所述桥堆的两个AC端分别接电源，所述桥堆的V+端与上桥IGBT1的集电极连接，所述桥堆的V-端与电压浪涌检测电路的out端以及电流浪涌检测电路的In端电连接。本技术还提供了一种电磁加热设备，包括一种半桥浪涌检测保护电路。附图说明图1为本技术实施例1的一种半桥浪涌检测保护电路连接示意图；图2为实施例1中半桥谐振电路为对称半桥谐振电路的电路连接示意图；图3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，包括微控制单元MCU、第一IGBT驱动电路、第二IGBT驱动电路、半桥谐振电路(1)、浪涌保护电路(2)以及钳位电路；所述MCU分别与第一IGBT驱动电路的输入端以及第二IGBT驱动电路的输入端连接，所述第一IGBT驱动电路的输出端和第二IGBT驱动电路的输出端均与半桥谐振电路(1)的输入端连接，半桥谐振电路(1)、浪涌保护电路(2)以及钳位电路依次电连接，所述钳位电路的输出端分别连接第一IGBT驱动电路的输入端以及第二IGBT驱动电路的输入端。

【技术特征摘要】
1.一种半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，包括微控制单元MCU、第一IGBT驱动电路、第二IGBT驱动电路、半桥谐振电路(1)、浪涌保护电路(2)以及钳位电路；所述MCU分别与第一IGBT驱动电路的输入端以及第二IGBT驱动电路的输入端连接，所述第一IGBT驱动电路的输出端和第二IGBT驱动电路的输出端均与半桥谐振电路(1)的输入端连接，半桥谐振电路(1)、浪涌保护电路(2)以及钳位电路依次电连接，所述钳位电路的输出端分别连接第一IGBT驱动电路的输入端以及第二IGBT驱动电路的输入端。2.如权利要求1所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，所述半桥谐振电路(1)为对称半桥谐振电路或非对称半桥谐振电路；所述对称半桥谐振电路包括上桥IGBT1、下桥IGBT2、第一谐振电容C1、第二谐振电容C2以及线圈，所述上桥IGBT1的栅极与第一IGBT驱动电路的输出端连接，所述上桥IGBT1的集电极与浪涌保护电路(2)的输入端连接，所述上桥IGBT1的发射极与下桥IGBT2的集电极连接，且所述上桥IGBT1和下桥IGBT2的公共端与第一IGBT驱动电路的中线端连接，所述下桥IGBT2的栅极与第二IGBT驱动电路的输出端连接，所述第二IGBT驱动电路的中线端以及所述下桥IGBT2的发射极均接地，所述第一谐振电容C1和第二谐振电容C2串接在所述上桥IGBT1的集电极和下桥IGBT2的发射极之间，所述线圈连接在所述第一谐振电容C1和第二谐振电容C2的公共端与上桥IGBT1和下桥IGBT2的公共端之间；所述非对称半桥谐振电路包括上桥IGBT1、下桥IGBT2、第一谐振电容C1以及线圈，所述上桥IGBT1的栅极与第一IGBT驱动电路的输出端连接，所述上桥IGBT1的集电极与浪涌保护电路(2)的输入端连接，所述上桥IGBT1的发射极与下桥IGBT2的集电极连接，且所述上桥IGBT1与下桥IGBT2的公共端与第一IGBT驱动电路的中线端连接，所述下桥IGBT2的栅极与第二IGBT驱动电路的输出端连接，所述第二IGBT驱动电路的中线端以及所述下桥IGBT2的发射极接地，所述第一谐振电容C1串接在所述上桥IGBT1的集电极和下桥IGBT2的发射极之间，所述线圈连接在所述第一谐振电容C1连接下桥IGBT2的发射极的一端与上桥IGBT1和下桥IGBT2的公共端之间。3.如权利要求2所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，所述浪涌保护电路(2)为电压浪涌保护电路，所述电压浪涌保护电路包括电压浪涌检测电路(21)和电压浪涌比较电路(22)，所述上桥IGBT1的集电极与第一谐振电容C1的公共端与电压浪涌检测电路(21)的In端连接，所述电压浪涌检测电路(21)的out端与下桥IGBT2的发射极连接，所述电压浪涌检测电路(21)的output端与电压浪涌比较电路(22)的In端连接，所述电压浪涌比较电路(22)的out端与所述钳位电路的输入端连接。4.如权利要求2所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，所述浪涌保护电路(2)为电流浪涌保护电路，所述电流浪涌保护电路包括电流浪涌检测电路(23)和电流浪涌比较电路(24)，所述上桥IGBT1的集电极与第一谐振电容C1的公共端与电流浪涌检测电路(23)的In端连接，所述电流浪涌检测电路(23)的out端与下桥IGBT2的发射极连接，所述电流浪涌检测电路(23)的output端与电流浪涌比较电路(24)的In端连接，所述电流浪涌比较电路(24)的out端与所述钳位电路的输入端连接。5.如权利要求2所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，所述浪涌保护电路(2)和所述钳位电路之间设...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯江平，区达理，王志锋，刘志才，马志海，
申请(专利权)人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44