【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双边迟滞比较器,其特征在于,包括电流源I1、电流源I2、PMOS管MP1、PMOS管MP2、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、可变电阻R1、PMOS管MP3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、PMOS管MP4、比较器、BUFFER和反相器X;所述电流源I1输出端与PMOS管MP1的源极连接,还与PMOS管MP2的源极连接,所述PMOS管MP1的漏极与NMOS管MN1的漏极和栅极连接,PMOS管MP1的漏极还与NMOS管MN2的栅极连接,所述NMOS管MN1的源极接地,所述NMOS管MN2的漏极与PMOS管MP2的漏极连接,还与NMOS管MN3的栅极连接,PMOS管MP2的栅极接参考电压,所述NMOS管MN3的漏极与电阻R1的一端连接,源极接地,所述电阻R1的另一端与电流源I2的输出端连接,所述电流源I2的输出端与PMOS管MP3的源极连接,还与NMOS管MN4的源极连接,所述NMOS管MN3的漏极还与NMOS管MN5的源极连接,还与PMOS管MP4的源极连接,所述PMOS管MP3的漏极与PMOS管MP4的漏极连接,所述NMOS管MN4的漏极与NMOS管MN5的 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:黄文灿,周媛媛,林峰,叶松,
申请(专利权)人:福建睿矽微电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:福建;35
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