【技术实现步骤摘要】
201620108835
【技术保护点】
一种高压硅堆,其特征在于,包括硅堆本体、圆柱凸起、圆形凹槽、二极管和引线,所述圆形凸起位于硅堆本体的右侧,所述圆形凹槽位于硅堆本体的左侧,所述圆形凸起和圆形凹槽上设置相应的螺纹,所述圆形凸起可以通过螺纹与另一个高压硅堆的圆形凹槽相连,所述二极管位于硅堆本体内,所述二极管间相串联,所述圆形凸起和圆形凹槽内设置引线,所述引线与二极管相连,所述硅堆本体两侧填充1.5cm的灌封层,所述二极管包括底座,焊锡层、N层、PN结和P层,所述焊锡层位于底座上,所述N层位于焊锡层上,所述PN结位于P层和N层之间。
【技术特征摘要】
1.一种高压硅堆,其特征在于,包括硅堆本体、圆柱凸起、圆形凹槽、二极管和引线,所述圆形凸起位于硅堆本体的右侧,所述圆形凹槽位于硅堆本体的左侧,所述圆形凸起和圆形凹槽上设置相应的螺纹,所述圆形凸起可以通过螺纹与另一个高压硅堆的圆形凹槽相连,所述二极管位于硅堆本体内,所述二极管间相串联,所述圆形凸起和圆形凹槽内设置引线,所述引线与二极管相连,所述硅堆本体两侧填充1.5cm的灌封层,所述二极管包括底座,焊锡层、N层、PN结和P层...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄仲濬,蒋文甄,
申请(专利权)人:泰州优宾晶圆科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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