一种双向电平转换方法、装置及双向电平转换电路制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种双向电平转换方法、装置及双向电平转换电路，用于实现高电平不同的多个设备之间的双向电平转换。方法包括：当第一设备输出电平信号时，根据电平信号判断双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通；当N_MOS场效应管被截止时，利用第一设备总线上连接的上拉电阻将第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，并利用第二设备总线上连接的上拉电阻将第二设备总线上的电平上拉至第二预设高电平；当N_MOS场效应管导通时，将第二设备的电平下拉至低电平。该技术方案实现了仅通过在第一设备和第二设备之间连接N_MOS场效应管即可达到双向电平转换的目的，且无需采用集成电路，降低了双向电平转换的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信
，尤其涉及一种双向电平转换方法、装置及双向电平转换电路。
技术介绍
电子线路常会有某些信号为实现特定功能而要求其逻辑电平能够在高低之间进行转换。目前，许多MID互联网装置、通信设备及智能家居的设计中，高低电平之间的转换通常采用电平转换集成电路来完成，这种集成电路成本较高，且实现起来较为复杂。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种双向电平转换方法、装置及双向电平转换电路，用于实现高电平不同的多个设备之间的双向电平转换。一种双向电平转换方法，应用于双向电平转换电路，包括以下步骤：当第一设备输出电平信号时，根据所述电平信号判断所述双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通，所述电平信号为第一预设高电平或者低电平；当所述N_MOS场效应管被截止时，利用所述第一设备总线上连接的上拉电阻将所述第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，并利用第二设备总线上连接的上拉电阻将所述第二设备总线上的电平上拉至第二预设高电平；当所述N_MOS场效应管导通时，将所述第二设备的电平下拉至低电平；其中，所述N_MOS场效应管串联于所述第一设备和所述第二设备之间。本专利技术实施例的一些有益效果可以包括：上述技术方案，通过在第一设备和第二设备之间连接N_MOS场效应管，使得N_MOS场效应管被截止时能够将第一设备和第二设备的电平上拉至高电平，并在N_MOS场效应管导通时将第二设备的电平下拉至低电平，实现了仅通过在第一设备和第二设备之间连接N_MOS场效应管即可达到双向电平转换的目的，且无需采用集成电路，降低了双向电平转换的成本。在一个实施例中，所述第一预设高电平和所述第二预设高电平的电平值不同。在一个实施例中，所述根据所述电平信号判断所述双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通，包括：根据所述电平信号，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差；判断所述压差是否大于或等于预设压差阈值；当所述压差大于或等于预设压差阈值时，确定所述N_MOS场效应管导通；当所述压差小于所述预设压差阈值时，确定所述N_MOS场效应管被截止。该实施例中，能够通过N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差来确定N_MOS场效应管是否导通，使得N_MOS场效应管的导通与否的确定更加简便准确，从而有效地实现两个设备间的双向电平转换。在一个实施例中，所述根据所述电平信号，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差，包括：当所述电平信号为所述第一预设高电平时，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压为第三预设高电平，所述第三预设高电平为所述第一预设高电平和所述第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为零；确定所述压差小于所述预设压差阈值。该实施例中，能够在第一设备输出的电平信号为第一预设高电平时确定N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为零，从而确定N_MOS场效应管被截止，从而使得N_MOS场效应管的导通与否的确定更加简便准确，从而有效地实现两个设备间的双向电平转换。在一个实施例中，所述第一预设高电平和第二预设高电平均大于或等于所述预设压差阈值；所述第一预设高电平大于或等于所述预设压差阈值；根据所述电平信号，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差，包括：当所述电平信号为所述低电平时，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压为所述第三预设高电平，并确定所述N_MOS场效应管的源极电压为低电平，所述第三预设高电平为所述第一预设高电平和所述第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为所述第三预设高电平；确定所述压差大于或等于所述预设压差阈值。该实施例中，能够在第一设备输出的电平信号为低电平时确定N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差大于或等于预设压差阈值，从而确定N_MOS场效应管导通，从而使得N_MOS场效应管的导通与否的确定更加简便准确，从而有效地实现两个设备间的双向电平转换。一种双向电平转换装置，应用于双向电平转换电路，所述装置包括：判断模块，用于当第一设备输出电平信号时，根据所述电平信号判断所述双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通，所述电平信号为第一预设高电平或者低电平；上拉模块，用于当所述N_MOS场效应管被截止时，利用所述第一设备总线上连接的上拉电阻将所述第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，并利用第二设备总线上连接的上拉电阻将所述第二设备总线上的电平上拉至第二预设高电平；下拉模块，用于当所述N_MOS场效应管导通时，将所述第二设备的电平下拉至低电平；其中，所述N_MOS场效应管串联于所述第一设备和所述第二设备之间。在一个实施例中，所述判断模块包括：第一确定子模块，用于根据所述电平信号，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差；判断子模块，用于判断所述压差是否大于或等于预设压差阈值；第二确定子模块，用于当所述压差大于或等于预设压差阈值时，确定所述N_MOS场效应管导通；第三确定子模块，用于当所述压差小于所述预设压差阈值时，确定所述N_MOS场效应管被截止。在一个实施例中，所述第一确定子模块包括：第一确定单元，用于当所述电平信号为所述第一预设高电平时，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压为第三预设高电平，所述第三预设高电平为所述第一预设高电平和所述第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；第二确定单元，用于确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为零；第三确定单元，用于确定所述压差小于所述预设压差阈值。在一个实施例中，所述第一确定子模块包括：第四确定单元，用于当所述电平信号为所述低电平时，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压为所述第三预设高电平，并确定所述N_MOS场效应管的源极电压为低电平，所述第三预设高电平为所述第一预设高电平和所述第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；第五确定单元，用于确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为所述第三预设高电平；第六确定单元，用于确定所述压差大于或等于所述预设压差阈值；其中，所述第一预设高电平和第二预设高电平均大于或等于所述预设压差阈本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双向电平转换方法，其特征在于，应用于双向电平转换电路，所述方法包括：当第一设备输出电平信号时，根据所述电平信号判断所述双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通，所述电平信号为第一预设高电平或者低电平；当所述N_MOS场效应管被截止时，利用所述第一设备总线上连接的上拉电阻将所述第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，并利用第二设备总线上连接的上拉电阻将所述第二设备总线上的电平上拉至第二预设高电平；当所述N_MOS场效应管导通时，将所述第二设备的电平下拉至低电平；其中，所述N_MOS场效应管串联于所述第一设备和所述第二设备之间。

【技术特征摘要】
1.一种双向电平转换方法，其特征在于，应用于双向电平转换电路，所
述方法包括：
当第一设备输出电平信号时，根据所述电平信号判断所述双向电平转换电
路中的N_MOS场效应管是否导通，所述电平信号为第一预设高电平或者低电
平；
当所述N_MOS场效应管被截止时，利用所述第一设备总线上连接的上拉
电阻将所述第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，并利用第二设备总
线上连接的上拉电阻将所述第二设备总线上的电平上拉至第二预设高电平；
当所述N_MOS场效应管导通时，将所述第二设备的电平下拉至低电平；
其中，所述N_MOS场效应管串联于所述第一设备和所述第二设备之间。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设高电平和所
述第二预设高电平的电平值不同。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述电平信号判
断所述双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通，包括：
根据所述电平信号，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之
间的压差；
判断所述压差是否大于或等于预设压差阈值；
当所述压差大于或等于预设压差阈值时，确定所述N_MOS场效应管导通；
当所述压差小于所述预设压差阈值时，确定所述N_MOS场效应管被截止。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述电平信号，
确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差，包括：
当所述电平信号为所述第一预设高电平时，确定所述N_MOS场效应管的
栅极电压和源极电压为第三预设高电平，所述第三预设高电平为所述第一预设
高电平和所述第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；
确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为零；
确定所述压差小于所述预设压差阈值。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一预设高电平和第
二预设高电平均大于或等于所述预设压差阈值；根据所述电平信号，确定所述
N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差，包括：
当所述电平信号为所述低电平时，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压
为所述第三预设高电平，并确定所述N_MOS场效应管的源极电压为低电平，
所述第三预设高电平为所述第一预设高电平和所述第二预设高电平中电平值
较低的预设高电平；
确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为所述第三
预设高电平；
确定所述压差大于或等于所述预设压差阈值。
6.一种双向电平转换装置，其特征在于，应用于双向电平转换电路，所
述装置包括：
判断模块，用于当第一设备输出电平信号时，根据所述电平信号判断所述
双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通，所述电平信号为第一预设

【专利技术属性】
技术研发人员：廖廷康，
申请(专利权)人：北京云知声信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11