一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路制造技术

本发明专利技术涉及一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，该电路分别与MOSFET驱动芯片和驱动电压源连接，所述的电磁干扰抑制电路包括输入信号线噪声抑制模块、输出信号线噪声抑制模块与电源线噪声抑制模块，分别对输入信号线的高频噪声、输出信号线的高频噪声与电源线的噪声加以抑制。与现有技术相比，本发明专利技术具有提高功率MOSFET驱动芯片全方位的抗电磁干扰能力等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种功率MOSFET驱动芯片抗干扰技术，尤其是涉及一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路。
技术介绍
功率MOSFET芯片常用于开关电源，随着功率MOSFET技术的发展，其重复频率极已经达到100kHz，耐受电压达到10KV，在如此高电压、高重复频率下，功率MOSFET将产生高频高压噪声，对其驱动芯片产生严重的电磁干扰。系统级的电磁干扰抑制可以从三个方面着手，一是减小电磁干扰源发出的电磁干扰，二是切断电磁干扰的传播途径，三是提高敏感设备的抗电磁干扰能力。对于开关驱动电路的电磁干扰抑制，由于其电磁干扰源主要为开关M0SFET，通常采用滤波技术，在电源线上加装滤波器从而切断电磁干扰的传播路径，对电源线的电磁干扰加以抑制。电源线滤波器的设计，可以采用由扼流圈与电容组成的单级或多级共模、差模无源滤波电路，也可以采用有源共模滤波器，对差模与共模噪声加以抑制。此夕卜，开关电源的噪声不仅对驱动芯片的电源线产生电磁干扰，也会对驱动芯片的输入信号线、输出信号线产生电磁干扰，因此开关MOSFET驱动芯片的全方位电磁干扰抑制电路对保证开关电源的正常工作至关重要。然而，如何对开关MOSFET驱动芯片的电源线、输入信号线、输出信号线进行全方位的电磁干扰抑制却少有研究。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，对输入信号线上的噪声、输出信号线上的噪声与电源线上的噪声全面进行抑制，减小电磁噪声对功率MOSFET驱动芯片的影响，提高功率MOSFET驱动芯片全方位的抗电磁干扰能力。本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现:一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，该电路分别与MOSFET驱动芯片和驱动电压源连接，其特征在于，所述的电磁干扰抑制电路包括输入信号线噪声抑制模块、输出信号线噪声抑制模块与电源线噪声抑制模块，分别对输入信号线的高频噪声、输出信号线的高频噪声与电源线的噪声加以抑制，提高功率MOSFET驱动芯片的抗电磁干扰能力。所述的输入信号线噪声抑制模块包括第一共模扼流圈、差模电容C1和电阻R1,所述的第一共模扼流圈一端与输入信号线连接，另一端依次并联差模电容C1和电阻R1后分别与MOSFET驱动芯片的输入端和地线端连接，用于抑制输入信号线上的共模噪声与差模噪声。所述的输出信号线的高频噪声包括第二共模扼流圈和差模电容C2，所述的第二共模扼流圈一端与信号输出线连接，另一端并联差模电容C2后分别与MOSFET驱动芯片的输出端和地线端连接，用于抑制输出信号线上的共模噪声与差模噪声。所述的电源线噪声抑制模块包括第三共模扼流圈、高频电容C3和低频电容C4，所述的第三共模扼流圈一端与驱动电压源连接，另一端依次并联高频电容C3和低频电容C4后分别与MOSFET驱动芯片的电源端和地线端连接，用于抑制电源线上的噪声。所述的输入信号线噪声抑制模块、输出信号线噪声抑制模块与电源线噪声抑制模块共同构成了 MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，对MOSFET驱动芯片进行全方位的电磁干扰保护。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点:有效解决开关电源系统中开关MOSFET驱动电路的电磁干扰问题，减小高压高重频开关电源对开关MOSFET驱动电路所产生的电磁干扰，避免引发驱动芯片的误动作；通过采用滤波技术有效切断噪声的传播路径，在开关MOSFET驱动芯片的输入信号线、输出信号线与电源线上全面使用共模扼流线圈与差模电容，可以对输入信号线、输出信号线与电源线上的差模噪声与共模噪声全面加以抑制。【附图说明】图1为本专利技术的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细说明。实施例如图1所示，为本专利技术所涉及的功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，包括输入信号线噪声抑制模块、输出信号线噪声抑制模块与电源线噪声抑制模块。所述输入信号线噪声抑制模块由共模扼流圈、差模电容C1与电阻R1并联构成滤波器，具体实施实例中Cl = 500pF，R1 = 500Ω。输入信号线噪声抑制模块的一端与输入信号线相接，另一端与地线相接，可以抑制输入信号线上的共模噪声与差模噪声。所述功率MOSFET驱动芯片电磁干扰抑制电路的输出信号线噪声抑制模块由共模扼流圈与差模电容并联构成滤波器，具体实施实例中C2 = 500pF。输出信号线噪声抑制模块的一端与输出信号线相接，另一端与地线相接，可以抑制输出信号线上的共模噪声与差模噪声。所述功率MOSFET驱动芯片电磁干扰抑制电路的电源噪声抑制模块由共模扼流圈与一个高频电容C3、一个低频电容C4并联构成滤波器，具体实施实例中C3 = 0.luF，C4 =4.7uF。电源线噪声抑制模块的一端与驱动电压源相接，另一端与地线相接，可以抑制电源线上的高低频噪声。综上，本专利技术所设计的功率MOSFET驱动芯片电磁干扰抑制电路能够对开关电源在驱动芯片的输入信号线、输出信号线、以及电源线上所产生的差模噪声与共模噪声进行抑制，与典型的开关MOSFET驱动电路仅对电源线进行噪声抑制相比，本专利技术可以全方位解决驱动电路的噪声抑制问题。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。【主权项】1.一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，该电路分别与MOSFET驱动芯片和驱动电压源连接，其特征在于，所述的电磁干扰抑制电路包括输入信号线噪声抑制模块、输出信号线噪声抑制模块与电源线噪声抑制模块，分别对输入信号线的高频噪声、输出信号线的高频噪声与电源线的噪声加以抑制，提高功率MOSFET驱动芯片的抗电磁干扰能力。2.根据权利要求1所述的一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，其特征在于，所述的输入信号线噪声抑制模块包括第一共模扼流圈、差模电容C1和电阻R1,所述的第一共模扼流圈一端与输入信号线连接，另一端依次并联差模电容C1和电阻R1后分别与MOSFET驱动芯片的输入端和地线端连接，用于抑制输入信号线上的共模噪声与差模噪声。3.根据权利要求1所述的一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，其特征在于，所述的输出信号线的高频噪声包括第二共模扼流圈和差模电容C2，所述的第二共模扼流圈一端与信号输出线连接，另一端并联差模电容C2后分别与MOSFET驱动芯片的输出端和地线端连接，用于抑制输出信号线上的共模噪声与差模噪声。4.根据权利要求1所述的一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，其特征在于，所述的电源线噪声抑制模块包括第三共模扼流圈、高频电容C3和低频电容C4，所述的第三共模扼流圈一端与驱动电压源连接，另一端依次并联高频电容C3和低频电容C4后分别与MOSFET驱动芯片的电源端和地线端连接，用于抑制电源线上的噪声。5.根据权利要求2、3或4所述的一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，其特征在于，所述的输入信号线噪声抑制模块、输出信号线噪声抑制模块与电源线噪本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，该电路分别与MOSFET驱动芯片和驱动电压源连接，其特征在于，所述的电磁干扰抑制电路包括输入信号线噪声抑制模块、输出信号线噪声抑制模块与电源线噪声抑制模块，分别对输入信号线的高频噪声、输出信号线的高频噪声与电源线的噪声加以抑制，提高功率MOSFET驱动芯片的抗电磁干扰能力。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁斌，毛军发，李晓春，彭天昊，刘楠楠，李翀，郎少波，曾天民，
申请(专利权)人：上海紫竹新兴产业技术研究院，袁斌，
类型：发明
国别省市：上海;31