本发明专利技术提供一种带电磁保护和加密功能的多用途主板单元包括：STM32F207IGT6处理器、FSMC、CAN总线接口、USB接口、ADC接口、ETH接口、GPIO接口、JTAG接口、SDIO接口、USART接口、SPI接口、I2S总线接口、I2C接口、TIME接口、2×27双排插针一、2×27双排插针二、1×4单排插针、NandFlash存储器、SRAM、NandFlash电磁保护电路、SRAM电磁保护电路、加密芯片、处理器电磁保护电路，本发明专利技术避免了重复设计，缩短了开发周期；对其核心部件进行了电磁保护，以使得终端产品的稳定性更强；采用了FSMC，配置了大容量的NandFlash存储器；内置加密芯片，可以对用户的应用程序进行加密，以使得用户的应用程序更加安全，不被泄漏。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及自动化控制设备领域，特别是涉及一种带电磁保护和加密功能的多用途主板单元。
技术介绍
近年来，随着通信、测控、嵌入式等新技术的发展，为了满足各种不同的需求，设计人员需要设计不同的终端，不管这些终端设计如何变化，其核心部分如处理器、存储器是不变的，目前终端的设计都是利用市面上已有的处理器和存储器作为设计时的元件进行设计，导致出现大量的重复设计，延长了开发周期，同时也使得生产工艺相对复杂，不利于组装。同时，由于终端有可能会被部署在复杂的工业环境里，也有必要对其核心部件进行电磁保护，以使得终端产品的稳定性更强，更好地适应恶劣的工业环境。此外，目前很多工业级的核心板没有使用FTL（软件中间层技术，即将闪存模拟成块设备）技术，因此无法配置大容量的Nand-Flash存储器。再次，终端和用户之间的通讯一般是通过网络完成的，因此很多时候用户需要对应用程序进行加密，以使得用户的应用程序更加安全，不被泄漏。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提出一种带电磁保护和加密功能的多用途主板单元。本专利技术技术方案如下：一种带电磁保护和加密功能的多用途主板单元包括：STM32F207IGT6处理器、FSMC（可变静态存储控制器）、CAN总线接口、USB接口、ADC（模拟/数字转换器）接口、ETH（以太网）接口、GPIO（通用输入/输出）接口、JTAG（联合测试工作组）接口、SDIO（安全数字输入/输出）接口、USART（通用同步/异步串行接收/发送器）接口、SPI（串行外设）接口、I2S总线接口、I2C（两线式串行总线）接口、TIME（计数器）接口、2×27双排插针一、2×27双排插针二、1×4单排插针、NandFlash存储器、SRAM（静态随机存储器）、NandFlash电磁保护电路、SRAM电磁保护电路、加密芯片、处理器电磁保护电路，其中所述STM32F207IGT6处理器与所述FSMC相连，所述FSMC与所述NandFlash存储器和所述SRAM相连，所述NandFlash存储器连有所述NandFlash电磁保护电路，所述SRAM连有所述SRAM电磁保护电路；所述CAN总线接口、USB接口、ADC接口、ETH接口、GPIO接口连接到所述STM32F207IGT6处理器上，用来通过2×27双排插针一来连接外部相应功能模块，所述SDIO接口、USART接口、SPI接口、I2S总线接口、I2C接口、TIME接口连接到所述STM32F207IGT6处理器上，用来通过2×27双排插针二来连接外部相应功能模块；所述JTAG接口连接到所述STM32F207IGT6处理器上，用来通过1×4单排插针将程序烧写到所述STM32F207IGT6处理器上；所述STM32F207IGT6处理器还连接有所述加密芯片和处理器电磁保护电路。进一步地，所述处理器电磁保护电路包括三个部分：第一部分包括STM32F207IGT6处理器的引脚PH0和PH1及NRST、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R2、电阻R6、具有两个电极的压电晶体Y1、数字地SGND，所述STM32F207IGT6处理器的引脚PH0连接电容C1的一端和具有两个电极的压电晶体Y1的电极2的一端，所述电容C1的另一端连接数字地SGND，STM32F207IGT6处理器的引脚PH1连接电阻R2，电阻R2的另一端连接所述具有两个电极的压电晶体Y1的电极1和电容C2，电容C2的另一端连接数字地SGND，STM32F207IGT6处理器引脚NRST（异步复位）连接电容C3和电阻R6，电容C3的另一端接数字地SGND，电阻R6的另一端引出一条线作为引脚NRST的引出线；第二部分包括STM32F207IGT6处理器的引脚Vcap_1、电容C30、数字地SGND，所述STM32F207IGT6处理器的引脚Vcap_1连接电容C30，电容C30的另一端连接数字地SGND；第三部分包括STM32F207IGT6处理器引脚Vcap_2、电容C29，数字地SGND，所述STM32F207IGT6的处理器引脚Vcap_2连接电容C29，电容C29的另一端连接数字地SGND。在本专利技术的一个实施例里，所述NandFlash存储器18为型号为HY27UF082G2B的NandFlash存储器，可以由市场直接购得。进一步地，所述NandFlash电磁保护电路包括NandFlash存储器的引脚E、引脚RB、引脚WP、两个VDD引脚，两个VSS引脚和电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C18、电容C19、电容C20、电容C21、数字地SGND、+3V3电源，所述引脚E连接电阻R4的一端，引脚RB连接电阻R3的一端，电阻R4和电阻R3的另一端共同连接+3V3电源；引脚WP连接电阻R5和电容C18的一端，电阻R5的另一端连接+3V3电源，电容C18的另一端连接数字自SGND；两个VDD引脚均连接+3V3电源，并连接电容C19、电容C20、电容C21的一端，电容C19、电容C20、电容C21的另一端连接两个VSS引脚，并连接数字地SGND。在本专利技术的一个具体实施例里，所述SRAM为型号为CY62177的静态随机存储器，可以由市场直接购得。进一步地，所述SRAM电磁保护电路包括电容C22、数字地SGND、+3V3电源、SRAM的引脚VCC、两个VSS引脚、BYTE引脚、CE2引脚，所述引脚VCC连接+3V3电源和电容C22的一端，电容C22的另一端连接数字地SGND和两个VSS引脚；引脚BYTE和引脚CE2共同连接+3V3电源。在本专利技术的一个实施例里，所述加密芯片为型号为Microchip11LC010的芯片，可以由市场直接购得。本专利技术的有益效果在于：提供一种带电磁保护和加密功能的多用途主板单元，避免了重复设计，缩短了开发周期，同时简化了生产工艺；对其核心部件进行了电磁保护，以使得终端产品的稳定性更强，更好地适应恶劣的工业环境；采用了FSMC，可以配置大容量的NandFlash存储器；内置加密芯片，可以对用户的应用程序进行加密，以使得用户的应用程序更加安全，不被泄漏。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的实施例，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术带电磁保护和加密功能的多用途主板单元的结构示意图；图2为本专利技术带电磁保护和加密功能的多用途主板单元的STM32F207IGT6处理器电磁保护电路电路图；图3为图2中处理器电磁保护电路第一部分放大图；图4为图2中处理器电磁保护电路第二部分放大图；图5为图2中处理器电磁保护电路第三部分放大图；图6为NandFlash电磁保护电路电路图；图7为SRAM电磁保护电路电路图。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利技术作进一步的说明。其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种带电磁保护和加密功能的多用途主板单元，其特征在于，包括：STM32F207IGT6处理器（1）、FSMC（2）、CAN总线接口（3）、USB接口（4）、ADC接口（5）、ETH接口（6）、GPIO接口（7）、JTAG接口（8）、SDIO接口（9）、USART接口（10）、SPI接口（11）、I2S总线接口（12）、I2C接口（13）、TIME接口（14）、2×27双排插针一（15）、2×27双排插针二（16）、1×4单排插针（17）、Nand Flash存储器（18）、SRAM（19）、Nand Flash电磁保护电路（20）、SRAM电磁保护电路（21）、加密芯片（22）、处理器电磁保护电路（23），其中所述STM32F207IGT6处理器（1）与所述FSMC（2）相连，所述FSMC（2）与所述Nand Flash存储器（18）和所述SRAM（19）相连，所述Nand Flash存储器（18）连有所述Nand Flash电磁保护电路（20），所述SRAM（19）连有所述SRAM电磁保护电路（21）；所述CAN总线接口（3）、USB接口（4）、ADC接口（5）、ETH接口（6）、GPIO接口（7）连接到所述STM32F207IGT6处理器（1）上，用来通过2×27双排插针一（15）来连接外部相应功能模块，所述SDIO接口（9）、USART接口（10）、SPI接口（11）、I2S总线接口（12）、I2C接口（13）、TIME接口（14）连接到所述STM32F207IGT6处理器（1）上，用来通过2×27双排插针二（16）来连接外部相应功能模块；所述JTAG接口（8）连接到所述STM32F207IGT6处理器（1）上，用来通过1×4单排插针（17）将程序烧写到所述STM32F207IGT6处理器（1）上；所述STM32F207IGT6处理器（1）还连接有所述加密芯片（22）和处理器电磁保护电路（23）。...
【技术特征摘要】
1.一种带电磁保护和加密功能的多用途主板单元，其特征在于，包括：STM32F207IGT6处理器（1）、FSMC（2）、CAN总线接口（3）、USB接口（4）、ADC接口（5）、ETH接口（6）、GPIO接口（7）、JTAG接口（8）、SDIO接口（9）、USART接口（10）、SPI接口（11）、I2S总线接口（12）、I2C接口（13）、TIME接口（14）、2×27双排插针一（15）、2×27双排插针二（16）、1×4单排插针（17）、NandFlash存储器（18）、SRAM（19）、NandFlash电磁保护电路（20）、SRAM电磁保护电路（21）、加密芯片（22）、处理器电磁保护电路（23），
其中所述STM32F207IGT6处理器（1）与所述FSMC（2）相连，所述FSMC（2）与所述NandFlash存储器（18）和所述SRAM（19）相连，所述NandFlash存储器（18）连有所述NandFlash电磁保护电路（20），所述SRAM（19）连有所述SRAM电磁保护电路（21）；所述CAN总线接口（3）、USB接口（4）、ADC接口（5）、ETH接口（6）、GPIO接口（7）连接到所述STM32F207IGT6处理器（1）上，用来通过2×27双排插针一（15）来连接外部相应功能模块，所述SDIO接口（9）、USART接口（10）、SPI接口（11）、I2S总线接口（12）、I2C接口（13）、TIME接口（14）连接到所述STM32F207IGT6处理器（1）上，用来通过2×27双排插针二（16）来连接外部相应功能模块；所述JTAG接口（8）连接到所述STM32F207IGT6处理器（1）上，用来通过1×4单排插针（17）将程序烧写到所述STM32F207IGT6处理器（1）上；所述STM32F207IGT6处理器（1）还连接有所述加密芯片（22）和处理器电磁保护电路（23）。
2.根据权利要求1所述的带电磁保护和加密功能的多用途主板单元，其特征在于，处理器电磁保护电路（23）包括三个部分：第一部分包括STM32F207IGT6处理器（1）的引脚PH0和PH1及NRST、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R2、电阻R6、具有两个电极的压电晶体Y1、数字地SGND，所述STM32F207IGT6处理器（1）的引脚PH0连接电容C1的一端和具有两个电极的压电晶体Y1的电极2的一端，所述电容C1的另一端连接数字地SGND，STM32F207IGT6处理器（1）的引脚PH1连接电阻R2，电阻R2的另一端连接所述具有两个电极的压电晶体Y1的电极1和电容...
【专利技术属性】
技术研发人员：毕文，乔新晓，
申请(专利权)人：山东厚德测控技术有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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