一种红外发射管，包括晶片、支架、胶体层，所述晶片为倒装晶片，所述支架包括陶瓷层支架和塑胶层支架，塑胶层支架位于陶瓷层支架上，塑胶层支架对应固晶位置设有用于安装晶片的腔体，腔体上部设有一个聚光罩，塑胶层支架的腔体内壁、聚光罩上设有镜面板材层；陶瓷层支架上设有正极焊盘、负极焊盘；在陶瓷层支架上固晶位置的固晶点上粘接有镜面板材层，晶片安装在镜面板材层上，晶片的正极与陶瓷层支架正极焊盘连接，晶片的负极与陶瓷支架层负极焊盘连接。本实用新型专利技术主要是解决现有直插红外发射管采用SMT设备生产存在效率较低的问题。本实用新型专利技术具有功率高、导热良好、体积小的特点，主要用于红外发射领域。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于红外发射
，具体涉及一种功率高、发射距离远、导热良好、体积小的红外发射管。
技术介绍
目前市场上的红外发射管多采用直插形式的封装。直插封装的发射管缺点在于:不利于上SMT设备生产效率较低、铁支架导热系数不高直插产品功率不能做高通常只能做到mW级别。随着红外发射行业对生产的逐步简化和性能的提高，需改进生产组装的生产工序，提高单颗红外发射管的功率。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的上述不足而提供一种适应SMT生产、散热好可以做高功率的红外发射管。本技术的技术方案在于:包括晶片、支架、胶体层，所述晶片为倒装晶片，所述支架包括陶瓷层支架和塑胶层支架，塑胶层支架位于陶瓷层支架上，塑胶层支架对应固晶位置设有用于安装晶片的腔体，腔体上部设有一个聚光罩，塑胶层支架的腔体内壁、聚光罩上设有镜面板材层；陶瓷层支架上设有正极焊盘、负极焊盘；在陶瓷层支架上固晶位置的固晶点上粘接有镜面板材层，晶片安装在镜面板材层上，晶片的正极与陶瓷层支架正极焊盘连接，晶片的负极与陶瓷支架层负极焊盘连接。所述晶片为大功率倒装晶片。所述晶片采用倒装焊技术焊接在陶瓷层支架的镜面板材层上。所述塑胶层支架腔体内壁粘接镜面板材层。所述聚光罩为圆台形，下端小，上端大。所述塑胶层支架部分地被胶体层包裹，晶片整体被胶体层包裹。本技术与现有技术相比，具有以下的优点和有益效果:1、采用陶瓷做散热基板大大增加了导热系数，使晶片在工作时产生的温度尽快导出可以做足w级别广品；2、支架固晶面和塑胶层支架中部腔体粘有镜面板材，由于镜面板材的反射作用，大大提高了晶片出光端的出光效率和光线射出端的光照度；3、红外发射管可经过编带处理直接上SMT提高了生产效率。本技术与现有技术相比，克服了传统红外发射管体积较大、导热率不高、功率较小及传统外发射管需插件式生产不足，可直接上SMT设备生产，提高了生产效率。本技术主要用于功率高、导热良好、体积小的红外发射管。【附图说明】图1是本技术的结构示意图。图2是图1的俯视图。【具体实施方式】图1、2中，本技术包括晶片3、陶瓷层支架1、塑胶层支架2和胶体层7。其中，塑胶层支架2位于陶瓷层支架1上，塑胶层支架2对应固晶位置设有安装晶片3的腔体，腔体上部设有一个聚光罩。陶瓷层支架1上设有连接电路，连接电路包括正极焊盘5、负极焊盘6。在陶瓷层支架1上固晶位置的固晶面上粘接有镜面板材层4。晶片是倒装晶片，晶片采用倒装焊技术焊接在镜面板材上，晶片的正极与正极焊盘5焊接，晶片的负极与负极焊盘6焊接，并通过陶瓷层支架1上的连接电路将晶片串起来。在塑胶层支架中部腔体设计一定的高度和角度，腔体表层粘接有镜面板材。有陶瓷层支架1上固晶面镜面板材镜面和塑胶层支架2内腔镜面板材镜面的反射作用，大大提高了晶片出光端的出光效率和光线射出端的光照度。胶体层7将塑胶层支架2包裹一部分，晶片3整个包裹住形成物理保护。【主权项】1.一种红外发射管，其特征在于:包括晶片(3)、支架、胶体层(7)，所述晶片为倒装晶片，所述支架包括陶瓷层支架(1)和塑胶层支架(2)，塑胶层支架(2)位于陶瓷层支架(1)上，塑胶层支架(2)对应固晶位置设有用于安装晶片的腔体，腔体上部设有一个聚光罩，塑胶层支架(2 )的腔体内壁、聚光罩上设有镜面板材层；陶瓷层支架(1)上设有正极焊盘(5 )、负极焊盘(6);在陶瓷层支架(1)上固晶位置的固晶点上粘接有镜面板材层(4)，晶片(3)安装在镜面板材层(4)上，晶片(3)的正极与陶瓷层支架(1)正极焊盘(5)连接，晶片(3)的负极与陶瓷支架层负极焊盘(6)连接；所述塑胶层支架(2)部分地被胶体层(7)包裹，晶片(3 )整体被胶体层(7 )包裹。2.根据权利要求1所述的红外发射管，其特征在于:所述晶片(3)为大功率倒装晶片。3.根据权利要求2所述的红外发射管，其特征在于:所述晶片(3)采用倒装焊技术焊接在陶瓷层支架的镜面板材层上。4.根据权利要求1所述的红外发射管，其特征在于:所述塑胶层支架腔体内壁粘接镜面板材层。5.根据权利要求1所述的红外发射管，其特征在于:所述聚光罩为圆台形，下端小，上端大。【专利摘要】一种红外发射管，包括晶片、支架、胶体层，所述晶片为倒装晶片，所述支架包括陶瓷层支架和塑胶层支架，塑胶层支架位于陶瓷层支架上，塑胶层支架对应固晶位置设有用于安装晶片的腔体，腔体上部设有一个聚光罩，塑胶层支架的腔体内壁、聚光罩上设有镜面板材层；陶瓷层支架上设有正极焊盘、负极焊盘；在陶瓷层支架上固晶位置的固晶点上粘接有镜面板材层，晶片安装在镜面板材层上，晶片的正极与陶瓷层支架正极焊盘连接，晶片的负极与陶瓷支架层负极焊盘连接。本技术主要是解决现有直插红外发射管采用SMT设备生产存在效率较低的问题。本技术具有功率高、导热良好、体积小的特点，主要用于红外发射领域。【IPC分类】H01L33/64, H01L33/48, H01L33/60【公开号】CN204991749【申请号】CN201520441526【专利技术人】唐翰钦, 屈中强, 杨莉, 黄甫念, 罗磊 【申请人】湖北云川光电科技有限公司【公开日】2016年1月20日【申请日】2015年6月25日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种红外发射管，其特征在于：包括晶片（3）、支架、胶体层（7），所述晶片为倒装晶片，所述支架包括陶瓷层支架（1）和塑胶层支架（2），塑胶层支架（2）位于陶瓷层支架（1）上，塑胶层支架（2）对应固晶位置设有用于安装晶片的腔体，腔体上部设有一个聚光罩，塑胶层支架（2）的腔体内壁、聚光罩上设有镜面板材层；陶瓷层支架（1）上设有正极焊盘（5）、负极焊盘（6）；在陶瓷层支架（1）上固晶位置的固晶点上粘接有镜面板材层（4），晶片（3）安装在镜面板材层（4）上，晶片（3）的正极与陶瓷层支架（1）正极焊盘（5）连接，晶片（3）的负极与陶瓷支架层负极焊盘（6）连接；所述塑胶层支架（2）部分地被胶体层（7）包裹，晶片（3）整体被胶体层（7）包裹。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：唐翰钦，屈中强，杨莉，黄甫念，罗磊，
申请(专利权)人：湖北云川光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42
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