一种薄膜晶体管，包括：一栅极，设置于一基板上且连接至一栅极线；一电容补偿结构，设置于该基板上，且该电容补偿结构电性连接至该栅极，其特征在于，该电容补偿结构具有一第一侧边面对该栅极以及一第二侧边远离该栅极，该电容补偿结构具有一第一延伸部，以及一连接至该第一延伸部与该栅极线的第一本体部；一半导体层，设置于该基板上且覆盖部分该栅极，其中，该半导体层至少延伸重叠于该电容补偿结构的该第一侧边；一介电层，设置于该基板上，且该介电层具有一第一开口及一第二开口分别暴露出位于该栅极处的部分该半导体层；一漏极，设置于该基板上且经由该第一开口接触该半导体层；以及一源极，设置于该基板上且经由该第二开口接触该半导体层。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】薄膜晶体管本申请为分案申请，其母案的申请号为:201210564587.x，申请日为:2012年12月21日，申请人为:友达光电股份有限公司，专利技术名称为:像素结构及薄膜晶体管。
本专利技术关于一种像素结构与薄膜晶体管，尤指一种具有电容补偿结构的像素结构与薄膜晶体管。
技术介绍
主动矩阵式(active matrix)显示面板包括多个个呈矩阵排列的像素结构所构成，且各像素结构主要包括薄膜晶体管、显示元件与储存电容等元件。显示面板的薄膜晶体管、显示元件与储存电容等元件的制作将多层膜层包括例如导电层、半导体层与介电层等依序利用沉积、光刻及蚀刻等工艺加以形成。然而，由于光刻工艺无法避免地会具有对位误差，因此实际制作出的元件的各膜层间的相对位置亦会产生一定的偏差。特别是对于大尺寸显示面板而言，由于光罩的尺寸小于基板的尺寸，因此同一膜层的图案必须经历数次的光刻工艺才可定义出。在此状况下，对于同一显示面板而言，不同区域的像素结构内的薄膜晶体管的特性或储存电容值会因为对位误差而不一致，而严重影响显示品质。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种具有电容补偿结构的像素结构与薄膜晶体管。本专利技术的一实施例提供一种像素结构，包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管与一储存电容。第一薄膜晶体管具有一第一栅极、一第一源极、一第一漏极与一第一半导体层，且第一源极与第一漏极接触第一半导体层。第二薄膜晶体管具有一第二栅极、一第二源极、一第二漏极与一第二半导体层，第二源极与第二漏极接触第二半导体层，且第二栅极具有一第一侧边面对第一栅极，以及一第二侧边远离第一栅极。第二栅极连接第一源极，第二半导体层具有一第一突出部与一第二突出部沿一第一方向分别突出于第二栅极的第一侧边与第二侧边，第一突出部的面积实质上小于第二突出部的面积，且第二半导体层不与第一半导体层接触。储存电容具有一上电极、一下电极与一夹设于上电极与下电极间的绝缘层。上电极由第二源极与部分第二半导体层所构成，下电极由部分第二栅极所构成，且绝缘层更设置于第一薄膜晶体管的第一栅极与第一半导体层之间以及设置于第二薄膜晶体管的第二栅极与第二半导体层之间。该第一突出部具有一第一长度与一第一宽度，该第二突出部具有一第二长度与一第二宽度，该第一突出部的该第一宽度实质上等于该第二突出部的该第二宽度，且该第一突出部突出于该第二栅极的该第一侧边的该第一长度实质上小于该第二突出部突出于该第二栅极的该第二侧边的该第二长度。该第一长度实质上介于1微米与3微米之间，且该第二长度实质上介于1微米与5微米之间。该第一薄膜晶体管、该第二薄膜晶体管与该储存电容皆还包括一介电层，设置于该第一薄膜晶体管的该绝缘层上、于该第二薄膜晶体管的该绝缘层上以及于该储存电容的该绝缘层上，其中，该介电层具有多个个开口，分别暴露出该第一薄膜晶体管的部分该第一半导体层、该第二薄膜晶体管的部分该第二半导体层与该储存电容的部分该第二半导体层，以使得该第一源极与该第一漏极经由部分该等开口与该第一半导体层接触以及使得该第二源极与该第二漏极经由部分该等开口与该第二半导体层接触。该第一薄膜晶体管的该第一栅极连接至一栅极线，以及该第一漏极连接至一数据线。该第二薄膜晶体管的该第二漏极连接至一电源线。还包括一光电转换元件，与该第二薄膜晶体管的该第二源极连接。该第一半导体层与该第二半导体层的材料包括氧化物半导体。本专利技术的另一实施例提供一种薄膜晶体管，包括一栅极、一电容补偿结构、一半导体层、一介电层、一漏极，以及一源极。栅极设置于一基板上且连接至一栅极线。电容补偿结构设置于基板上，且电容补偿结构电性连接至栅极，其中电容补偿结构具有一第一侧边面对栅极以及一第二侧边远离栅极。半导体层设置于基板上且覆盖部分栅极，其中半导体层至少延伸重叠于电容补偿结构的第一侧边。介电层设置于基板上，且介电层具有一第一开口及一第二开口分别暴露出位于栅极处的部分半导体层。漏极设置于基板上且经由第一开口接触半导体层。源极设置于基板上且经由第二开口接触半导体层。该半导体层重叠于该电容补偿结构的该第一侧边具有一重叠区，该重叠区垂直投影于该基板上具有一长度与一宽度，该长度实质上介于1微米至5微米之间。该电容补偿结构具有一第一延伸部，以及一连接至该第一延伸部与该栅极线的第一本体部。该源极具有一第二延伸部，以及一连接至该第二延伸部的第二本体部。该第一延伸部实质上平行于该第二延伸部，且该第一延伸部与该第二延伸部垂直投影于该基板上具有一间隔，其中该间隔实质上介于6微米与8微米之间。该第一半导体层与该第二半导体层的材料包括氧化物半导体。该源极与该电容补偿结构不重叠。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。【附图说明】图1是本专利技术的第一实施例的像素结构的等效电路图。图2是图1的像素结构的上视示意图。图3为图2的像素结构沿剖线A-A’与B_B’所绘示的剖面示意图。图4是本专利技术的第二实施例的薄膜晶体管的上视示意图。图5为图4的薄膜晶体管沿剖线C-C’所绘示的剖面示意图。图6是本专利技术的第二实施例的变化实施例的薄膜晶体管的上视示意图。图7为图6的薄膜晶体管沿剖线E-E’所绘示的剖面示意图。附图标记说明10像素结构T1第一薄膜晶体管T2第二薄膜晶体管Cst储存电容1基板G1第一栅极S1第一源极D1第一漏极11第一半导体层G2第二栅极S2第二源极D2第二漏极12第二半导体层A1第一侧边A2第二侧边P1第一突出部P2第二突出部14上电极16下电极18绝缘层L通道长度W通道宽度GL栅极线DL数据线PL电源线EL光电转换元件L1第一长度W1第一宽度L2第二长度W2第二宽度dl第一方向d2第二方向20介电层201开口202开口203开口204开口205开口206开口207开口Id电流40薄膜晶体管G栅极Cp电容补偿结构42半导体层44介电层S漏极D源极46绝缘层4基板441第一开口442第二开口443第三开口444第四开口X重叠区L3长度W3宽度60薄膜晶体管E1第一延伸部B1第一本体部E2第二延伸部B2第二本体部g间隔【具体实施方式】为使熟习本专利技术所属
的普通技术人员能更进一步了解本专利技术，下文特列举本专利技术的较佳实施例，并配合附图，详细说明本专利技术的构成内容及所欲达成的功效。请参考图1至图3。图1是本专利技术的第一实施例的像素结构的等效电路图，图2是图1的像素结构的上视示意图，而图3为图2的像素结构沿剖线A-A’与B-B’所绘示的剖面示意图。本专利技术的像素结构是以自发光显示面板例如有机电激发光显示面板的像素结构为较佳范例说明，但不以此为限。本专利技术的像素结构亦可为其它类型的自发光显示面板例如电浆显示面板、场发射显示面板或其它合适的显示面板的像素结构，或是非自发光显示面板例如液晶显示面板(例如:水平电场驱动的液晶显示面板、垂直电场驱动的液晶显示面板、光学补偿弯曲(optically compensated bend, 0CB)液晶显示面板、胆固醇液晶显示面板、蓝相液晶显示面板、或其它合适的液晶显示面板)、电泳显示面板、电湿润显示面板、或其它合适的显示面板的像素结构。但需注意的是，非自发光显示面板就需要额外的背光模组提供光源给予非自发光显示面板，而自发光显示面板因会自本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：一栅极，设置于一基板上且连接至一栅极线；一电容补偿结构，设置于该基板上，且该电容补偿结构电性连接至该栅极，其特征在于，该电容补偿结构具有一第一侧边面对该栅极以及一第二侧边远离该栅极，该电容补偿结构具有一第一延伸部，以及一连接至该第一延伸部与该栅极线的第一本体部；一半导体层，设置于该基板上且覆盖部分该栅极，其中，该半导体层至少延伸重叠于该电容补偿结构的该第一侧边；一介电层，设置于该基板上，且该介电层具有一第一开口及一第二开口分别暴露出位于该栅极处的部分该半导体层；一漏极，设置于该基板上且经由该第一开口接触该半导体层；以及一源极，设置于该基板上且经由该第二开口接触该半导体层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：奚鹏博，陈钰琪，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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