一种优化扩散工艺时间的方法技术

本发明专利技术公开了一种优化扩散工艺时间的方法，属于光伏技术领域。光伏晶硅电池制造包括清洗制绒、扩散、洗磷刻蚀、PECVD和丝印烧结等工序。作为光伏电池的核心，扩散的工艺时间较长，而较长的扩散工艺时间会影响扩散产能。在不降低转换效率的情况下，本发明专利技术缩短扩散降温步的工艺时间，在同等的时间内增加扩散产能，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于光伏

技术介绍
随着现代工业化的发展，不可再生能源日益减少，能源问题越来越成为制约国际 社会经济发展的瓶颈，很多国家开始实行"阳光计划"，开发太阳能资源，为经济发展提供新 的发展动力。在国际光伏市场巨大潜力的推动下，各国的太阳能电池制造商不仅竞相投入 巨资，扩大生产，还纷纷建立研发机构，研发新的太阳能电池项目，提高产品的质量和转换 效率。 在竞争激烈的光伏行业，提高转换效率和降低生产成本成为光伏制造商的两大核 心目标。扩散工序是光伏电池制造的核心工序。扩散工艺时间较长，降低扩散工艺时间，可 以在同样的时间内提升产量，降低产品成本，提升产品竞争力。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，通过减少后氧化及降温的 时间，提升扩散产能降低成本。 -种优化扩散工艺时间的方法，具体步骤为： (1) 开始：时间为10 s，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧气 的流量均为〇 L/min ; (2) 进舟：时间为800 s，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧 气的流量为〇 L/min ; (3) 升温：时间为500 s，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为18 L/min，小氮气和氧 气的流量均为〇 L/min ; (4) 前氧化：时间为200 s，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为18 L/min，小氮气流 量为〇 L/min，氧气流量为]-5 L/min ; (5) 第一次沉积：时间为900 s，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为15 L/min，小氮 气流量为2. 0 L/min，氧气流量为I. 0 L/min ; (6) 推进：时间为500 s，温度设置为800~820 °C，大氮气流量为18 L/min，小氮气流量 为0 L/min，氧气流量为0 L/min; (7) 第二次沉积：时间为500 s，温度设置为830~850 °C，大氮气流量为15. 9 L/min，小 氮气流量为I. 4 L/min，氧气流量为0. 7 L/min ; (8) 后氧化及降温：时间为400 s，温度设置为700~800 °C，大氮气流量为14 L/min，小 氮气流量为〇 L/min，氧气流量为4 L/min; (9) 出舟：时间为800 s，温度设置为750 °C，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧气的 流量为〇 L/min ; (10) 结束：时间为10 s，温度设置为780 °C，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧气的 流量均为O L/min ; 本专利技术制备的硅片通过四探针测试的方块电阻在70~90 Ω / □，后道的刻蚀、PECVD、丝 印烧结等通过传统工艺完成，本专利技术制得电池片平均转换效率略有提升，但可有效降低扩 散工艺时间，提升扩散产能，降低生产成本。【具体实施方式】 以下所述的仅是本专利技术所公开的，应当指出，对于 本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术所创造构思的前提下，还可以做出若干变形 和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。 实施例： ，具体实施步骤如下： (1) 开始：时间为10 S，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧气 的流量均为〇 L/min ; (2) 进舟：时间为800 s，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧 气的流量为〇 L/min ; (3) 升温：时间为500 s，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为18 L/min，小氮气和氧 气的流量均为〇 L/min ; (4) 前氧化：时间为200 s，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为18 L/min，小氮气流 量为〇 L/min，氧气流量为]-5 L/min ; (5) 第一次沉积：时间为900 s，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为15 L/min，小氮 气流量为2. 0 L/min，氧气流量为I. 0 L/min ; (6) 推进：时间为500 s，温度设置为800~820 °C，大氮气流量为18 L/min，小氮气流量 为0 L/min，氧气流量为0 L/min; (7) 第二次沉积：时间为500 s，温度设置为830~850 °C，大氮气流量为15. 9 L/min，小 氮气流量为I. 4 L/min，氧气流量为0. 7 L/min ; (8) 后氧化及降温：时间为400 s，温度设置为700~800 °C，大氮气流量为14 L/min，小 氮气流量为〇 L/min，氧气流量为4 L/min; (9) 出舟：时间为800 s，温度设置为750 °C，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧气的 流量为〇 L/min ; (10) 结束：时间为10 s，温度设置为780 °C，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧气的 流量均为〇 L/min ; 对比例： 传统扩散工艺，具体实施步骤如下： (1) 开始：时间为10 s，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧气 的流量均为〇 L/min ; (2) 进舟：时间为800 s，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧 气的流量为〇 L/min ; (3) 升温：时间为500 s，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为18 L/min，小氮气和氧 气的流量均为〇 L/min ; (4) 前氧化：时间为200 s，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为18 L/min，小氮气流 量为〇 L/min，氧气流量为]-5 L/min ; (5) 第一次沉积：时间为900 s，温度设置为770~790 °C，大氮气流量为15 L/min，小氮 气流量为2. 0 L/min，氧气流量为I. 0 L/min ; (6) 推进：时间为500 s，温度设置为800~820 °C，大氮气流量为18 L/min，小氮气流量 为0 L/min，氧气流量为0 L/min; (7) 第二次沉积：时间为500 s，温度设置为830~850 °C，大氮气流量为15. 9 L/min，小 氮气流量为I. 4 L/min，氧气流量为0. 7 L/min ; (8) 后氧化及降温：时间为1800 s，温度设置为700~800 °C，大氮气流量为14 L/min， 小氮气流量为〇 L/min，氧气流量为4 L/min; (9) 出舟：时间为800 s，温度设置为750 °C，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧气的 流量为〇 L/min ; (10) 结束：时间为10 s，温度设置为780 °C，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧气的 流量均为〇 L/min ; 实施例和对比例采用相同的硅片原料：P型多晶硅片，电阻率0. 5~3 Ω cm，各选1200 片分别进行常规的清洗制绒，分别采用本专利技术的工艺和传统扩散艺，后续工艺均采用常规 工艺进行生产，对比最终电性能参数，如下表所示：从上述数据可以看出，跟传统扩散工艺相比，本专利技术的转换效率略有提升，而本专利技术所 用扩散工艺总时间为4620 s，传统扩散工艺时间为60本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种优化扩散工艺时间的方法，其特征为：具体步骤为：（1）开始：时间为10 s，温度设置为770~790 ℃，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧气的流量均为0 L/min；（2）进舟：时间为800 s，温度设置为770~790 ℃，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧气的流量为0 L/min；（3）升温：时间为500 s，温度设置为770~790 ℃，大氮气流量为18 L/min，小氮气和氧气的流量均为0 L/min；（4）前氧化：时间为200 s，温度设置为770~790 ℃，大氮气流量为18 L/min，小氮气流量为0 L/min，氧气流量为1~5 L/min；（5）第一次沉积：时间为900 s，温度设置为770~790 ℃，大氮气流量为15 L/min，小氮气流量为2.0 L/min，氧气流量为1.0 L/min；（6）推进：时间为500 s，温度设置为800~820 ℃，大氮气流量为18 L/min，小氮气流量为0 L/min，氧气流量为0 L/min；（7）第二次沉积：时间为500 s，温度设置为830~850 ℃，大氮气流量为15.9 L/min，小氮气流量为1.4 L/min，氧气流量为0.7 L/min；（8）后氧化及降温：时间为400 s，温度设置为700~800 ℃，大氮气流量为14 L/min，小氮气流量为0 L/min，氧气流量为4 L/min；（9）出舟：时间为800 s，温度设置为750 ℃，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧气的流量为0 L/min；（10）结束：时间为10 s，温度设置为780 ℃，大氮气流量为8 L/min，小氮气和氧气的流量均为0 L/min。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹江伟，杨晓琴，张广路，黄明，
申请(专利权)人：江西展宇新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36