TEOS机台的排气管连接件以及排气管制造技术

本发明专利技术提供一种TEOS机台的排气管连接件以及排气管，连接件包括一第一管和一第二管，所述第一管嵌套在所述第二管内，所述第一管的底端和所述第二管的底端封闭连接，并且，所述第一管的高度大于所述第二管的高度。本发明专利技术中，第一管与第二管之间形成半封闭的连接空间，使得在未反应的气体或者反应的副产物排出反应腔室的过程中，形成的残留物可以沉积在半封闭的连接空间中，不会将排气管堵住。在后期的TEOS机台维护过程中，只需要将连接空间中的残留物去除即可，不会对机台的使用产生影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造
，尤其涉及一种TEOS机台的排气管连接件以及排气管。
技术介绍
半导体集成电路制造工艺中，正硅酸乙酯TEOS淀积二氧化硅由于台阶覆盖性好，成本低，作为介质层被广泛使用，其中，TEOS淀积是把含有构成薄膜元素的气态反应剂引入反应腔室，气态反应剂在硅片等基片的表面发生化学反应，从而生成所需的固态薄膜并淀积在其表面，反应过程中或者反应完成之后，将反应剩余的气体反应剂或者反应生成的其他副产物排出反应腔室。TEOS机台的排气管的结构参考图1所示，通过连接件10将第一连接管30和第二连接管20连接，第二连接管20与反应腔室连接，使得反应腔室中的气体从第二连接管20通过连接件10排出。但是，在TEOS机台的的排气管在将剩余未反应的气体或着副产物排出TEOS机台过程中，排气管中连接件的部分容易积累颗粒，形成残留物，并将排气管堵住，从而影响TEOS机台的正常使用。因此，需要对排气管的连接件部分进行重新设计。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种TEOS机台的排气管连接件以及排气管，解决现有技术中排气管连接部分易形成堵塞的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种TEOS机台的排气管连接件，包括一第一管和一第二管，所述第一管嵌套在所述第二管内，所述第一管的底端和所述第二管的底端封闭连接，并且，所述第一管的高度大于所述第二管的高度。可选的，所述第一管成圆筒形。可选的，所述第一管的高度为30cm-40cm，直径为5cm_15cm。可选的，所述第二管成喇叭形状，直径由第二管的底端向第二管的顶端逐渐增加。可选的，所述第二管的高度为20cm-25cm可选的，所述第二管底端的直径为5cm_15cm。可选的，所述第二管还包括一第二连接部，所述第二连接部为圆环结构，并与所述第二管的底端相连。可选的，所述第二管顶端的直径为20cm-40cm。可选的，所述第二管还包括一第一连接部，所述第一连接部为圆环结构，并与所述第二管的顶端相连。相应的，本专利技术还提供一种TEOS机台排气管，包括第一连接管、连接件和第二连接管，其中所述连接件采用上述的TEOS机台的排气管连接件。本专利技术提供的TEOS机台的排气管连接件以及排气管，包括一第一管和一第二管，所述第一管嵌套在所述第二管内，所述第一管的底端和所述第二管的底端封闭连接，并且，所述第一管的高度大于所述第二管的高度。本专利技术中，第一管与第二管之间形成半封闭的连接空间，使得在未反应的气体或者反应的副产物排出反应腔室的过程中，形成的残留物可以沉积在半封闭的连接空间中，不会将排气管堵住。在后期的TEOS机台维护过程中，只需要将连接空间中的残留物去除即可，不会对机台的使用产生影响。【附图说明】图1为现有技术中TEOS机台的排气管的结构示意图；图2为本专利技术一实施例中TEOS机台的排气管连接件的结构示意图；图3为本专利技术一实施例中TEOS机台的排气管的结构示意图。【具体实施方式】下面将结合示意图对本专利技术的TEOS机台的排气管连接件以及排气管进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。本专利技术的核心思想在于，TEOS机台的排气管连接件包括一第一管和一第二管，所述第一管嵌套在所述第二管内，所述第一管的底端和所述第二管的底端封闭连接，并且，所述第一管的高度大于所述第二管的高度。本专利技术中，第一管与第二管之间形成半封闭的连接空间，使得在未反应的气体或者反应的副产物排出反应腔室的过程中，形成的残留物可以沉积在半封闭的连接空间中，不会将排气管堵住。在后期的TEOS机台维护过程中，只需要将连接空间中的残留物去除即可，不会对机台的使用产生影响。下文结合图2对本专利技术的TEOS机台的排气管连接件进行具体说明。参考图2所示，本专利技术的TEOS机台的排气管连接件100包括一第一管I和一第二管2，所述第一管I嵌套在所述第二管2内，所述第一管I的底端和所述第二管2的底端封闭连接，并且，所述第一管I的高度大于所述第二管2的高度，所述第一管I的顶端不与所述第二管2的顶端相连，因此，所述第一管I与所述第二管2之间形成半封闭的连接空间。需要说明的是，采用第一管I的底端与第二管2的底端封闭连接，可以使得第一管I与第二管2形成的半封闭的连接空间尽可能的大，从而能够积累较多的颗粒物，并且，可以使得直径较小的底端不会形成颗粒物的堵塞。继续参考图2所示，所述第一管I成圆筒形。所述第一管I的高度为30cm-40cm。所述第一管I的直径为5cm_15cm。接着，所述第二管2成喇叭形状，所述第二管的高度为20cm-25cm，直径由第二管2的底端向第二管2的顶端逐渐增加。其中，所述第二管2顶端的直径为20cm-40cm。所述第二管2还包括一第一连接部21，所述第一连接部21为圆环结构，并与所述第二管2的顶端相连，环面与第二管2喇叭开口的方向垂直。所述第一连接部21与TEOS机台的排气管子相连，所述第一连接部21上还包括有用于固定的卡口(图中未示出)。所述第二管2底端的直径为5cm-15cm。所述第二管2还包括一第二连接部22，所述第二连接部22为圆环结构，并与所述第二管2的底端相连，环面与第二管2喇叭开口的方向垂直。所述第二连接部22与TEOS机台的反应腔室连接的管子相连，所述第二连接部22上还包括有用于固定的卡口(图中未示出)。本专利技术的TEOS机台的排气管连接件的使用的过程中，通过第一连接部21和第二连接部22连接TEOS机台的排气管之间，将剩余未反应的气体或者副产物排出反应腔室的过程中，反应气体或者副产物在通过连接件的过程中，形成的颗粒残留物可以沉积在连接空间中，使得残留物不会残留在排气管口，不对会排气管造成堵塞，保证TEOS机台的正常使用，减小TEOS机台的清洗周期。此外，本领域技术人员可以理解的是，第二管2的形状并不限于喇叭形状，顶端和开口大于底端的开口即可，并且底端和顶端的形状还可以为正方形、长方形等形状，此为根据实际排气管的形状决定。同样的，所述第一管I并不限于为圆筒形，还可以为长方体等形状，只要使得第一管I的底端与第二管2相连，形成半封闭的连接空间，用于积累残留物。作为本专利技术的另一面，本专利技术还提供一种TEOS机台排气管，参考图3所示，排气管包括第一连接管300、连接件100和第二连接管200，其中，连接件100采用上述的TEOS机台的排气管连接件100。通过采用上述连接件100，不会在排气管的第一连接管300和第二连接管200的连接部分形成颗粒残留，缩短TEOS机台的维护周期。综上所述，本专利技术提供的TEOS机台的排气管连接件以及排气管，连接件包括一第一管和一第二管，所述第一管嵌套在所述第二管内，所述第一管的底端和所述第二管的底端封闭连接，并且，所述第一管的高度大于所述第二管的高度。本专利技术中，第一管与第二管之间形成半封闭的连接空间，使得在未反应的气体或者反应的副产物排出反应腔室的过程中，形成的残留物可以沉积在半封闭的连接空间中，不会将排气管堵住。在后期的TEOS机台维护过程中，只需要将连接空间中的残留物去除即可，不会对机台的使用产生影响。显然，本领域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TEOS机台的排气管连接件，其特征在于，包括一第一管和一第二管，所述第一管嵌套在所述第二管内，所述第一管的底端和所述第二管的底端封闭连接，并且，所述第一管的高度大于所述第二管的高度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：顾武强，李占斌，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31