电池并联防反接保护控制板制造技术

电池并联防反接保护控制板，它涉及电子电路技术领域，三极管的基极与电阻四串联后连接至单片机的5脚；PMOS管二的5脚分别与二极管八的正极、电池正极端、二极管三的负极、二极管五的正极连接，PMOS管三的5脚分别与二极管七的正极、电池正极端、二极管四的负极、二极管六的正极连接，二极管七的负极、二极管八的负极连接在一起并与电阻六的一端连接，电阻六的另一端分别与高电平端、单片机的1脚、电容一的一端、电容二的一端连接，电容一的另一端、电容二的另一端连接且接地。它能在电池并联使用的场合防止发生电池反接引起的短路，电路结构简单，可靠性高；独特的短路保护机制，不会造成功率的损耗。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子电路
，具体涉及一种电池并联防反接保护控制板。
技术介绍
现在市场上使用电池并联的情况比较常见，但是大多数对于电池防反接并没有保护，尤其在大倍率电池，大电流放电的场合。这样电池一旦接反就会引起短路甚至烧毁电器或电池爆炸的危险。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种电池并联防反接保护控制板，它能在电池并联使用的场合防止发生电池反接引起的短路，电路结构简单，可靠性高；独特的短路保护机制，不会造成功率的损耗。为了解决
技术介绍
所存在的问题，本技术是采用以下技术方案:它包含电阻一-电阻十、PMOS管一 -PMOS管三、电容一-电容二、二极管一 -二极管八、三极管、单片机，电阻一的一端分别与二极管一的正极、二极管二的负极以及电池的负极端连接，二极管一的负极连接高电平端，二极管二的正极分别与二极管三的正极、二极管四的正极连接并接地；电阻一的另一端分别与电阻二的一端、电阻三的一端连接，电阻二的另一端与PMOS管一的5脚连接，电阻三的另一端与单片机的7脚连接，PMOS管一、PMOS管二、PMOS管三的I脚、2脚、3脚均连接在一起同时与电阻五的一端连接，电阻五的另一端分别与PMOS管一、PMOS管二、PMOS管三的4脚连接同时连接至三极管的集电极，三极管的发射极接地，三极管的基极与电阻四串联后连接至单片机的5脚；PM0S管二的5脚分别与二极管八的正极、电池正极端、二极管三的负极、二极管五的正极连接，PMOS管三的5脚分别与二极管七的正极、电池正极端、二极管四的负极、二极管六的正极连接，二极管七的负极、二极管八的负极连接在一起并与电阻六的一端连接，电阻六的另一端分别与高电平端、单片机的I脚、电容一的一端、电容二的一端连接，电容一的另一端、电容二的另一端连接且接地；二极管六的负极与电阻七串联，电阻七分别与电阻十的一端、单片机的3脚连接，二极管五的负极与电阻八串联，电阻八分别与电阻九的一端、单片机的4脚连接，电阻九的另一端、电阻十的另一端均接地。本技术的原理为:三颗PMOS管实现了双方向的电流截断；大功率MOS的过电流特性允许大电流短暂通过，为单片机MCU的短路判断提供了足够时间；单片机MCU实现电池连接方向的判断，实时监测反馈电压，实现短路保护的实时性；二极管实现了整个系统的供电，不论电池如何接入，单片机MCU就能够正常工作起来进行正常的逻辑判断。本技术具有以下有益效果:1、电池的防反接。在电池接反，错接情况下都不会有输出。在单节电池接入的情况下也不会有输出。只有两节电池都接入，并且极性接对的情况下才会有输出。2、反接保护。在两节电池接错的情况下不会造成短路。3、短路保护。电池放电出现短路的情况时会立即关闭电池输出；在输出短路时不会有电压输出。【附图说明】图1为本技术的电路原理图；附图标记:电阻一-电阻十R1-R10、PM0S管一-PMOS管三M1-M3、电容一-电容二C1-C2、二极管一 -二极管八D1-D8、三极管Q1、单片机MCU。【具体实施方式】下面结合附图，对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及【具体实施方式】，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的【具体实施方式】仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。参照图1，本【具体实施方式】采用以下技术方案:它包含电阻一-电阻十R1-R10、PMOS管一 -PMOS管三M1-M3、电容一-电容二 C1-C2、二极管一 -二极管八D1-D8、三极管Q1、单片机MCU，电阻一 Rl的一端分别与二极管一 Dl的正极、二极管二 D2的负极以及电池的负极端BAT-连接，二极管一 Dl的负极连接高电平端，二极管二 D2的正极分别与二极管三D3的正极、二极管四D4的正极连接并接地；电阻一 Rl的另一端分别与电阻二 R2的一端、电阻三R3的一端连接，电阻二 R2的另一端与PMOS管一 Ml的5脚连接，电阻三R3的另一端与单片机MCU的7脚连接，PMOS管一 MUPMOS管二 M2、PM0S管三M3的I脚、2脚、3脚均连接在一起同时与电阻五R5的一端连接，电阻五R5的另一端分别与PMOS管一 MUPMOS管二 M2、PMOS管三M3的4脚连接同时连接至三极管Ql的集电极，三极管Ql的发射极接地，三极管Ql的基极与电阻四R4串联后连接至单片机MCU的5脚；PM0S管二 M2的5脚分别与二极管八D8的正极、电池正极端、二极管三D3的负极、二极管五D5的正极连接，PMOS管三M3的5脚分别与二极管七D7的正极、电池正极端、二极管四D4的负极、二极管六D6的正极连接，二极管七D7的负极、二极管八D8的负极连接在一起并与电阻六R6的一端连接，电阻六R6的另一端分别与高电平端、单片机MCU的I脚、电容一 Cl的一端、电容二 C2的一端连接，电容一 Cl的另一端、电容二 C2的另一端连接且接地；二极管六D6的负极与电阻七R7串联，电阻七R7分别与电阻十RlO的一端、单片机MCU的3脚连接，二极管五D5的负极与电阻八R8串联，电阻八R8分别与电阻九R9的一端、单片机MCU的4脚连接，电阻九R9的另一端、电阻十RlO的另一端均接地。本【具体实施方式】采用三颗PMOS管实现了双方向的电流截断；大功率MOS的过电流特性允许大电流短暂通过，为单片机MCU的短路判断提供了足够时间；单片机MCU实现电池连接方向的判断，实时监测反馈电压，实现短路保护的实时性；二极管实现了整个系统的供电，不论电池如何接入，单片机MCU就能够正常工作起来进行正常的逻辑判断。本【具体实施方式】能在电池并联使用的场合防止发生电池反接引起的短路，电路结构简单，可靠性高；独特的短路保护机制，不会造成功率的损耗。以上所述仅用以说明本技术的技术方案而非限制，本领域普通技术人员对本技术的技术方案所做的其它修改或者等同替换，只要不脱离本技术技术方案的精神和范围，均应涵盖在本技术的权利要求范围当中。【主权项】1.电池并联防反接保护控制板，其特征在于:它包含电阻一-电阻十、PMOS管一 -PMOS管三、电容一-电容二、二极管一 -二极管八、三极管、单片机，电阻一的一端分别与二极管一的正极、二极管二的负极以及电池的负极端连接，二极管一的负极连接高电平端，二极管二的正极分别与二极管三的正极、二极管四的正极连接并接地；电阻一的另一端分别与电阻二的一端、电阻三的一端连接，电阻二的另一端与PMOS管一的5脚连接，电阻三的另一端与单片机的7脚连接，PMOS管一、PMOS管二、PMOS管三的I脚、2脚、3脚均连接在一起同时与电阻五的一端连接，电阻五的另一端分别与PMOS管一、PMOS管二、PMOS管三的4脚连接同时连接至三极管的集电极，三极管的发射极接地，三极管的基极与电阻四串联后连接至单片机的5脚；PM0S管二的5脚分别与二极管八的正极、电池正极端、二极管三的负极、二极管五的正极连接，PMOS管三的5脚分别与二极管七的正极、电池正极端、二极管四的负极、二极管六的正极连接，二极管七的负极、二极管八的负极连接在一起并与电阻六的一端连接，电阻六的另一端分别与高电平端、单片机的I脚、电容一的一端、电容二的一端连接，本文档来自技高网...

【技术保护点】
电池并联防反接保护控制板，其特征在于：它包含电阻一‑电阻十、PMOS管一‑PMOS管三、电容一‑电容二、二极管一‑二极管八、三极管、单片机，电阻一的一端分别与二极管一的正极、二极管二的负极以及电池的负极端连接，二极管一的负极连接高电平端，二极管二的正极分别与二极管三的正极、二极管四的正极连接并接地；电阻一的另一端分别与电阻二的一端、电阻三的一端连接，电阻二的另一端与PMOS管一的5脚连接，电阻三的另一端与单片机的7脚连接，PMOS管一、PMOS管二、PMOS管三的1脚、2脚、3脚均连接在一起同时与电阻五的一端连接，电阻五的另一端分别与PMOS管一、PMOS管二、PMOS管三的4脚连接同时连接至三极管的集电极，三极管的发射极接地，三极管的基极与电阻四串联后连接至单片机的5脚；PMOS管二的5脚分别与二极管八的正极、电池正极端、二极管三的负极、二极管五的正极连接，PMOS管三的5脚分别与二极管七的正极、电池正极端、二极管四的负极、二极管六的正极连接，二极管七的负极、二极管八的负极连接在一起并与电阻六的一端连接，电阻六的另一端分别与高电平端、单片机的1脚、电容一的一端、电容二的一端连接，电容一的另一端、电容二的另一端连接且接地；二极管六的负极与电阻七串联，电阻七分别与电阻十的一端、单片机的3脚连接，二极管五的负极与电阻八串联，电阻八分别与电阻九的一端、单片机的4脚连接，电阻九的另一端、电阻十的另一端均接地。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨华中，郑周坪，吴展峰，
申请(专利权)人：深圳市讯和通科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44