钕掺杂氯锗酸上转换荧光粉及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钕掺杂氯锗酸上转换荧光粉及其制备方法；该上转换荧光粉的化学通式为：R2GeCl6：xNd3+；其中，R为Li，Na，K，Rb或Cs；x取值为0.01～0.08。本发明专利技术制得的钕掺杂氯锗酸R2GeCl6：xNd3+上转换荧光粉，可实现由红外至绿光的长波辐射激发出蓝光短波发光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种荧光粉领域，尤其涉及一种。
技术介绍
OLED的全称Organic Light Emitting D1de,有机发光二极管。它有很多的优势，其组件结构简单，生产成本便宜，自发光的特性，加上OLED的反应时间短，更有可弯曲的特性，让它的应用范围极广。但由于目前得到稳定高效的OLED蓝光材料比较困难，极大的限制了白光OLED器件及光源行业的发展。上转换荧光材料能够在长波(如红外)辐射激发下发射出可见光，甚至紫外光，在光纤通讯技术、纤维放大器、三维立体显示、生物分子荧光标识、红外辐射探测等领域具有广泛的应用前景。但制备成荧光粉应用于OLED的领域，仍鲜见报道。
技术实现思路
基于上述问题，专利技术所要解决的问题在于提供一种化学通式为R2GeCl6:xNd3+的钕掺杂氯锗酸上转换荧光粉。本专利技术的技术方案如下:本专利技术提供的钕掺杂氯锗酸上转换荧光粉，其化学通式为R2GeCl6:xNd3+，该上转换荧光粉采用如下步骤制得:(I)、按化学通式为R2GeCl6:xNd3+中的化学元素计量比，称取RC1，GeCl4和NdCl3粉体，在刚玉研钵中研磨20?60分钟，得到均匀的粉料前驱体；(2)、将步骤(I)的前驱体放入马弗炉中以800?1100°C灼烧0.5?5小时，然后冷却到100?300°C，保温0.5?3小时后，随炉冷却到室温，得到块体材料；(3)、把块体材料粉碎，得到化学通式为R2GeCl6:xNd3+的所述钕掺杂氯锗酸上转换荧光粉；其中，R2GeCl6:xNd3+ 中，R 为 Li, Na, K, Rb 或 Cs ；x 取值为 0.01 ?0.08。优选实施例，步骤(I)中，原料粉体在刚玉研钵中研磨时间为40分钟。优选实施例，步骤(2)中，前驱体放入马弗炉中，灼烧温度为950 V，灼烧时间为3小时；灼烧过后，冷却温度为200°C，冷却保温时间为2小时。优选实施例，步骤(3)中，R2GeCl6:xNd3+中的x取值为0.05。本专利技术还提供上述钕掺杂氯锗酸上转换荧光粉的制备方法，包括如下步骤制得:(I)、按化学通式为R2GeCl6:xNd3+中的化学元素计量比，称取RC1，GeCl4和NdCl3粉体，在刚玉研钵中研磨20?60分钟，得到均匀的粉料前驱体；(2)、将步骤(I)的前驱体放入马弗炉中以800?1100°C灼烧0.5?5小时，然后冷却到100?300°C，保温0.5?3小时后，随炉冷却到室温，得到块体材料；(3)、把块体材料粉碎，得到化学通式为R2GeCl6:xNd3+的所述钕掺杂氯锗酸上转换荧光粉；其中，R2GeCl6:xNd3+ 中，R 为 Li, Na, K, Rb 或 Cs ；x 取值为 0.01 ?0.08。本专利技术制备的钕掺杂氯锗酸R2GeCl6:xNd3+上转换荧光粉，可实现由红外至绿光的长波辐射激发出蓝光短波发光；Nd是重要的稀土元素，其4f电子在f-f组态内或在f-d之间的能级跃迁都会辐射出可见光；在本体系中，Nd3+离子吸收了基质传递过来的能量，能级2P372 — 4I1572的跃迁辐射出469蓝光的发光峰。因此，该荧光粉可弥补目前显示和发光材料中蓝光材料的不足。另外，制备的方法简单，成本低廉适用于生产化，反应过程无工业三废，属绿色环保，低能耗，高效益产业。【附图说明】图1为实施例1制得的钕掺杂氯锗酸上转换荧光粉的光致发光光谱曲线图。【具体实施方式】下面结合附图，对本专利技术的较佳实施例作进一步详细说明。实施例1:选用 LiCl, GeCl4 和 NdCl3 粉体，其摩尔比为 2mmol, I mmol, 0.05mmo I ,在刚玉研钵中研磨40分钟使其均匀混合，然后在950°C下灼烧3小时，然后冷却到200°C保温2小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为Li2GeCl6:0.05Nd3+上转换荧光粉。图1为实施例1制得的钕掺杂氯锗酸上转换荧光粉的光致发光光谱曲线图；激发波长为796nm。得到的469nm的发光峰对应的是Nd3+离子2P3/2 — 4I1572的跃迁辐射发光。实施例2:选用 LiCl, GeCl4 和 NdCl3 粉体,其摩尔比为 2mmol, I mmol, 0.01 mmol ,在刚玉研钵中研磨20分钟使其均匀混合，然后在1100°C下灼烧0.5小时，然后冷却到100°C保温3小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为Li2GeCl6:0.0lNd3+上转换荧光粉。实施例3:选用 LiCl, GeCl4 和 NdCl3 粉体,其摩尔比为 2mmol, I mmol, 0.08mmol,在刚玉研钵中研磨60分钟使其均匀混合，然后在800°C下灼烧5小时，然后冷却到300°C保温0.5小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为Li2GeCl6:0.08Nd3+上转换荧光粉。实施例4:选用 NaCl, GeCl4 和 NdCl3 粉体，其摩尔比为 2mmol, I mmol, 0.05mmo I ,在刚玉研钵中研磨40分钟使其均匀混合，然后在950°C下灼烧3小时，然后冷却到200°C保温2小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为Na2GeCl6:0.05Nd3+上转换荧光粉。实施例5:选用 NaCl, GeCl4 和 NdCl3 粉体,其摩尔比为 2mmol, I mmol, 0.01 mmol ,在刚玉研钵中研磨20分钟使其均匀混合，然后在1100°C下灼烧0.5小时，然后冷却到100°C保温3小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为Na2GeCl6:0.0lNd3+上转换荧光粉。实施例6:选用 NaCl, GeCl4 和 NdCl3 粉体,其摩尔比为 2mmol, I mmol, 0.08mmol,在刚玉研钵中研磨60分钟使其均匀混合，然后在800°C下灼烧5小时，然后冷却到300°C保温0.5小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为Na2GeCl6:0.08Nd3+上转换荧光粉。实施例7:选用KCl，66(:14和制(:13粉体，其摩尔比为2臟01，1臟01，0.05臟01，在刚玉研钵中研磨40分钟使其均匀混合，然后在950°C下灼烧3小时，然后冷却到200°C保温2小时，再随炉冷却到室温当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钕掺杂氯锗酸上转换荧光粉，其特征在于，其化学通式为R2GeCl6：xNd3+，该上转换荧光粉采用如下步骤制得：（1）、按化学通式为R2GeCl6：xNd3+中的化学元素计量比，称取RCl，GeCl4和NdCl3粉体，在刚玉研钵中研磨20～60分钟，得到均匀的粉料前驱体；（2）、将步骤（1）的前驱体放入马弗炉中以800～1100℃灼烧0.5～5小时，然后冷却到100～300℃，保温0.5～3小时后，随炉冷却到室温，得到块体材料；（3）、把块体材料粉碎，得到化学通式为R2GeCl6：xNd3+的所述钕掺杂氯锗酸上转换荧光粉；其中，R2GeCl6：xNd3+中，R为Li,Na,K,Rb或Cs；x取值为0.01～0.08。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，陈吉星，王平，张振华，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44