本实用新型专利技术涉及一种中子屏蔽体的屏蔽装置，尤指一种通过分层错开拼接以消除拼接缝隙的一种中子屏蔽体插片拼接装置，主要包括多块插片互相拼接形成中子屏蔽体，所述的拼接装置主要由两层插片组成，两层插片均由若干块小型插片相互拼接组成大型插片，其中，下层的小型插片上表面设置在上层的小型插片两两拼接时所形成的缝隙处；本实用新型专利技术采用双层错开插片拼接的结构，解决了在单层插片拼接时因产生缝隙而导致中子吸收不全或者吸收不良的问题；本实用新型专利技术结构简单，组装方便，在原拼接途径的基础上加以改进，利用同样简易的拼接途径结合稳定的结构设计，保证中子屏蔽并吸收的稳定性、安全性与高效性，从而保证中子谱仪能够顺利地完成后续工作。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种中子屏蔽体的屏蔽装置，尤指一种通过分层错开拼接以消除拼接缝隙的一种中子屏蔽体插片拼接装置。
技术介绍
中子谱仪运行时涉及中子散射技术，中子具有不带电、具有磁矩、穿透性强、能分辨轻元素、同位素和近邻元素，且对样品的非破坏性的特点，在中子谱仪中，利用其关键部件之一的中子准直器可减少通过准直器内部腔体的中子的损失，而实现中子准直器作用的主要方法是利用附着在准直器内壁上的中子屏蔽体吸收背景中子，因此，中子屏蔽体是能否完全吸收中子的关键部件。由于在中子准直器中的中子屏蔽体一般采用碳化硼材料以有效阻挡或吸收中子，而碳化硼材料由于元素性能问题不宜采用碳化硼材料大面积成型加工的方法获得碳化硼中子屏蔽体，现使用的中子屏蔽体一般是在加工出若干小型的中子屏蔽体插片之后，将若干小型插片相互接合以组合形成符合中子准直器规格的大型插片中子屏蔽体，此方法由小型插片拼接形成大型插片，加工工艺较为简单，中子屏蔽体获取难度不高，但是，在拼接过程中，不管使用何种胶体均有可能存在拼接缝隙产生的结果，一旦缝隙出现，在中子散射时就无法完全阻挡杂射中子，无法完全吸收散射中子则导致中子准直器工作的不完善，甚至导致中子谱仪的后续工作无法顺利进行。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术旨在公开一种中子屏蔽体的屏蔽装置，尤指一种通过分层错开拼接以消除拼接缝隙的一种中子屏蔽体插片拼接装置。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是:一种中子屏蔽体插片拼接装置，主要包括多块插片互相拼接形成中子屏蔽体，其特征在于:所述的拼接装置主要由两层插片组成，两层插片均由若干块小型插片相互拼接组成大型插片，其中，下层的小型插片上表面设置在上层的小型插片两两拼接时所形成的缝隙处。所述的下层小型插片在两两拼接时形成的拼接缝隙设置在上层的小型插片下表面。所述的小型插片设置为矩形、圆形或者正多边形。所述的拼接装置通过粘接剂使小型插片两两之间从边缘处粘合。所述两层插片之间通过粘接剂使上层插片下表面与下层插片上表面互相粘合。所述的插片可以为碳化硼陶瓷片、碳化硼基复合材料板、或碳化硼粉末成型板。本技术的有益效果体现在:本技术采用双层错开插片拼接的结构，解决了在单层插片拼接时因产生缝隙而导致散射中子吸收不全或者吸收不良的问题；本技术结构简单，组装方便，在原拼接途径的基础上加以改进，利用同样简易的拼接途径结合稳定的结构设计，以达到完善的中子屏蔽体插片装置，保证了中子屏蔽并吸收的稳定性、安全性与有效性，并确保中子准直器阻挡与吸收散射中子的完全性，工作系统得以完善规划，从而保证中子谱仪能够顺利地完成后续工作。【附图说明】图1是本技术的整体结构立体图。图2是本技术图1中A的局部放大示意图。图3是本技术的整体结构透视图。附图标注说明:1_上层插片，2-下层插片，3-小型插片。【具体实施方式】下面结合附图详细说明本技术的【具体实施方式】:一种中子屏蔽体插片拼接装置，主要包括多块插片互相拼接形成中子屏蔽体，所述的拼接装置主要由两层插片组成，所述的插片可以为碳化硼陶瓷片、碳化硼基复合材料板、或碳化硼粉末成型板；两层插片均由若干块小型插片3相互拼接组成大型插片，小型插片3设置为矩形、圆形或者正多边形，所述拼接装置通过粘接剂使小型插片3两两之间从边缘处粘合，两层插片之间通过粘接剂使上层插片I下表面与下层插片2上表面互相粘合，本实施例的粘接剂可采用航空胶，性能稳定，粘接效果好；其中，下层的小型插片3上表面设置在上层的小型插片3两两拼接时所形成的缝隙处；下层小型插片在两两拼接时形成的拼接缝隙设置在上层的小型插片下表面。中子屏蔽体插片拼接装置的加工工艺为:首先将可阻挡并吸收杂散中子的原材料加工为若干块小型插片3，在其中一块小型插片3的边缘处涂上粘接剂后，迅速与另一块小型插片3从边缘粘合，以此类推，将各小型插片3互相粘合形成一块大型插片以完成第一层插片，然后在第一层插片的拼接缝隙交叉口处的下表面粘接另一块小型插片3，并以该小型插片3为中心，从其边缘处粘接其它小型插片3，以此完成中子屏蔽体的第二层插片，为保障中子屏蔽体的致密性，可相应增设第三、四等层的插片，本实施例采用两层插片为较佳实施例，在加工工艺简洁、控制成本最低的同时亦能达到无缝插片拼接的目的，最终实现高效吸收散射中子的效果。以上所述，仅是本技术的较佳实施例，并非对本技术的技术范围作任何限制，本行业的技术人员，在本技术方案的启迪下，可以做出一些变形与修改，凡是依据本技术的技术实质对以上的实施例所作的任何修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。【主权项】1.一种中子屏蔽体插片拼接装置，主要包括多块插片互相拼接形成中子屏蔽体，其特征在于:所述的拼接装置主要由两层插片组成，两层插片均由若干块小型插片相互拼接组成大型插片，其中，下层的小型插片上表面设置在上层的小型插片两两拼接时所形成的缝隙处。2.根据权利要求1所述的一种中子屏蔽体插片拼接装置，其特征在于:所述的下层小型插片在两两拼接时形成的拼接缝隙设置在上层的小型插片下表面。3.根据权利要求1所述的一种中子屏蔽体插片拼接装置，其特征在于:所述的小型插片设置为矩形、圆形或者正多边形。4.根据权利要求1所述的一种中子屏蔽体插片拼接装置，其特征在于:所述的拼接装置通过粘接剂使小型插片两两之间从边缘处粘合。5.根据权利要求1所述的一种中子屏蔽体插片拼接装置，其特征在于:所述两层插片之间通过粘接剂使上层插片下表面与下层插片上表面互相粘合。6.根据权利要求1所述的一种中子屏蔽体插片拼接装置，其特征在于:所述的插片可以为碳化硼陶瓷片、碳化硼基复合材料板、或碳化硼粉末成型板。【专利摘要】本技术涉及一种中子屏蔽体的屏蔽装置，尤指一种通过分层错开拼接以消除拼接缝隙的一种中子屏蔽体插片拼接装置，主要包括多块插片互相拼接形成中子屏蔽体，所述的拼接装置主要由两层插片组成，两层插片均由若干块小型插片相互拼接组成大型插片，其中，下层的小型插片上表面设置在上层的小型插片两两拼接时所形成的缝隙处；本技术采用双层错开插片拼接的结构，解决了在单层插片拼接时因产生缝隙而导致中子吸收不全或者吸收不良的问题；本技术结构简单，组装方便，在原拼接途径的基础上加以改进，利用同样简易的拼接途径结合稳定的结构设计，保证中子屏蔽并吸收的稳定性、安全性与高效性，从而保证中子谱仪能够顺利地完成后续工作。【IPC分类】G21F3-00【公开号】CN204288826【申请号】CN201420835835【专利技术人】邹建军, 孙振忠, 许楚滨, 苏树聪, 曾汉佳, 黄嘉豪 【申请人】东莞理工学院, 邹建军, 孙振忠, 许楚滨, 苏树聪, 曾汉佳, 黄嘉豪【公开日】2015年4月22日【申请日】2014年12月25日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种中子屏蔽体插片拼接装置，主要包括多块插片互相拼接形成中子屏蔽体，其特征在于：所述的拼接装置主要由两层插片组成，两层插片均由若干块小型插片相互拼接组成大型插片，其中，下层的小型插片上表面设置在上层的小型插片两两拼接时所形成的缝隙处。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邹建军，孙振忠，许楚滨，苏树聪，曾汉佳，黄嘉豪，
申请(专利权)人：东莞理工学院，邹建军，孙振忠，许楚滨，苏树聪，曾汉佳，黄嘉豪，
类型：新型
国别省市：广东;44
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