【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本申请要求2012年4月26日提交的美国临时申请No.61/638,957的权益,通过引用将其并入在此。
在此描述的示例性实施例总的来说涉及制造基于磁电阻的装置的方法,更具体地,涉及制造导电电极布置在磁性材料堆叠上(on or over)的基于磁电阻的装置。
技术介绍
磁电子装置、旋转电子装置和自旋电子装置是对于利用主要由电子自旋所引起的效应的装置的同义的术语。在许多的信息装置中使用磁电子以提供非易失性的、可靠的、抗辐射的和高密度数据的存储与检索。许多的磁电子信息装置包括,但不限于:磁电阻随机存取存储器(MRAM)、磁性传感器和盘驱动器的读/写磁头。通常MRAM包括磁电阻存储元件(位)的阵列。每一个磁电阻的存储元件通常具有这样的结构,其包括多个由不同非磁性层分离的磁性层(诸如,磁性隧道结(MTJ)),且表现出基于装置的磁性状态的电阻。信息被存储为磁性层中的磁化矢量的方向。一个磁性层中的磁化矢量被磁性地固定或者钉扎,而另一磁性层的磁化方向可以在相同的和相反的方向(其分别被称作“平行”和“反平行”状态)之间自由切换。对应于平行的和反平行的磁性状态,磁性存储器元件分别具有低和高电阻状态。因此,电阻的检测允许磁电阻存储元件(诸如,MTJ装置)提供存储在磁性存储器元件中的信息。有两种完全不同的方法用于对自由层进行编程:场切换和自旋矩切换。在场切换的MRAM中,使用邻近于MTJ位的载流线产生作用 ...
【技术保护点】
一种制造基于磁电阻的装置的方法,包括:提供磁性材料层;在所述磁性材料层之上沉积金属层;在所述金属层之上沉积图案化的光致抗蚀剂;刻蚀没有被所述图案化的光致抗蚀剂覆盖的金属层以形成导电电极;去除所述图案化的光致抗蚀剂,以及刻蚀没有被所述导电电极覆盖的所述磁性材料层以形成磁性材料堆叠。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.04.26 US 61/638,9571.一种制造基于磁电阻的装置的方法,包括:
提供磁性材料层;
在所述磁性材料层之上沉积金属层;
在所述金属层之上沉积图案化的光致抗蚀剂;
刻蚀没有被所述图案化的光致抗蚀剂覆盖的金属层以形成导电电
极;
去除所述图案化的光致抗蚀剂,以及
刻蚀没有被所述导电电极覆盖的所述磁性材料层以形成磁性材料堆
叠。
2.如权利要求1所述的方法,其中沉积金属层包括:
沉积对所述导电电极的刻蚀是惰性的材料。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述材料沉积包括:
沉积在所述导电层的刻蚀中具有大于10:1的选择性的材料。
4.如权利要求1所述的方法,其中沉积所述金属层包括:
沉积包括一种或多种贵金属,或者一种或多种贵金属以及其合金的
金属层。
5.如权利要求1所述的方法,其中沉积所述金属层包括:
沉积具有在15-150埃范围内的厚度的金属硬掩模。
6.如权利要求1所述的方法,其中沉积所述金属硬掩膜包括:
沉积包括PtMn以及IrMn中的至少一个的金属硬掩膜。
7.如权利要求1所述的方法,其中沉积所述金属硬掩膜包括:
沉积包括从由Pt、Ir、Mo、W、Ru和合金AB构成的组中选择的
成员中的至少一者的金属硬掩膜,(其中A包括Pt、Ir、Mo、W、Ru
而B包括Fe、Ni、Mn)。
8.一种制造基于磁电阻的装置的方法,包括:
提供磁性材料层;
在所述磁性材料之上沉积导电层;
在所述导电层之上沉积金属硬掩模层;
在所述金属硬掩模层之上沉积图案化的光致抗蚀剂;
刻蚀没有被所述图案化的光致抗蚀剂覆盖的所述金属硬掩模层以形
成金属硬掩模;
去除所述图案化的光致抗蚀剂;。
刻蚀没有被所述金属硬掩模覆盖的所述导电层以形成导电电极;以
及
刻蚀没有被所述导电电极覆盖的所述磁性材料层以形成磁性材料堆
叠。
9.如权利要求8所述的方法,其中沉积所述金属硬掩模层包括:<...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·德石潘德,S·阿加瓦尔,K·纳盖尔,
申请(专利权)人:艾沃思宾技术公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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