【技术实现步骤摘要】
LED专用60W驱动电源电路
本专利技术涉及一种LED专用60W驱动电源电路。
技术介绍
本专利技术是基于AP1661芯片做的一款专用于LED的60W驱动电源，该电源是一类反激式APFC+PWM控制的隔离开关电源，相比传统的线性电源，有体积小，成本低，效率高，发热量小等优点，缺点是纹波会偏大，对输出电解电容的寿命有一定要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供了一种LED专用60W驱动电源电路；本专利技术的60W驱动电源电路专为LED产品设计，适用于平板灯、格栅灯、路灯、庭院灯、工矿灯等大型LED灯具，布板合理情况下可轻易通过各项安规认证，可以实现100-265V/50-60HZ宽电压输入，适用于全球绝大部分国家与地区的公用电网，电磁兼容性好，抗雷击浪涌，电源转换效率高，额定负载下可达90%甚至更高，高功率因素，电流谐波小，符合各项苛刻指标要求，对恶劣环境的适应性强。 为了达到上述目的，本专利技术的技术方案是:一种LED专用60W驱动电源电路，包括保护电路，所述的保护电路通过线路与EMC电路相连；所述的EMC电路通过线路与整流桥BRl相连；所述的整流桥BRl通过线路与高频隔离变压器T4相连；所述的整流桥BRl与高频隔离变压器T4之间的线路上分别依次连接有采样滤波外围电路、薄膜电容C2、高功率因素校正芯片Ul的供电电路、反激耦合的尖峰吸收电路；所述的高功率因素校正芯片Ul的供电电路分别通过线路与误差放大电路、电源输入保护电路、辅助线圈的整流滤波供电电路、高功率因素校正芯片Ul相连；所述的高频隔离变压器T4分别通过线路与M...
【技术保护点】
一种LED专用60W驱动电源电路，其特征在于：包括保护电路（1），所述的保护电路（1）通过线路与EMC电路（2）相连；所述的EMC电路（2）通过线路与整流桥BR1相连；所述的整流桥BR1通过线路与高频隔离变压器T4相连；所述的整流桥BR1与高频隔离变压器T4之间的线路上分别依次连接有采样滤波外围电路（3）、薄膜电容C2、高功率因素校正芯片U1的供电电路（4）、反激耦合的尖峰吸收电路（5）；所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路（4）分别通过线路与误差放大电路（6）、电源输入保护电路（7）、辅助线圈的整流滤波供电电路（8）、高功率因素校正芯片U1相连；所述的高频隔离变压器T4分别通过线路与MOS管Q1、滤波电路（9）相连，所述的高频隔离变压器T4与MOS管Q1之间的线路上连接有反激耦合的尖峰吸收电路（5）；所述的MOS管Q1分别通过线路与高功率因素校正芯片U1、过流检测电路（10）相连；所述的高功率因素校正芯片U1还分别通过线路与误差放大电路（6）、采样滤波外围电路（3）、第一过零检测电路ZCD1相连；所述的滤波电路（9）分别通过线路与内部基准双运放芯片U3的供电电路（11）、检测主回路...
【技术特征摘要】
1.一种LED专用60W驱动电源电路，其特征在于:包括保护电路(I )，所述的保护电路(I)通过线路与EMC电路(2)相连；所述的EMC电路(2)通过线路与整流桥BRl相连；所述的整流桥BRl通过线路与高频隔离变压器T4相连；所述的整流桥BRl与高频隔离变压器T4之间的线路上分别依次连接有采样滤波外围电路(3)、薄膜电容C2、高功率因素校正芯片Ul的供电电路(4)、反激耦合的尖峰吸收电路(5);所述的高功率因素校正芯片Ul的供电电路(4)分别通过线路与误差放大电路(6)、电源输入保护电路(7)、辅助线圈的整流滤波供电电路(8)、高功率因素校正芯片Ul相连；所述的高频隔离变压器T4分别通过线路与MOS管Q1、滤波电路(9)相连，所述的高频隔离变压器T4与MOS管Ql之间的线路上连接有反激耦合的尖峰吸收电路(5);所述的MOS管Ql分别通过线路与高功率因素校正芯片U1、过流检测电路(10)相连；所述的高功率因素校正芯片Ul还分别通过线路与误差放大电路(6)、采样滤波外围电路(3)、第一过零检测电路Z⑶I相连；所述的滤波电路(9)分别通过线路与内部基准双运放芯片U3的供电电路(11)、检测主回路电压信号电路(12)、第二光耦U4、内部基准双运放芯片U3相连；所述的内部基准双运放芯片U3的供电电路(11)通过线路与内部基准双运放芯片U3相连，所述的内部基准双运放芯片U3还分别通过线路与检测主回路电压信号电路(12)、第二光耦U4相连。2.如权利要求1所述的一种LED专用60W驱动电源电路，其特征在于:所述的保护电路(I)包括与其中一条宽电压进电输入端L相连的保险管F1，所述的保险管Fl通过线路与EMC电路(2)上的第一磁环电感Tl相连，所述的另一条宽电压进电输入端N也通过线路与EMC电路(2)上的第一磁环电感Tl相连；所述的其中一条宽电压进电输入端L与第一磁环电感Tl之间的线路、另一条宽电压进电输入端N与第一磁环电感Tl之间的线路上分别并联有压敏电阻MOVl和由第一贴片电阻Rl和第二贴片电阻R2串联后的线路；所述的EMC电路(2)包括第一磁环电感Tl和与第一磁环电感Tl相连的第二磁环电感T2，且所述的第一磁环电感Tl与第二磁环电感T2之间并联有第一安规电容Cl ;所述的第二磁环电感T2通过线路与整流桥BRl相连。3.如权利要求1所述的一种LED专用60W驱动电源电路，其特征在于:所述的采样滤波外围电路(3)包括第三贴片电阻R5，所述的第三贴片电阻R5通过线路与所述的整流桥BR1、高频隔离变压器T4之间的线路相连；所述的第三贴片电阻R5还通过线路依次与第四贴片电阻R6、第五贴片电阻R24串联；所述的第五贴片电阻R24与第一贴片电容C13并联；所述的第五贴片电阻R24通过线路与高功率因素校正芯片Ul的第三管脚相连；所述的第五贴片电阻R24还通过线路与过流检测电路(10)相连； 所述的高功率因素校正芯片Ul的供电电路(4)包括第六贴片电阻R7，所述的第六贴片电阻R7通过线路与所述的整流桥BRl、高频隔离变压器T4之间的线路相连；所述的第六贴片电阻R7还通过线路依次与第七贴片电阻R8、第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片Ul的第八管脚串联；所述的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片Ul之间的线路上连接有误差放大电路(6)、电源输入保护电路(7)、辅助线圈的整流滤波供电电路(8);所述的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片Ul之间的线路与所述的误差放大电路(6)之间分别通过线路依次连接有第一铝电解电容EC1、第二贴片电容C14、第九贴片电阻R41 ； 所述的反激耦合的尖峰吸收电路(5)包括高压瓷片电容C3，所述的高压瓷片电容C3通过线路与所述的整流桥BR1、高频隔离变压器T4之间的线路相连；所述的高压瓷片电容C3与第二氧化膜电阻R3并联后通过线路与第四二极管D1相连，所述的第四二极管D1通过线路与第三十九贴片电阻R4相连，所述的第三十九贴片电阻R4通过线路与所述的隔离变压器T4、M0S管Q1之间的线路相连。4.如权利要求3所述的一种LED专用60W驱动电源电路，其特征在于:所述的误差放大电路(6)包括第一光耦U2，所述的第一光耦U2通过线路与所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路(4)中的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路相连，所述的第一光耦U2通过线路与第十贴片电阻R13相连，所述的第十贴片电阻R13通过线路与高功率因素校正芯片U1的第一管脚相连；所述的第十贴片电阻R13、高功率因素校正芯片U1的第一管脚之间的线路上分别通过线路依次连接有第三贴片电容C4、第十一贴片电阻R37 ;所述的第三贴片电容C4通过线路与第十二贴片电阻R14相连，所述的第十二贴片电阻R14通过线路与高功率因素校正芯片U1的第二管脚相连；所述的第十二贴片电阻R14、高功率因素校正芯片U1的第二管脚之间的线路与第十一贴片电阻R37通过线路相连；所述的第九贴片电阻R13还通过线路与第四贴片电容C6相连；所述的第一光耦U2还通过线路与第十三贴片电阻R12相连，所述的第四贴片电容C6、第十三贴片电阻R12、第一贴片电容C13分别通过线路与所述的第五贴片电阻R24、过流检测电路(10)之间的线路相连； 所述的电源输入保护电路(7 )包括三极管Q2，所述的三极管Q2的发射极通过线路与所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路(4)中的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路相连，所述的三极管Q2的基极通过线路与阻抗Z1相连，所述的三极管Q2的集电极通过线路与辅助线圈的整流滤波供电电路(8)相连，所述的三极管Q2的集电极、辅助线圈的整流滤波供电电路(8)之间的线路与所述的三极管Q2的基极、阻抗Z1之间的线路通过线路连接有第十六贴片电阻R35;所述的阻抗Z1通过线路分别与第一铝电解电容EC1、第二贴片电容C14、第九贴片电阻R41和第二过零检测电路Z⑶2相连； 所述的辅助线圈的整流滤波供电电路(8)包括第一二极管D5和与三极管Q2的集电极通过线路相连的第十七贴片电阻R10，所述的第一二极管D5通过线路与所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路(4)中的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路相连...
【专利技术属性】
技术研发人员：董金浩，
申请(专利权)人：浙江点金照明有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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