倒置式顶发射器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种倒置式顶发射器件，包括依次层叠的ITO/Ag/ITO基板、阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及阳极，其中所述阴极的材料为碳酸铯。本发明专利技术所提供的倒置式顶发射器件及其制备方法，在现有ITO/Ag/ITO/HTL/EML/ETL/Mg:Ag结构的基础上，把器件结构改为：ITO/Ag/ITO/Cs2CO3/ETL/EML/HTL/MoO3/Ag，这样避免使用了低功函数金属Mg，在这种情况下，即便出现封装不理想的情况的，也可以保证器件不易受水氧氧化，从而保证获得较理想的器件寿命。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种倒置式顶发射器件，包括依次层叠的ITO/Ag/ITO基板、阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及阳极，其中所述阴极的材料为碳酸铯。本专利技术所提供的，在现有ITO/Ag/ITO/HTL/EML/ETL/Mg:Ag结构的基础上，把器件结构改为：ITO/Ag/ITO/Cs2CO3/ETL/EML/HTL/MoO3/Ag，这样避免使用了低功函数金属Mg，在这种情况下，即便出现封装不理想的情况的，也可以保证器件不易受水氧氧化，从而保证获得较理想的器件寿命。【专利说明】
本专利技术属于有机电致发光器件(OLED)领域，具体涉及一种。
技术介绍
最近几年，OLED的发展得到科研界和工业界的广泛关注，OLED显示屏已经步入人们的生活，但是它的寿命依然是存在的一个重要问题，如今的OLED器件一般采用高功函数的金属为阳极，低功函数的金属为阴极，但是低功函数的金属存在容易被氧化的问题，并且在封装中，一般封装面在低功函数处，器件密封显得尤为重要，即便如此，OLED器件的寿命依然很低。 有机发光二极管如今得到广泛的发展，在现行的工业化生产器件结构中，如图1所示，一般采用ITO/Ag/ITO为阳极，以低功函数的金属Mg和高功函数且化学性能比较稳定的金属Ag共蒸形成的Mg:Ag合金作为阴极的顶发射器件结构，然后再进行封装，其中ITO/Ag/ITO基板由前面Array段制程完成，然后进入OLED蒸镀段进行空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层等修饰层的蒸镀，最后进行阴极Mg:Ag合金的蒸镀，然后进行器件的封装。由于Mg为低功函数活泼金属，容易与水氧发生反应从而损坏器件阴极，使得OLED器件的使用寿命低下。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，通过把器件结构改为:IT0/Ag/IT0/Cs2C03/ETL/EML/HTL/Mo03/Ag，避免使用易氧化的 Mg，从而解决了 OLED 器件的使用寿命低下的问题。 本专利技术所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现: 一种倒置式顶发射器件，包括依次层叠的ITO/Ag/ITO基板、阴极层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及阳极层，其中所述阴极的材料为碳酸铯。 优选地，所述阴极层中还掺杂碱金属盐，所述碱金属盐包括氟化铯、叠氮铯或者氟化锂。 优选地，碳酸铯的厚度为Inm至5nm。 优选地，所述电子传输层所用材料为1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述发光层所用材料为:4，4’ -N, N’ - 二咔唑联苯掺杂Ir (ppy) 3 ;其中，Ir (ppy) 3的掺杂比例为2% ;所述空穴传输层所用材料为:N，N' -二(1-萘基)-N，N' -二苯基-1,1'-联苯-4-4' - 二胺。 优选地，所述阳极层所用材料为:氧化钥/银。 优选地，所述电子传输层的厚度在30nm至35nm,所述发光层的厚度为35nm至40nm,所述空穴传输层的厚度为55nm至60nm,氧化钥的厚度在Inm至20nm,银的厚度为1nm 至 20nm。 一种倒置式顶发射器件的制备方法，包括以下步骤:(1)制作ITO/Ag/ITO基板； (2)在ITO/Ag/ITO基板上以碳酸铯为材料制作阴极层；(3)在所述阴极层上依序形成电子传输层、发光层、以及空穴传输层；(4)在所述空穴传输层上形成阳极层。 优选地，在步骤(I)中，所述ITO/Ag/ITO基板先用洗洁精、去离子水超声清洗，然后干燥处理后备用；在步骤(2)中，所述碳酸铯以蒸镀的方式蒸镀在所述备用的ITO/Ag/ITO基板上，所述碳酸铯的厚度为Inm至5nm ;所述阴极层中还掺杂碱金属盐，所述碱金属盐包括氟化铯、叠氮铯或者氟化锂。 优选地，，在步骤(3)中，所述电子传输层的材料为:1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述电子传输层的厚度为30nm至35nm ;所述发光层材料为:4，4’ -N，N’-二咔唑联苯掺杂Ir(ppy)3，其中Ir (ppy) 3的掺杂比例为2% ;所述发光层的厚度为35nm至40nm;所述空穴传输层材料为:N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基-1,1'-联苯-4-4' - 二胺；所述空穴传输层的厚度为55nm至60nm。 优选地，在步骤(4)中，所述阳极层材料为氧化钥/银；其中，氧化钥的厚度在Inm至20nm,银的厚度为1nm至20nm。 本专利技术所提供的，在现有IT0/Ag/IT0/HTL/EML/ETL/Mg:Ag 结构的基础上，把器件结构改为:IT0/Ag/IT0/Cs2C03/ETL/EML/HTL/Mo03/Ag，这样避免使用了低功函数金属Mg，在这种情况下，即便出现封装不理想的情况的，也可以保证器件不易受水氧氧化，从而保证获得较理想的器件寿命。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有技术顶发射器件的结构示意图； 图2为本专利技术倒置式顶发射器件的结构示意图；以及 图3为本专利技术倒置式顶发射器件的制备流程图。 【具体实施方式】 为利于对本专利技术的结构的了解，以下结合附图及实施例进行说明。 图2为本专利技术倒置式顶发射器件的结构示意图。 结合图2所示，一种倒置式顶发射器件，包括依次层叠的ITO/Ag/ITO基板10、阴极层20、电子传输层30、发光层40、空穴传输层50以及阳极60，其中所述阴极层20的材料为碳酸铯。 其中，ITO/Ag/ITO基板10为多层复合薄膜结构，利用透明导电ITO和高反射、高电导的金属Ag多层复合而成，该ITO/Ag/ITO基板10顺次包括内层ITO薄膜、银膜以及外层ITO薄膜，由于银易氧化，将银膜夹持于两层ITO薄膜之间，该银膜的一面附着在内层ITO薄膜上，并由外层ITO薄膜充当银膜的另一面的保护层，所以能够避免氧化的发生。 阴极层20采用的是碳酸铯(Cs2C03)，由于碳酸铯的电子注入原理为在阴极处形成偶极层，因此能够实现较好的电子注入，同样，碳酸铯蒸镀在ITO上，从而降低ITO的功函数而获得理想的电子注入性能，且这里我们利用碳酸铯蒸镀在ITO/Ag/ITO基板10上作为器件的阴极层20，这样可以避免使用低功函数金属Mg，从而减少水氧的侵蚀，提高使用寿命。在本实施例中，碳酸铯的厚度为Inm至5nm,优选厚度为3nm。 进一步地，阴极层20中还掺杂碱金属盐，以供作为阴极层的电子注入材料，该碱金属盐选自氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或者氟化锂(LiF)，本实施例优选为LiF ;电子注入层的厚度为0.5nm至1nm,优选厚度为Inm ； 电子传输层30所用材料英文缩写为TPBI，其全称为:1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。 发光层所用材料40为:4，4’-N，N’_ 二咔唑联苯(CBP)掺杂Ir (ppy) 3 ;其中，Ir (ppy) 3的掺杂比例为2 %。 本实施例中，Ir (ppy) 3为一种磷光配合物，其中文名称为:磷光染料三(2_苯基吡啶)铱，具体为一种发光性能好的发光材料。 空穴传输层50所用材料为: N, N' -二(1-萘基)-N, N' - 二苯基-1,1'-联苯-4-4' - 二胺。 阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒置式顶发射器件，其特征在于，包括依次层叠的ITO/Ag/ITO基板、阴极层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及阳极层，其中所述阴极的材料为碳酸铯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李艳虎，林信志，张斌，李贵芳，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31